RM新时代有PAGCOR认证,rm官网怎么登录

儒卓力推出了一款具有高功率密度和高效率的MOSFET器件

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。

SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開關(guān)相關(guān)的功率損耗。

與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測(cè)試，符合RoHS要求且不含鹵素。

這款N-Channel MOSFET的應(yīng)用包括AC/DC 電源中的同步整流；面向電信、服務(wù)器和醫(yī)療設(shè)備的DC/ DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)和次級(jí)側(cè)開關(guān)；用于服務(wù)器和電信設(shè)備中電壓調(diào)節(jié)的半橋功率級(jí)和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器；電信和服務(wù)器電源中的OR-ing功能；用于開關(guān)電容器或開關(guān)柜轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)；電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備中的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制；以及電池管理模塊中的電池保護(hù)和充電。

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。舉報(bào)投訴

MOSFET器件

MOSFET器件

+關(guān)注

關(guān)注
0

文章
18

瀏覽量
9127
儒卓力

儒卓力

+關(guān)注

關(guān)注
0

文章
35

瀏覽量
12186

評(píng)論

相關(guān)推薦

PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)

PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對(duì)較小的尺寸上輸出更大的功率。在當(dāng)下眾多需

發(fā)表于 12-19 16:15 ?76次閱讀

PD快充芯片U8608凸顯<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>優(yōu)勢(shì)

揭秘超高功率密度LED器件中的星技術(shù)

超高功率密度LED是大功率LED的細(xì)分領(lǐng)域，憑借小體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)高亮照明、高可靠性及長壽命等優(yōu)勢(shì)，逐漸在車用照明、車載HUD、舞臺(tái)照明、特種照明等多個(gè)領(lǐng)域嶄露頭角，為市場(chǎng)帶來了更智能、更便攜、更高效

發(fā)表于 12-05 11:40 ?185次閱讀

揭秘超高<b class='flag-5'>功率密度</b>LED<b class='flag-5'>器件</b>中的星技術(shù)

揚(yáng)杰科技推出全新SiC MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品，產(chǎn)品均采用開爾文接觸，明顯減少了開關(guān)時(shí)間，降低了開關(guān)損耗，支持更高頻率的應(yīng)用與動(dòng)態(tài)響應(yīng)；同時(shí)相比插腳器件降低了電路板空間，增加了電路板的集成化，非常適合應(yīng)用于

發(fā)表于 11-27 14:15 ?214次閱讀

揚(yáng)杰科技<b class='flag-5'>推出</b>全新SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)品

一款高功率、高增益、高效率的功率放大器分享

一、概述一款高功率、高增益、高效率的功率放大器，采用先進(jìn)的GaAs HBT工藝。它被設(shè)計(jì)用于9

發(fā)表于 11-11 11:25 ?292次閱讀

<b class='flag-5'>一款</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>、高增益、<b class='flag-5'>高效率</b>的<b class='flag-5'>功率</b>放大器分享

供應(yīng)ETA8322 是一款寬輸入范圍、高效率和高頻 DC-DC 降壓開關(guān)穩(wěn)壓器

描述 ETA8322是一款寬輸入范圍、高效率和高頻的DC-to-DC降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，能夠提供高達(dá)2A的輸出電流。它采用自適應(yīng)COT（Constant On-Time）控制方案，能夠?qū)崿F(xiàn)非常快速的瞬態(tài)

發(fā)表于 11-11 10:26

60V_5A高效同步降壓恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)置高低側(cè)MOSFET功率，具有精準(zhǔn)PWM調(diào)光功能

概述：PC1253 是一款高效率、同步降壓恒流 LED驅(qū)動(dòng)芯片，可在 7~60V 輸入電壓范圍內(nèi)工作。芯片集成高側(cè)功率 MOSFET，并配

發(fā)表于 07-25 15:12

GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率器件，具有高

發(fā)表于 07-14 11:39 ?1242次閱讀

24V/8A大功率低功耗高效率同步整流升壓芯片

一、概述：PC5248芯片是一款具有 600KHz的自動(dòng)調(diào)節(jié)頻率、高效率、寬輸入范圍的電流模式升壓（BOOST）芯片，且具有

發(fā)表于 05-16 17:04

Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列

發(fā)表于 05-14 15:33 ?641次閱讀

Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高

發(fā)表于 05-10 11:47 ?950次閱讀

基本半導(dǎo)體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

BMF240R12E2G3是基本半導(dǎo)體為更好滿足工業(yè)客戶對(duì)高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅

發(fā)表于 04-11 09:22 ?987次閱讀

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET

發(fā)表于 03-14 11:07 ?749次閱讀

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢？

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全橋 SiC

發(fā)表于 03-13 10:34 ?1862次閱讀

大聯(lián)大推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案

2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW

發(fā)表于 01-05 09:45 ?681次閱讀

SD6304：一款高效率低功耗IC升壓變換器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SD6304：一款高效率低功耗IC升壓變換器.pdf》資料免費(fèi)下載

發(fā)表于 12-27 09:52 ?0次下載