9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 3D NAND仍然是其主要閃存產(chǎn)品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發(fā)轉(zhuǎn)向批量生產(chǎn)，現(xiàn)在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:555462 ? 在6月2日的臺(tái)北電腦展上，存儲(chǔ)大廠美光終于發(fā)布了該公司的首個(gè)PCIe 4.0客戶端級(jí)SSD，3400系列和2450系列，兩者都采用了他們最新的176層3D TLC NAND閃存。除此之外
2021-06-05 09:00:007716 來(lái)做宣傳。這些消息足以看出，今年即將迎來(lái)UFS 4.0的推進(jìn)。UFS作為目前智能手機(jī)常用的閃存規(guī)范之一，幾乎已經(jīng)是安卓機(jī)標(biāo)配了，那么新的UFS 4.0又有何改動(dòng)呢？ ? 尺寸變小，速度翻倍 ? 既然是
2022-05-07 00:48:003800 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512064 
國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292569 倍；UFS3.1能夠支持3GB/s讀寫速度，是UFS 2.2的兩倍。 ? 與之前基于LPDDR4x DRAM和UFS 2.2 NAND閃存的解決方案相比，DRAM性能提升了50%，從17GB/s提高到
2021-06-17 07:08:003267 更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲(chǔ)傳輸速度，適用于各種下一代移動(dòng)應(yīng)用。鎧俠?UFS 產(chǎn)品性能的改進(jìn)使這些應(yīng)用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢(shì)，從而加快下載速度、減少延遲時(shí)間并改善用戶體驗(yàn)。 鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品
2023-06-06 14:30:191529 
的232層3D NAND技術(shù)，美光UFS 4.0解決方案可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1 TB容量，其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機(jī)實(shí)
2024-02-28 17:36:07402 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
耐用性。由于尺寸、冷卻和電池要求，系統(tǒng)設(shè)計(jì)將光通量和能效視為重中之重。 目前有很多對(duì)3D結(jié)構(gòu)光圖形進(jìn)行優(yōu)化的技術(shù)。其中一個(gè)特別有效的方法就是自適應(yīng)圖形集。算法確定了圖形與波長(zhǎng)的最佳組合，以提高被掃描物體
2018-08-30 14:51:20
NAND FLASH就是通過die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長(zhǎng)。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲(chǔ)容量，若采用48層TLC 堆疊技術(shù)，存儲(chǔ)密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點(diǎn)：盡管NAND閃存市場(chǎng)需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響，但美光市場(chǎng)卻逆勢(shì)增長(zhǎng)，其市場(chǎng)份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
和UFS閃存的基礎(chǔ)知識(shí)吧：eMMC：Embedded Multi Media Card，它是在NAND閃存芯片的基礎(chǔ)上，額外集成了主控制器，并將二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片，從而減少了對(duì)PCB主板的空間占用，也是移動(dòng)設(shè)備中普及度最高的存儲(chǔ)單元。eMMC的性能會(huì)隨著總線接口的升級(jí)而提升，而目前最新的
2021-07-22 07:17:09
三部分：前端UFS接口（M-PHY），UFS控制器和閃存介質(zhì)（圖中的Memory模塊）。VCC給閃存介質(zhì)供電，VCCQ一般給閃存輸入輸出接口和UFS控制器供電，VCCQ2一般給M-PHY或其它...
2021-11-12 06:16:12
3D虛擬工廠，運(yùn)用AMR技術(shù)將產(chǎn)品研發(fā)與工廠規(guī)劃同步實(shí)施。自動(dòng)生成一個(gè)3D工廠模型，提升工作便利度，避免那些事后才被發(fā)現(xiàn)的設(shè)計(jì)規(guī)劃中的失誤，保證產(chǎn)品投放市場(chǎng)的進(jìn)度，而且能大大節(jié)省項(xiàng)目的時(shí)間和花費(fèi)，真正
2017-03-17 10:21:34
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機(jī)械層不會(huì)和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ蜁?huì)和PCB重合。請(qǐng)問這個(gè)改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請(qǐng)教大家一個(gè)問題： Altium designer 的3D封裝在機(jī)械層是有線的，我的板子在機(jī)械層也畫了線來(lái)切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中，3D封裝位于機(jī)械層的線是否會(huì)影響加工效果。請(qǐng)實(shí)際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
經(jīng)理Troy Winslow打了個(gè)比方：新閃存以不超過CD光盤中間孔的大小存儲(chǔ)了十倍于光盤容量的數(shù)據(jù)。對(duì)于目前閃存設(shè)備容量偏小、使用壽命有限的問題，美光NAND閃存業(yè)務(wù)市場(chǎng)經(jīng)理Kevin Kilbuck
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系內(nèi)存大廠美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，預(yù)計(jì)于2010年中
2022-01-22 08:05:39
3D NAND的生產(chǎn)狀況。之前西部資料制定過一個(gè)目標(biāo)，希望今年采用BiCS 3技術(shù)生產(chǎn)的64層3D NAND能占到3D NAND產(chǎn)量的75%，不過現(xiàn)在這個(gè)數(shù)字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
S29GL512S11DHIV10閃存芯片S29GL512S10GHI010隨著原廠3D NAND技術(shù)的發(fā)展，從2018下半年開始，各家均開始向96層3D技術(shù)升級(jí)，今天西部數(shù)據(jù)推出了其新一代96層
2022-02-02 08:45:13
將在3月份上市，采用主流的96層3D NAND，并充分利用UFS 3.1高帶寬以及SLC NAND緩存，可提供最高800MB/s的順序?qū)懭胨俣?。容量方面，iNAND MC EU521提供128GB
2022-01-28 15:23:27
高級(jí)經(jīng)理Oded Sagee說(shuō)，具有嚴(yán)格品質(zhì)保證和可靠性保證的高容量存儲(chǔ)設(shè)備正快速成為汽車行業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。首次采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)制造的e.MMC EFD能夠滿足以上特征需求，用以
2022-01-31 12:21:30
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
pcb 3D導(dǎo)step用creo打開為什么絲印層顯示不出來(lái) PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
什么是閃存？eMMC和UFS之間的區(qū)別在哪里？UFS2.0和2.1之間有何不同？
2021-06-18 09:20:44
隨著很多全新技術(shù)的涌現(xiàn)，人們?cè)絹?lái)越需要用3D方法來(lái)表示現(xiàn)實(shí)世界中的物體。特別是機(jī)器視覺和機(jī)器人技術(shù)，它們都得益于精確和自適應(yīng)的3D捕捉功能。其它針對(duì)3D掃描的應(yīng)用包括生物識(shí)別、安防、工業(yè)檢查、質(zhì)量
2022-11-16 07:48:07
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
本文介紹的三個(gè)應(yīng)用案例展示了業(yè)界上先進(jìn)的機(jī)器視覺軟件和及其圖像預(yù)處理技術(shù)如何促使2D和3D視覺檢測(cè)的性能成倍提升。
2021-02-22 06:56:21
、空隙填充若3D模型存在空隙，浩辰3D能自動(dòng)識(shí)別3D模型上的空隙，并以紅X的形式標(biāo)出，點(diǎn)擊確認(rèn)后，即可直接填滿這個(gè)空隙，完成填補(bǔ)，從而便于打印設(shè)備的工作機(jī)制。3、定位零件步驟一：首先，定義打印機(jī)設(shè)置，在
2021-05-27 19:05:15
DRAM補(bǔ)全計(jì)劃？此前曾傳出紫光將斥資230億美元收購(gòu)美的消息，后因美國(guó)***的限制，使這筆交易暫時(shí)壓后。美光就不需要給大家介紹，它的DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊
2016-07-29 15:42:37
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
優(yōu)勢(shì)，或許，未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到(512+16)Byte的表示方式。NAND是以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域
2018-06-21 14:57:19
在3D模式下能不能隱藏元件的3D，就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13
能精確曝光物體層。該系統(tǒng)還采用了 TI 的低功耗 MSP430 嵌入式處理器將物體層曝光與電機(jī)控制同步以便實(shí)現(xiàn)精確的漸進(jìn)式 3D 打印。 特性集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)例程通過自適應(yīng) GUI 自定義層疊順序采用模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，方便移植到其他 DLP 芯片組`
2015-04-28 10:35:23
的低功耗 MSP430 嵌入式處理器，將層曝光與電機(jī)控制同步，以便實(shí)現(xiàn)精確的漸進(jìn)式 3D 打印。 特性集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)例程通過自適應(yīng) GUI 自定義層疊順序采用模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，方便移植到其他 DLP 芯片組
2022-09-26 07:03:30
Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 雖然符合新的通用閃存卡（UFS）規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動(dòng)NAND閃存市場(chǎng)引發(fā)新的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，但較舊的嵌入多媒體存儲(chǔ)卡（eMMC）標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位
2012-03-30 08:46:141488 東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。
2014-05-04 16:00:411264 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 由于NAND閃存價(jià)格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 到2016年3月份為止，全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存，SSD硬盤的好處就不用多說(shuō)了，現(xiàn)在不僅容量在提升，價(jià)格也不斷走低，這導(dǎo)致了性價(jià)比更有優(yōu)勢(shì)的TLC閃存需求高漲
2018-09-19 16:45:001570 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個(gè)NAND
2018-08-29 11:10:008278 
V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達(dá)到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是，三星在3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39395 西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲(chǔ)存解決方案，
2018-10-18 16:52:411295 (GB)嵌入式NAND閃存模塊已經(jīng)開始交付樣品。該模塊完全符合JEDEC UFS 1.1版本標(biāo)準(zhǔn)，專為包括智能手機(jī)和平板電腦在內(nèi)的各種數(shù)碼消費(fèi)品打造。 樣品主要用于由操作系統(tǒng)廠商對(duì)UFS I/F及其主芯片組中的協(xié)議進(jìn)行評(píng)估。 由于主芯片組數(shù)據(jù)處理速度的提高以及無(wú)線連接帶寬的擴(kuò)大，市場(chǎng)上對(duì)可支持高分辨
2018-11-09 17:36:01215 11月15日， 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存儲(chǔ)解決方案采用高性價(jià)比的 64 層 3D TLC NAND 架構(gòu)，可提供超快速啟動(dòng)和汽車級(jí)可靠性。
2019-08-19 01:10:002921 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù)，傳輸帶寬每通道達(dá)到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達(dá)到4200MB/s，同時(shí)順序?qū)懭胨俣纫?b class="flag-6" style="color: red">提升到2800MB
2022-05-05 10:45:273249 
，但并沒有以UFS 4.0來(lái)做宣傳。這些消息足以看出，今年即將迎來(lái)UFS 4.0的推進(jìn)。UFS作為目前智能手機(jī)常用的閃存規(guī)范之一，幾乎已經(jīng)是安卓機(jī)標(biāo)配了，那么新的UFS 4.0又有何改動(dòng)呢?
2022-05-07 11:07:161664 3D TLC NAND 代表了存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場(chǎng)擴(kuò)展到嵌入式行業(yè)，該技術(shù)需要提供一套可持續(xù)的、可擴(kuò)展的比特糾錯(cuò)解決方案。
2022-06-10 07:41:001401 
在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
通過實(shí)施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強(qiáng)大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來(lái)基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可以保證 SSD 質(zhì)量和數(shù)據(jù)完整性。
2022-08-17 11:54:142019 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 UFS（Universal Flash Storage）是一種用于移動(dòng)設(shè)備存儲(chǔ)的閃存存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)。UFS 3.1和UFS 4.0是UFS標(biāo)準(zhǔn)的不同版本，它們之間有一些顯著的差異。
2023-07-18 14:57:5758066 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 3.1和UFS 4.0之間的區(qū)別以及它們?cè)趯?shí)際使用中的差異。 1. 性能提升: - UFS 3.1： UFS 3.1是一種高速的存儲(chǔ)解決方案，支持二級(jí)存儲(chǔ)架構(gòu)（DSC 2.0），最大傳輸速度達(dá)到
2024-01-17 11:05:524255 存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 ，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝（9 x 13mm）?；谙冗M(jìn)的 232 層 3D NAND 技術(shù)，美光 UFS 4.0 解決方案可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1 TB 容量，其卓越性
2024-02-29 16:46:52161 
美光科技股份有限公司近日宣布推出其增強(qiáng)版通用閃存（UFS）4.0移動(dòng)解決方案，標(biāo)志著手機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的新里程碑。這一方案不僅具備創(chuàng)新的專有固件功能，還采用了業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型UFS封裝（9 x 13mm），為智能手機(jī)市場(chǎng)帶來(lái)了前所未有的性能提升。
2024-03-01 09:41:53162
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