在我們的項目中，時常會有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅(qū)動設(shè)計、實現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:55
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雖然說使用EEPROM保存參數(shù)很有效，但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當(dāng)我們的一些參數(shù)需要不定時修改或存儲時，使用FRAM就更為方便一點。這一節(jié)我們就來設(shè)計并實現(xiàn)FM24xxx系列FRAM的驅(qū)動。
2022-12-08 15:09:11855 
），可以將其讀取以表示邏輯1或0。圖1：FRAM通過鐵電材料PZT的極化存儲數(shù)據(jù)。（來源：賽普拉斯半導(dǎo)體）鐵電存儲器的操作與浮柵技術(shù)衍生的傳統(tǒng)可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元
2020-08-12 17:41:09
你好，我正在設(shè)計一個16或32個FRAM（SPI）設(shè)備的存儲器陣列，用于電池操作的數(shù)據(jù)表，用于遠(yuǎn)程戶外位置。我已經(jīng)查閱了CY15B104Q（512K×8）數(shù)據(jù)表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術(shù)，可實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢解決系列應(yīng)用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認(rèn)證芯片促進(jìn)應(yīng)用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
之前在論壇里面發(fā)帖問了關(guān)于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經(jīng)大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
flash存儲轉(zhuǎn)換成鐵電存儲,應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
鐵電存儲器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲器，它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
FRAM鐵電存儲器；讀卡器用于發(fā)射功耗強(qiáng)度固定,得到RF訊號后以讀寫應(yīng)答器；天線安裝于車道上方作為數(shù)據(jù)采集的收發(fā)天線。 2.3.4 結(jié)束語 鐵電存貯器（FRAM）的等距離讀寫特性 快速擦寫和非易失性等特點
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇詳細(xì)介紹了用FRAM替換SRAM時需要考慮的因素 FRAM注意事項FRAM與SRAM
2020-10-16 14:34:37
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達(dá)到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機(jī)存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內(nèi)容在系統(tǒng)即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過溫度或壓力發(fā)送器讀取）。此外，在系統(tǒng)完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運(yùn)行時對配置參數(shù)進(jìn)行編程。通過此類功能，無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM接口。所有這些實現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供?！ RAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！富士通將舉辦在線研討會，介紹全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲器）解決方案，該器件可在高達(dá)攝氏
2017-08-18 17:56:43
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲器(NVM)的最佳選擇，在大多數(shù)應(yīng)用中，鐵電存儲器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
使用鐵電存儲器FM25CL64B，通過SPI接口讀寫數(shù)據(jù)，memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
2022-06-07 09:18:12
EEPROM或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)，從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。FRAM的優(yōu)勢與基于閃存的傳統(tǒng)系統(tǒng)相比，FRAM可提供優(yōu)異的保留性與耐用性。采用閃存，數(shù)據(jù)按晶體管充電狀態(tài)存儲（如開或關(guān)）。寫入閃存
2014-09-01 17:44:09
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性寫入性能優(yōu)于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲器
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
比較高的客戶有用到。簡直是大海撈針。可能還有很多人不太了解這個產(chǎn)品，我簡單介紹一下，詳細(xì)了解可打咨詢熱線:(0755)82124969或QQ21444289鐵電存儲器FUJITSU FRAM 鐵電
2014-03-13 10:00:54
如今，有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機(jī)存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
可從全新的地點獲得更多的有用數(shù)據(jù)北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
MSP430FR2311這個單片機(jī)的fram存儲地址是什么還有如何設(shè)置
2021-06-06 18:21:25
最近抽空參加了2013富士通半導(dǎo)體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產(chǎn)品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
便攜式和無線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲器里，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。從擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)來看，一般存儲器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
鐵電隨機(jī)存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
2017-03-28 18:05:301459 近年來隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長，FRAM存儲器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來越多。似乎幾年前電子工程專輯的報道還傾向于把FRAM（那時候
2017-03-28 18:41:571055 本視頻主要內(nèi)容：介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性：低功耗，快速讀寫，高讀寫次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27951 與傳統(tǒng)非易失性存儲器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
選用存儲器時主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014
2018-06-02 02:46:0014464 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機(jī)存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309 FRAM 應(yīng)用介紹
2018-08-15 08:28:005742 MSP430 (5) FRAM家族成員具體特性
2018-08-02 01:04:005951 關(guān)鍵詞：FRAM , 存儲器 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01270 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532 FM24CL FRAM 存儲模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲
型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
相比于其他市場，汽車市場更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺，技術(shù)已相當(dāng)成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對此放心無憂 為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 
，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。接下來宇芯電子介紹關(guān)于非易失性FRAM中的預(yù)充電操作。 預(yù)充電是FRAM的內(nèi)部條件，在該條件下，存儲器被調(diào)適以進(jìn)行新的訪問。 FRAM設(shè)備中的預(yù)充電操作在以下任何條件下啟動： 1.驅(qū)動芯片使能信號/CE至高電平
2020-08-18 15:22:32721 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機(jī)存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓運(yùn)行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲器，它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166108 獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:001850 
不進(jìn)行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術(shù)和工作原理 FRAM是運(yùn)用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當(dāng)一個電場被加到鐵電晶體時，
2021-05-04 10:16:00515 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689 
開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規(guī)級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優(yōu)先存儲器選擇。 為什么這么說？這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開始說起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，
2021-05-11 17:17:09704 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計量系統(tǒng)中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場；隨著電子設(shè)備和存儲數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616 FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進(jìn)行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。富士通代理英尚微介紹富士通半導(dǎo)體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設(shè)計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
設(shè)計人員可以找到FRAM存儲器支持并行，SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如，連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通提供1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使設(shè)計人員能夠采用典型的SPI主/從配置（圖1）設(shè)備的任意數(shù)字。
2022-11-18 16:48:271466 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
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