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7月3日，2020慕尼黑上海電子展盛大開幕，作為慕尼黑展唯一的視頻直播合作方，<電子發(fā)燒友>在展會期間，通過現(xiàn)場直播方式采訪了5G領(lǐng)域內(nèi)眾多企業(yè)，就相關(guān)的行業(yè)、技術(shù)、市場和產(chǎn)品等話題進行了廣泛的交流。

作為國內(nèi)存儲芯片的重要廠商之一，東芯半導體在汽車存儲、5G基站存儲和物聯(lián)網(wǎng)應用的存儲上頗有建樹。7月4日，東芯半導體副總經(jīng)理陳磊接受了<電子發(fā)燒友>的獨家專訪，對5G基站和物聯(lián)網(wǎng)應用市場的存儲技術(shù)和市場趨勢進行了前瞻。

圖：東芯半導體副總經(jīng)理陳磊

東芯半導體作為國內(nèi)存儲IC芯片設計的重要廠商之一，如何前瞻存儲芯片在5G和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的市場前景和趨勢是怎樣的？

陳磊：最近兩年，5G和物聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展推動存儲器的市場發(fā)展。以物聯(lián)網(wǎng)、5G、人工智能和大數(shù)據(jù)中心等為重點的新基建應用，都需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲芯片作為各種大大小小的數(shù)據(jù)站點，且數(shù)據(jù)站點的需求在不斷擴大，為云端大數(shù)據(jù)或者終端點應用的基礎(chǔ)儲存?zhèn)}庫。

左：電子發(fā)燒友執(zhí)行副主編章鷹 右：東芯半導體副總經(jīng)理陳磊

2020年，5G宏基站相比4G基站，密度更大，5G宏基站對存儲器提出了更多的性能要求。尤其這種大容量FLASH在5G基站的AAU上面的應用。在存儲容量上，從512Mb上升1Gb，甚至2Gb的容量。5G宏基站也增加對SLC NAND需求，還有TWS耳機為代表的可穿戴產(chǎn)品對NOR Flash的需求增長明顯。主要需求集中在1.8V NOR Flash部分。

2020年，5G手機出貨量大增，三大運營商計劃部署55萬站5G基站，貴司主攻Nand Flash閃存和NOR Flash閃存主攻5G應用的哪些領(lǐng)域？在5G+物聯(lián)網(wǎng)市場實現(xiàn)了哪些突破？

陳磊：5G基站對高容量的NOR Flash需求大，東芯半導體已經(jīng)研發(fā)1Gb的大容量SPI NOR Flash。物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，東芯推出了1.8V低功耗的SPI NOR Flash，容量可以涵蓋32Mb至256Mb，主要應用在TWS耳機、智能手環(huán)、智能手表等可穿戴設備上。

作為國內(nèi)中小容量存儲芯片企業(yè)，東芯半導體產(chǎn)品聚焦在以2D SLC NAND, 低功耗的中高容量NOR FLASH和NAND MCP為主。目前在合作伙伴中芯國際的生產(chǎn)線上，已經(jīng)實現(xiàn)了38納米和24納米NAND FLASH的量產(chǎn)。作為最新的工藝節(jié)點，我們也正在努力開發(fā)1x納米NAND FLASH工藝技術(shù)。明年我們會繼續(xù)在48nm的工藝上開發(fā)512Mb，乃至1Gb的SPI NOR FLASH。

憑借自主研發(fā)的態(tài)度，努力為產(chǎn)品的性能進行不斷調(diào)整提升，東芯半導體現(xiàn)在的存儲器產(chǎn)品已經(jīng)從5G接入網(wǎng)的終端進入到核心網(wǎng)，骨干網(wǎng)和5G宏基站內(nèi)部。為國內(nèi)的電信級設備提供了完全國產(chǎn)化的存儲器產(chǎn)品。

在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域、汽車和手機存儲市場，目前中國市場的痛點是什么？

陳磊：汽車市場需求的存儲器，門檻就是高可靠性要求。普通消費電子需求的存儲器產(chǎn)品標準在100PPM到200PPM左右，這個標準在汽車上是不允許，汽車要求的存儲產(chǎn)品標準達到PPB級別，即10億顆才能出現(xiàn)的錯誤，而PPM是百萬顆的標準，汽車電子對產(chǎn)品的長期供貨要求嚴苛，要求10-15年產(chǎn)品的長期供貨能力。這對東芯半導體生產(chǎn)周期構(gòu)成大的挑戰(zhàn)。

在數(shù)據(jù)中心等大規(guī)模的IDC，目前的DDR4, 未來的DDR5將給數(shù)據(jù)中心帶來更高的帶寬。大容量的SSD使用的3D NAND還基本都是以韓國，美國和日本的供應商為主。在大容量存儲芯片領(lǐng)域，國內(nèi)供應商和境外大廠相比，在技術(shù)和生產(chǎn)工藝端還有著不少的差距。例如3D NAND，國內(nèi)目前能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品跟國外知名企業(yè)可能還存在1~2代的技術(shù)差距。未來的挑戰(zhàn)可能更偏重在存儲容量的提升和制造工藝技術(shù)的累積。

汽車級的存儲器目前國內(nèi)公司涉足的還非常的少，主要原因還是在于設計能力，長期穩(wěn)定的工藝配套，和長時間的供應能力。手機存儲還是以大容量，低功耗為訴求。

目前，東芯半導體的產(chǎn)品已經(jīng)開始涉足汽車級的產(chǎn)品，公司已經(jīng)在開發(fā)符合AEC Q100規(guī)范的SLC NAND，也開始下一代低功耗DRAM的產(chǎn)品，相信我們的LPD4x的產(chǎn)品將會面世，配合我們先進工藝的SLC NAND在5G的物聯(lián)網(wǎng)時代為客戶帶來更高性能，更具性價比的存儲器產(chǎn)品。

東芯半導體在慕尼黑展帶來哪些重磅產(chǎn)品發(fā)布？

陳磊：在慕尼黑上海電子展會上，東芯半導體不僅帶來了量產(chǎn)的38nm的SLC NAND, SPI NAND, 65nm的低功耗1.8v SPI NOR，NAND MCP還有下一代的明星產(chǎn)品：24nm SLC NAND, 28nm SPI NAND和48nm的1.8v 256Mb SPI NOR FLASH。

東芯半導體在存儲領(lǐng)域的哪些創(chuàng)新技術(shù)和解決方案解決了市場的痛點？

陳磊：目前，東芯半導體產(chǎn)品有四大類。首先，東芯已經(jīng)量產(chǎn)65nm SPI NOR FLASH，2020年下半年將會量產(chǎn)的48nm SPI NOR FLASH，東芯的48nm制程相較上一代65nm產(chǎn)品有更高密度的集成，于是對于同等容量的存儲芯片來說，Die size也就更小，大幅提高了成本優(yōu)勢，相較65nm來說，成本有顯著的下降。同時，我們還可以給用戶需求提供小型的封裝。

新產(chǎn)品繼續(xù)支持標準SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基礎(chǔ)上，增加了DTR傳輸模式，即在時鐘上升沿和下降沿都可以進行數(shù)據(jù)輸出，相較于之前STR的單時鐘邊沿采樣，同樣的頻率下，有了雙倍的傳輸速率，進一步提高了數(shù)據(jù)訪問的效率。

其次，東芯半導體量產(chǎn)了 38nm的SLC NAND FLASH，未來將會量產(chǎn)24nm SLC NAND，這是目前國內(nèi)最先進工藝的SLC NAND。主要應用在光貓、路由器、4G模塊上。這些旗艦產(chǎn)品都是東芯半導體自主研發(fā)，擁有完全知識產(chǎn)權(quán)，可以給國內(nèi)客戶提供全國產(chǎn)化的器件。

最新推出的28nm SPI NAND FLASH, 兼容1.8V/3.3V供電電壓, 我們在設計產(chǎn)品時，通過金屬層選項的改變，可與靈活在這兩個供電電壓之間切換，從而適用于大多數(shù)的商用產(chǎn)品。東芯半導體的SPI NAND和國內(nèi)的大多數(shù)公司采用通過外接控制器，從而實現(xiàn)單口，雙口，四口的接口模式是截然不同的。

東芯的SPI NAND FLASH都是內(nèi)置4比特/8比特ECC技術(shù)，先進的內(nèi)置ECC模塊能極大的提高產(chǎn)品的可靠性，保證產(chǎn)品的容錯率，大多數(shù)公司使用外置的ECC模塊并封裝在一起，但是這樣增加了芯片的面積以及CP測試時間。

第三、DRAM產(chǎn)品，包括DDR3和Low Power DRAM，主要以NAND MCP產(chǎn)品形式封裝。第四部分，NAND MCP產(chǎn)品，主要是交付功能手機，4G和5G模塊的物聯(lián)網(wǎng)客戶。

2020年下半年，東芯半導體在主要存儲業(yè)務線的增長目標是怎樣的？

陳磊：今年上半年，東芯半導體業(yè)務健康發(fā)展，受惠于國內(nèi)疫情的快速控制，海外疫情的分階段發(fā)展，東芯半導體調(diào)整了生產(chǎn)的節(jié)奏，在海外市場受到影響的情況下，大力開拓國內(nèi)市場。6月以來，海外市場逐步打開，東南亞市場、歐美市場向公司敞開了大門，2020年下半年客戶的需求向好。

疫情對公司未來運營會產(chǎn)生影響，東芯半導體聚焦提升核心競爭力應對未來客戶需求。上半年，公司的SPI NAND FLASH產(chǎn)品已經(jīng)服務覆蓋了全國所有的網(wǎng)絡通訊類的客戶，1.8v SPI NOR FLASH取得了幾個關(guān)鍵客戶的設計。除此之外，公司的NAND MCP產(chǎn)品在國內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)市場開始嶄露頭角，得到了國內(nèi)主要模塊廠商的設計案例。

基于28nm SPI NAND FLASH和48nm SPI NOR FLASH，東芯半導體下半年可以給客戶提供更有優(yōu)勢的產(chǎn)品。我們希望可以在去年的基礎(chǔ)上實現(xiàn)業(yè)績的成倍增長。

請介紹一下，貴公司存儲產(chǎn)品在5G領(lǐng)域應用的成功案例？

陳磊：公司的4Gb/8Gb SLC NAND已經(jīng)取得了國內(nèi)領(lǐng)先的5G宏基站供應商的認可，已經(jīng)開始量產(chǎn)供應。以往東芯半導體的NAND主要用于客戶的接入網(wǎng)、個人和家庭的光貓、路由器，今年東芯半導體的高容量NAND進入5G核心網(wǎng)。

5G宏基站的部署條件非常復雜，在我們和客戶交流后，基站部署橫跨高熱高潮濕度的地域，也部署在北方低溫、干燥的環(huán)境中，還有部署在布滿粉塵等惡劣的環(huán)境下，5G基站信號要做到7*24*365天，器件要求高過車規(guī)要求。通過研發(fā)工程師和客戶做過技術(shù)對接后，做了客制化的開發(fā)，得到國內(nèi)中芯國際北京、國內(nèi)封裝測試廠的支持，目前在合作伙伴中芯國際的生產(chǎn)線上，已經(jīng)實現(xiàn)了38納米和24納米NAND FLASH的量產(chǎn)。這些器件滿足工業(yè)寬溫（105C）的要求，和符合車規(guī)AEC Q100的SLC NAND FLASH產(chǎn)品。

憑借自主研發(fā)的態(tài)度，努力為產(chǎn)品的性能進行不斷調(diào)整提升，東芯半導體現(xiàn)在的存儲器產(chǎn)品已經(jīng)從接入網(wǎng)的終端進入到核心網(wǎng)，骨干網(wǎng)和5G宏基站內(nèi)部。為中國的電信級設備提供了完全國產(chǎn)化的存儲器產(chǎn)品。

作為最新的工藝節(jié)點，東芯也正在努力開發(fā)1x納米NAND FLASH工藝技術(shù)。東芯的低功耗1.8v的SPI NOR FLASH容量可以涵蓋32Mb至256Mb，明年我們會繼續(xù)在48nm的工藝上開發(fā)512Mb，乃至1Gb的SPI NOR FLASH。