RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一加7T官方渲染圖發(fā)布,采用第四代AG玻璃工藝

牽手一起夢 ? 來源:郭婷 ? 作者:新浪科技 ? 2019-09-18 16:06 ? 次閱讀

一加科技CEO、一加手機創(chuàng)始人劉作虎今晚在微博公布了即將發(fā)布的一加7T的官方渲染圖,稱該機采用全新的設計和第四代AG玻璃工藝。

渲染圖只展示了手機的背面,圖片顯示該機后置三攝,攝像頭和閃光燈位于一個圓形的模塊中,整個模塊凸起于機身。

另外,劉作虎還在一加論壇發(fā)文專門詳解了一加7T的設計,稱在即將發(fā)布的新品上,帶來了新的AG玻璃的鍍膜工藝,手機后殼上會呈現(xiàn)更靈動曼妙的光影,有波光粼粼的感覺。

劉作虎還稱,在嘗試了多種鏡頭排布設計方案后,圓形成為了我們自然而然的選擇,這樣從任何方向看都能實現(xiàn)完美對稱。圓形的弧度與手機邊框的棱線形成強烈的對比,能給人一種美觀、和諧、平衡的感覺。

值得一提的是,上面劉作虎放出的輪廓圖顯示一加7T正面疑似采用了水滴屏設計。

目前的傳聞顯示一加7T系列將搭載高通驍龍855+處理器,電池有所增加,Pro中的從4,000mAh增加至4,085mAh,普通版從3,700mAh增加至3,800mAh。

另外,官方已經(jīng)證實,一加7T將全系搭載90Hz屏幕。

一加公司昨天宣布,一加7T系列手機將于9月26日在印度和北美發(fā)布。該系列預計將包括兩個機型,一加7T和7T Pro,9月26日發(fā)布之后,一加還將于10月10日在倫敦舉行第三場活動,屆時會發(fā)布更多新品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 處理器
    +關注

    關注

    68

    文章

    19259

    瀏覽量

    229651
  • 高通驍龍
    +關注

    關注

    7

    文章

    1227

    瀏覽量

    43317
  • 一加
    +關注

    關注

    1

    文章

    964

    瀏覽量

    27995
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問世

    意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導體還針對
    的頭像 發(fā)表于 10-12 11:30 ?532次閱讀

    意法半導體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)

    意法半導體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要步。此次推出的第四代技術(shù),在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場標桿,將為汽車和工業(yè)市場帶
    的頭像 發(fā)表于 10-10 18:27 ?679次閱讀

    SK啟方半導體推出第四代0.18微米BCD工藝

    韓國知名8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體宣布,其自主研發(fā)的第四代0.18微米BCD工藝已正式面世,較上一代工藝性能提升約20%。這創(chuàng)新成果不僅彰顯了SK啟方在半導體技術(shù)領域的深厚積累
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:54 ?635次閱讀

    富士康,布局第四代半導體

    能,為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。 第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優(yōu)異的性能,被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8 MV/cm) 等特性,較現(xiàn)有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 10:59 ?411次閱讀

    亞馬遜網(wǎng)絡服務即將推出第四代Graviton處理器

    7月10日,雅虎財經(jīng)獨家報道了亞馬遜網(wǎng)絡服務(AWS)即將推出的重大技術(shù)進展——其第四代Graviton處理器,即Graviton4芯片。這重要信息由AWS的計算與人工智能產(chǎn)品管理總監(jiān)拉胡爾·庫爾卡尼在德克薩斯州奧斯汀的亞馬遜
    的頭像 發(fā)表于 07-10 15:51 ?614次閱讀

    capsense第四代和第五在感應模式上的具體區(qū)別是什么?

    據(jù)我所知,第五capsense相比第四代將電容(包括自電容+互電容技術(shù))和電感觸摸技術(shù)集成到了起,snr信噪比是上一代的十多倍,同時功耗僅是上
    發(fā)表于 05-23 06:24

    Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

    Vishay公司近日重磅推出了款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù),標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這
    的頭像 發(fā)表于 05-14 15:33 ?641次閱讀

    國民技術(shù)第四代可信計算芯片NS350投入量產(chǎn)

    國民技術(shù)近日正式推出了其第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列,并已開始量產(chǎn)供貨。這款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯片,能夠滿足PC、服務器平臺和嵌入式系統(tǒng)等不同領域的需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-13 15:17 ?1390次閱讀

    Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

    Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 05-10 11:47 ?951次閱讀
    Vishay推出<b class='flag-5'>采用</b>PowerPAK 8x8LR封裝的<b class='flag-5'>第四代</b>600 VE系列功率MOSFET

    禾賽正式發(fā)布基于第四代芯片架構(gòu)的超廣角遠距激光雷達ATX

    ATX是款平臺型產(chǎn)品,沿用AT平臺并搭載第四代芯片架構(gòu),升級了光機設計和激光收發(fā)模塊。
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:49 ?678次閱讀

    國民技術(shù)第四代可信計算芯片NS350正式投入量產(chǎn)

    2024年4月18日,國民技術(shù)第四代可信計算芯片NS350v32/v33系列產(chǎn)品正式發(fā)布并開始量產(chǎn)供貨。NS350v32/v33是款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0(TCM2.0)安全芯片
    的頭像 發(fā)表于 04-19 08:24 ?808次閱讀
    國民技術(shù)<b class='flag-5'>第四代</b>可信計算芯片NS350正式投入量產(chǎn)

    國民技術(shù)第四代可信計算芯片NS350正式投入量產(chǎn)!

    2024年4月18日,國民技術(shù)第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列產(chǎn)品正式發(fā)布并開始量產(chǎn)供貨。NS350 v32/v33是款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0 (TCM 2.0)安全芯片,適用于PC、服務器平臺
    的頭像 發(fā)表于 04-18 16:22 ?717次閱讀
    國民技術(shù)<b class='flag-5'>第四代</b>可信計算芯片NS350正式投入量產(chǎn)!

    新品發(fā)布!國民技術(shù)第四代可信計算芯片NS350正式投入量產(chǎn)

    2024年4月18日,國民技術(shù)第四代可信計算芯片 NS350 v32/v33系列產(chǎn)品正式發(fā)布并開始量產(chǎn)供貨 。NS350 v32/v33是款 高安全、高性能、超值 可信密碼模塊2.0 (TCM
    發(fā)表于 04-18 15:06 ?1516次閱讀
    新品<b class='flag-5'>發(fā)布</b>!國民技術(shù)<b class='flag-5'>第四代</b>可信計算芯片NS350正式投入量產(chǎn)

    SK海力士擬將無錫C2工廠升級為第四代D-ram工藝,并引進EUV技術(shù)

    Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程,隨后將芯片運回韓國總部利川園區(qū)進行EUV處理,最后送回無錫工廠進行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需層使用EUV
    的頭像 發(fā)表于 01-16 14:06 ?1076次閱讀

    高通公布第四代驍龍座艙平臺

    在2024年的CES展會上,高通公司公布了其最新的第四代驍龍座艙平臺。這新平臺旨在滿足汽車廠商對于打造獨特、差異化和品牌化體驗的需求。
    的頭像 發(fā)表于 01-11 14:27 ?824次閱讀
    RM新时代网站-首页