目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
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4G移動(dòng)通信關(guān)鍵技術(shù)及特征是什么？
2021-05-26 06:37:46
5G關(guān)鍵技術(shù)從Massive MIMO開(kāi)始
2021-05-21 06:03:25
存儲(chǔ)器(Volatile memory)。于是，存儲(chǔ)器從大類(lèi)來(lái)分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。后來(lái)出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡(jiǎn)稱(chēng)閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
僅作為學(xué)習(xí)記錄，大佬請(qǐng)?zhí)^(guò)。這些東西都是存儲(chǔ)器關(guān)鍵詞：RAM和ROM兩大類(lèi)ROM——PROM、EPROM、E2PROM、FLASH1、RAM、ROM對(duì)電腦來(lái)說(shuō)，RAM是內(nèi)存，ROM是硬盤(pán)2、PROM
2021-12-10 06:46:06
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類(lèi)，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
發(fā)展迅速?！ ?、鐵電存儲(chǔ)器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫(xiě)速度快，成本低，讀寫(xiě)周期短。 技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發(fā)展迅速?！ ?、鐵電存儲(chǔ)器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫(xiě)速度快，成本低，讀寫(xiě)周期短。技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
DN17- 閃存存儲(chǔ)器的脈沖發(fā)生器編程
2019-07-01 06:58:01
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
ASON光網(wǎng)絡(luò)由哪幾部分組成？ASON網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)有哪些？ASON的亮點(diǎn)是什么？
2021-05-28 06:48:08
CDMA原理與關(guān)鍵技術(shù)
2012-08-16 20:25:45
物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的網(wǎng)絡(luò)特性是什么？CatNB和CatM有什么區(qū)別？CatM的關(guān)鍵技術(shù)有哪些？
2021-06-30 08:02:29
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
本文介紹了MIMO-OFDM技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù)，如信道估計(jì)、同步、分集技術(shù)和空時(shí)編碼等。
2021-05-27 06:05:59
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過(guò)現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見(jiàn)圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
McWiLL系統(tǒng)概述McWiLL系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)McWiLL系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)McWiLL系統(tǒng)的應(yīng)用
2020-11-24 06:57:16
什么是POE供電？POE供電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和拓展應(yīng)用POE以太網(wǎng)供電的關(guān)鍵技術(shù)
2020-12-24 07:00:59
使用以太網(wǎng)線供電的優(yōu)勢(shì)是什么？PoE設(shè)備是怎么供電的？POE的關(guān)鍵技術(shù)有哪些？
2021-06-10 09:26:50
SST26VF064B存儲(chǔ)器IoT設(shè)備設(shè)計(jì)需要考慮哪些問(wèn)題？非易失性存儲(chǔ)器怎么選擇？
2021-06-15 07:57:36
一.引言上一篇文章，博主給大家分享了VR一體機(jī)技術(shù)的發(fā)展歷程和現(xiàn)狀，本文接著給大家介紹VR一體機(jī)(All In One)涉及到的關(guān)鍵技術(shù)以及推薦下Qualcomm公司的一體機(jī)開(kāi)發(fā)平臺(tái)。二.技術(shù)覆蓋點(diǎn)
2018-09-21 10:51:27
WCDMA中的關(guān)鍵技術(shù)在網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃中的應(yīng)用是什么
2021-05-27 06:15:01
的一種常見(jiàn)方法。寫(xiě)入并非寫(xiě)入相同的閃存位置，而是均勻地分布在整個(gè)閃存半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列上，確保寫(xiě)入內(nèi)容在閃存矩陣中均勻分布。通過(guò)磨損均衡，當(dāng)微控制器寫(xiě)入物理存儲(chǔ)器中的單個(gè)位置時(shí)，閃存控制器可以將該
2019-07-30 11:19:18
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
二三層橋接為何是LTE承載的關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-24 07:17:37
什么是HarmonyOS？鴻蒙OS架構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)是什么？
2021-09-23 09:02:48
技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制，相變存儲(chǔ)器（PCM）就是其中一個(gè)最被業(yè)界看好的非易失性存儲(chǔ)器，具有閃存無(wú)法匹敵的讀寫(xiě)性能和升級(jí)能力。在室溫環(huán)境中，基于第六族
2019-06-26 07:11:05
`請(qǐng)問(wèn)印制電路板制造的關(guān)鍵技術(shù)有哪些？`
2020-01-13 16:30:35
多核DSP關(guān)鍵技術(shù)有哪些？多核DSP的應(yīng)用有哪些？主流多核DSP介紹
2021-04-21 06:10:10
你好，我在應(yīng)用中使用了PIC24FJ128GC06。我想用一頁(yè)的閃存（512字，1536字節(jié)）作為非易失性存儲(chǔ)區(qū)來(lái)存儲(chǔ)設(shè)置、配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。我知道如何使用TBLPTRS讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)內(nèi)存，以及
2018-10-19 16:08:12
，并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706／07能夠讀取來(lái)自非易失性存儲(chǔ)器。問(wèn)題：你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲(chǔ)到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一個(gè)數(shù)組保存到非易失性存儲(chǔ)器中，這樣我就可以通過(guò)電源周期來(lái)維護(hù)數(shù)據(jù)。我已經(jīng)看到EEPROM模塊，并考慮使用這一點(diǎn)，但我不確定這個(gè)模塊的操作。我試圖做到以下幾點(diǎn)：我想保存到非易失性存儲(chǔ)器陣列
2019-07-24 13:39:00
大多數(shù)汽車(chē) MCU 具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的典范，但關(guān)于嵌入式
2020-08-14 09:31:37
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類(lèi)RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類(lèi)易失性存儲(chǔ)器： 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器：掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較慢機(jī)械硬盤(pán)RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
業(yè)界為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)邁出了重要步驟，為2018年有可能成為物聯(lián)網(wǎng)真正起飛的一年鋪平了道路。以下是去年推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的十大關(guān)鍵技術(shù)。
2020-10-23 10:02:04
數(shù)字家庭網(wǎng)絡(luò)提供的業(yè)務(wù)類(lèi)別以及需求有哪些？數(shù)字家庭網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵技術(shù)是什么？
2021-05-26 06:20:16
`新能源汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)`
2016-05-12 10:34:03
無(wú)人駕駛分級(jí)無(wú)人駕駛汽車(chē)關(guān)鍵技術(shù)
2021-01-21 07:13:47
無(wú)人駕駛汽車(chē)開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵技術(shù)主要有兩個(gè)方面:車(chē)輛定位和車(chē)輛控制技術(shù)。這兩方面相輔相成共同構(gòu)成無(wú)人駕駛汽車(chē)的基礎(chǔ)。
2020-03-18 09:02:01
隨著人工智能技術(shù)的不斷發(fā)展，越來(lái)越多的行業(yè)開(kāi)始使用人工智能技術(shù)，這也使得智能虛擬代理技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用。為了能夠深入了解智能虛擬代理技術(shù)，需要明白VPP關(guān)鍵技術(shù)有哪些。深入了解VPP關(guān)鍵技術(shù)有
2021-08-31 07:28:16
智能通信終端有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:04:20
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)及其發(fā)展
2012-08-14 00:19:20
物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)————傳感器技術(shù)
2020-06-16 17:25:07
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
由于視覺(jué)導(dǎo)航技術(shù)的應(yīng)用越來(lái)越普及 ,因此 ,有必要對(duì)視覺(jué)導(dǎo)航中的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)行研究。文章對(duì)其中的圖像處理技術(shù)和定位與跟蹤技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)研究 ,并與此相對(duì)應(yīng) ,介紹的相關(guān)的應(yīng)用。
2023-09-25 08:09:38
LTE有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-21 06:14:07
軟件無(wú)線電是最近幾年提出的一種實(shí)現(xiàn)無(wú)線電通信的體系結(jié)構(gòu) ,是繼模擬到數(shù)字、固定到移動(dòng)之后 ,無(wú)線通信領(lǐng)域的又一次重大突破。并從軟件無(wú)線電的基本概念出發(fā) ,討論了其功能結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵技術(shù)和難點(diǎn)以及應(yīng)用和發(fā)展前景。
2019-07-01 06:46:26
摘要：認(rèn)為遠(yuǎn)端射頻模塊（RRU）包含收發(fā)信機(jī)（TRX）、功放、射頻（RF）算法、濾波器、天線五大專(zhuān)有關(guān)鍵技術(shù)方向。其中TRX主要聚焦高集成、低功耗、大帶寬技術(shù)；功放及算法主要聚焦高效率低成本技術(shù)
2019-06-18 08:19:37
。RAM類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
。RAM類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口特征密集–128 Mbits（16 Mbytes）–256
2023-02-16 15:05:41
多電平快閃存儲(chǔ)器技術(shù)及其未來(lái)發(fā)展王殿超1 潘亮2（1 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院 廣州 5106402 北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司北京 100015）摘要： 多電平單元（MLC
2009-12-19 15:24:44
22 文章中簡(jiǎn)要介紹了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展歷程，詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲(chǔ)器的技術(shù)關(guān)鍵詞：IP SOC 存儲(chǔ)器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732 摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展潛力存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 Flash閃存有哪些類(lèi)型
Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器，這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說(shuō)的。即存儲(chǔ)器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 非易失性存儲(chǔ)器的可配置性
隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開(kāi)發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高
2010-05-12 09:56:06843 
本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展潛力的新型非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28983 隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷演進(jìn)，芯片的晶體管的密集度屢創(chuàng)新高之際，同步也朝向更省電的發(fā)展推進(jìn)，旺宏電子（Macronix）自推出業(yè)界最快的SPI NOR Flash系列存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以500MB/s傳輸
2018-01-02 10:06:391443 汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。
2018-04-29 11:02:007701 
現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 今年的閃存峰會(huì) (FMS, Flash Memory Summit ) 重點(diǎn)關(guān)注的是非易失性存儲(chǔ)器 Express (NVMe)、架構(gòu)端非易失性存儲(chǔ)器 (NVMe-oF)、永久存儲(chǔ)器等前沿的存儲(chǔ)器
2018-09-25 17:09:01191 非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類(lèi)。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類(lèi)。
2019-04-07 14:33:008357 主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲(chǔ)器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲(chǔ)
2020-04-03 15:01:30664 本文主要介紹了云存儲(chǔ)的應(yīng)用領(lǐng)域及云存儲(chǔ)的關(guān)鍵技術(shù)。
2020-04-30 14:51:585695 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類(lèi)型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 
經(jīng)常有人將MRAM稱(chēng)作是非易失性存儲(chǔ)器（NVRAM）未來(lái)的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 SRAM為數(shù)據(jù)訪問(wèn)和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:121516 
非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:20:486 非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:30:0915 FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134 非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-10 09:46:242 Cypress憑借在分立存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域近40年的經(jīng)驗(yàn)，以同類(lèi)最佳的存儲(chǔ)器產(chǎn)品、解決方案和技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)。于1982年推出第一款隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，并從這個(gè)吉祥的開(kāi)端發(fā)展為涵蓋NOR閃存、pSRAM
2021-06-25 09:08:512574 
FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FM25V02A是使用高級(jí)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫(xiě)操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:082426 閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱(chēng)閃存(Flash)，是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見(jiàn)圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，也就是大家常說(shuō)的內(nèi)存。今天，我們?cè)賮?lái)看看半導(dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲(chǔ)器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤(pán)、SSD硬盤(pán)等）。
2022-10-13 09:24:131347 的哈佛機(jī)器。MAXQ器件包含實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)的硬件，允許方便地訪問(wèn)代碼空間作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。這種額外的多功能性，結(jié)合MAXQ提供存儲(chǔ)器寫(xiě)和擦除服務(wù)的實(shí)用功能，為完整的讀寫(xiě)、非易失性存儲(chǔ)器子系統(tǒng)提供了背景。
2023-03-03 14:48:48454 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28878 如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507
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