韓國半導(dǎo)體已經(jīng)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中占據(jù)了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年（1H20）全球十大半導(dǎo)體銷售排名中，韓國廠商就占了兩個名額，分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。

三星和SK海力士是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的名片，但如果將這兩者分開來看，我們發(fā)現(xiàn)，韓國半導(dǎo)體內(nèi)部也存在著一些競爭。

三星與SK海力士之間的纏斗

受惠于韓國政府于1973年推出的“重工業(yè)促進(jìn)計劃”（HCI促進(jìn)計劃）以及1975年推出的扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的六年計劃，三星和SK海力士在韓國財團(tuán)的支持下，開始向半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展。在他們在建立其本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的過程當(dāng)中，存儲是他們布局的重點，這也是三星和SK海力士在半導(dǎo)體行業(yè)開疆拓土的原始“武器”。

從三星和SK海力士發(fā)展的上看，三星比SK海力士成立的時間早（三星于1974年宣布進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域，而SK海力士的前身現(xiàn)代電子則是成立于1983年，2001年海力士從現(xiàn)代集團(tuán)中獨立， 2012年，更名為SK海力士）。SK海力士雖起步晚，但這兩者在DRAM領(lǐng)域上的進(jìn)展卻不相上下——1985年，三星和SK海力士都量產(chǎn)了256k DRAM；1992年兩者皆開發(fā)出了64M DRAM。

64M DRAM的推出，也意味著三星和SK海力士追上了當(dāng)時DRAM領(lǐng)先廠商的步伐，至此以后，三星和SK海力士開始在存儲領(lǐng)域嶄露頭角，并開始了相互之間的競爭——1994年8月，三星超過日本和美國，率先推出了256M DRAM。次年，SK海力士首次開發(fā)出了256M的SDRAM。2005年，三星開發(fā)出了業(yè)界先進(jìn)的DDR3 SDRAM，2007年，SK海力士的DDR3 DRAM搶先獲得了英特爾產(chǎn)品認(rèn)證。

進(jìn)入到新世紀(jì)后，應(yīng)用于消費領(lǐng)域的存儲芯片需求開始增加，于是針對移動領(lǐng)域的DRAM的競爭開始了——2011年，三星開始大規(guī)模生產(chǎn)30納米級4Gb移動DRAM （LPDDR2）；2013年，SK海力士開發(fā)了20納米級的6Gb LPDDR3；2014年，三星開始大規(guī)模生產(chǎn)20 納米級8Gb移動 DRAM （LPDDR4）；2015年，SK海力士推出了商品化的8Gb LPDDR4。

隨著時間的推移，存儲產(chǎn)品也發(fā)生了改變，NAND的出現(xiàn)也同樣成為了三星和SK海力士相互較勁的新領(lǐng)域——2002年，三星開發(fā)出了90納米級 2Gb NAND 閃存，兩年后，SK海力士也成功開發(fā)了其NAND閃存。

而后，NAND技術(shù)也出現(xiàn)了變化，從2D向3D的轉(zhuǎn)變，也成為了新的競爭點——2013年，三星推出了業(yè)內(nèi)首款3D堆疊式結(jié)構(gòu)NAND閃存并開始量產(chǎn)（V—NAND）；隨后，SK海力士也在3D NAND上有所突破。在接下來的幾年中，三星接連推出了32層、48層、64層、128層產(chǎn)品，SK海力士則陸續(xù)發(fā)布了36層、48層、96層以及128層產(chǎn)品。

SK海力士在存儲領(lǐng)域的反擊

在SK海力士和三星的你追我趕中，他們早已在多個細(xì)分存儲芯片領(lǐng)域上站穩(wěn)了腳跟。

根據(jù)ChinaFlashMarket發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，在2020年Q2 DRAM市場排名中，三星以43.5%的市占依然排名第一，SK海力士則以市占30.3%排名第二。

另外，根據(jù)TrendForce的最新數(shù)據(jù)顯示，從2020年Q1季度NAND市場的營收來看，三星以45億美元的營收居于首位，而SK海力士則以14.4億美元居于第五位。

從這兩方面來看，SK海力士無論是在營收上還是在市占率均低于三星。但如今半導(dǎo)體市場環(huán)境出現(xiàn)了變化，加之新興領(lǐng)域的崛起也為眾多半導(dǎo)體廠商帶來了新的發(fā)展機(jī)遇，在這種情況下，SK海力士也在積極地尋求突破，而存儲似乎也是他們準(zhǔn)備發(fā)力的一個領(lǐng)域。

于是，我們看到，今年10月，SK海力士與英特爾雙雙宣布，SK海力士以90億美元收購英特爾閃存業(yè)務(wù) 。TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處指出，此合并案將可望令兩家公司在enterprise SSD領(lǐng)域發(fā)揮綜效，并開啟NAND Flash產(chǎn)業(yè)整并序幕。

從數(shù)據(jù)上看，根據(jù)英國調(diào)查公司Omdia公布的調(diào)查報告顯示，SK海力士（9.9％）和英特爾（9.5％）的市場份額加起來，將超過居第2位的鎧俠（19.0％），僅次于三星（35.9％）。按照這個數(shù)據(jù)來看，即使SK海力士完成了收購，在市場份額上他仍與三星具有較大的差距。但從另外一方面來看，SK海力士通過此舉成功躋身NAND領(lǐng)域第二位，這似乎也在是向龍頭企業(yè)發(fā)出挑戰(zhàn)。

在前不久SK海力士的第三季度財報上，公司還針對NAND領(lǐng)域進(jìn)行了展望——據(jù)Businesskorea報道顯示，公司將在未來三年內(nèi)確保NAND細(xì)分市場的自我維持業(yè)務(wù)能力，并在五年內(nèi)使公司的NAND銷售額達(dá)到收購前的兩倍以上。

多領(lǐng)域布局，尋求突破

眾所周知，以三星和SK海力士為代表的韓國半導(dǎo)體企業(yè)正在試圖逐漸減弱對存儲產(chǎn)品的依賴。

為此，三星不僅在先進(jìn)制程上加大了投資研發(fā)力度來搶奪晶圓代工市場，還試圖在CIS領(lǐng)域挑戰(zhàn)行業(yè)龍頭日本索尼的地位。而這兩個領(lǐng)域，同樣也是SK海力士用以減弱對存儲產(chǎn)品依賴的途徑。

在晶圓代工方面，2017年5月，三星正式宣布將晶圓代工業(yè)務(wù)部門獨立出來，成為一家純晶圓代工企業(yè)，并計劃在未來5年內(nèi)取得芯片代工市場25%的份額。在接下來的幾年中，三星作為為數(shù)不多的還在致力于10nm工藝以下先進(jìn)制程研發(fā)的晶圓代工廠之一，在該領(lǐng)域上已經(jīng)取得了一定的成績，穩(wěn)居晶圓代工行業(yè)第二的位置，并還在試圖挑戰(zhàn)行業(yè)龍頭臺積電的地位（從最新的消息上看，據(jù)相關(guān)媒體報道顯示，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的高管日前曾透露，三星計劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝。而按照這個進(jìn)度上看，三星或?qū)⒃缬谂_積電推出3nm工藝）。

就在三星獨立其晶圓代工部門的同年，SK海力士也將其旗下晶圓代工業(yè)務(wù)正式分拆成為獨立的事業(yè)部，并命名為SK 海力士System IC，服務(wù)對象為沒有晶圓廠的IC 設(shè)計商，分拆晶圓代工業(yè)務(wù)主要目的是想強(qiáng)化這方面的競爭力。與三星致力于先進(jìn)工藝的目標(biāo)不同的是，SK海力士的營運重心則在于8英寸晶圓的代工。

而我們都知道，在近兩年中，由于終端市場對半導(dǎo)體的需求增加，8英寸晶圓的供給曾幾度出現(xiàn)了緊張的情況。受惠于這種市場情況，SK海力士也在今年加快了他們在晶圓代工的布局——在今年年初，SK 海力士收購了 MagnaChip Semiconductor 的晶圓代工部門，并決定將把該業(yè)務(wù)改名為“Key Foundry”，搶攻晶圓代工市場。3 月，SK 海力士又斥資 4.35 億美元，買下 MagnaChip Semiconductor 的晶圓代工部門，以取得 8 英寸晶圓代工廠的產(chǎn)線和技術(shù)。7月，又有韓媒報道稱，SK Hynix 旗下專門從事晶圓代工業(yè)務(wù)的子公司—— SK Hynix System IC 以 1，942 億韓元（約合人民幣 11.5 億元）的價格，將其位于韓國忠清北道清州 M8 工廠的 1206 件半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備出售給了集團(tuán)旗下位于中國無錫的一家合資企業(yè)，以期進(jìn)一步擴(kuò)大其在中國的晶圓代工業(yè)務(wù)。

據(jù)閃存市場的報道稱，SK海力士將把清州M8工廠的設(shè)備移至無錫，主要因為韓國內(nèi)Fabless市場規(guī)模很小，給公司的業(yè)務(wù)擴(kuò)展帶來困難，因此SK海力士決定將晶圓代工產(chǎn)線移至擁有上千個Fabless公司的中國。

在CIS領(lǐng)域，三星同樣也率先在該領(lǐng)域做出了布局。曾經(jīng)憑借移動端對CIS的需求，已經(jīng)使得三星在該領(lǐng)域中占據(jù)了一定的優(yōu)勢。但由于市場對CIS需求的擴(kuò)增，這也為三星提供了一條除存儲領(lǐng)域以外的發(fā)力點。于是，在近幾年中，位居第二的三星也開始試圖挑戰(zhàn)龍頭索尼的地位，并開始向安防、汽車等多個領(lǐng)域發(fā)力。

SK海力士緊隨三星其后，也開始布局移動設(shè)備端的CIS發(fā)展。據(jù)相關(guān)報道顯示，SK海力士自2014年開始就注意到了CIS領(lǐng)域，并收購了Siliconfle作為其發(fā)展CIS的起點。得益于近些年來智能手機(jī)前置攝像頭對CIS分辨率提升的需求，SK海力士贏得了大量客戶訂單。

在SK海力士2019年第二季度的報告會上，據(jù)第一財經(jīng)的報道顯示，SK海力士副社長、首席財務(wù)官車辰錫（音譯）在季報說明會上曾表態(tài)，SK海力士將首先從位于韓國京畿道利川的M10工廠入手，將該工廠部分生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)線，逐步轉(zhuǎn)換為CMOS圖像傳感器的生產(chǎn)線。

今年3月，SK海力士還將其CMOS圖像傳感器品牌命名為“黑珍珠”（Black Pearl），以加強(qiáng)與競爭對手索尼的Exmor和三星ISOCELL的競爭。伴隨著新品牌的發(fā)布，SK海力士還推出了4款可應(yīng)用于智能手機(jī)的1.0μm（微米）級圖像傳感器產(chǎn)品。SK海力士還表示，自今年第一季度推出1.0μm產(chǎn)品之后，SK海力士還計劃在下半年推出0.8μm（4800萬像素）產(chǎn)品。

三星和SK海力士將CIS視為是減少對存儲產(chǎn)品依賴的途徑之一，是因為CIS在一定程度上與DRAM技術(shù)有共通之處。據(jù)SK海力士發(fā)布的消息顯示，SK hynix正在應(yīng)用DRAM溝槽工藝技術(shù)來消除像素之間的光干擾，同時正在進(jìn)行一些實驗來防止使用金屬隔墻時吸收光子。而三星電子的ISOCELL則采用了DRAM工藝技術(shù)，并正在努力將其工藝改進(jìn)到32nm的水平。

據(jù)相關(guān)分析師稱，憑借卓越的DRAM技術(shù)，預(yù)計SK海力士和三星電子將縮小與索尼等領(lǐng)先的CIS廠商的技術(shù)差距。

結(jié)語

SK海力士和三星之間雖然存在競爭，但從這兩者所承擔(dān)的角色上看，如果說三星是在為韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開疆拓土，那么跟在他身后的SK海力士則更像是承擔(dān)著一個夯實韓國半導(dǎo)體實力的角色。雖然從成績上看，SK海力士一直被三星的光芒所掩蓋，但在存儲領(lǐng)域穩(wěn)居第二的他，以及在晶圓代工和CIS領(lǐng)域正在不斷突破的他，這也是個誰都不能輕視了的對手。
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