dram知識

• 南亞科技與補(bǔ)丁科技攜手開發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

  近日，臺灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布，已與專業(yè)DRAM設(shè)計公司補(bǔ)丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同致力于定制超高帶寬

  2024-12-20 標(biāo)簽： DRAM 帶寬 內(nèi)存 81 0

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  DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

  本文介紹了動態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理，以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動態(tài)

  2024-12-17 標(biāo)簽： DRAM 存儲器 240 0

• iPhone的DRAM封裝，有變！

  來源： thelec 三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱，這家韓國科

  2024-12-09 標(biāo)簽： DRAM iPhone 封裝 107 0

• SK 海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  據(jù) Businesses Korea 報道，SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了

  2024-12-06 標(biāo)簽： DRAM SK海力士 HBM 214 0

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  AI時代核心存力HBM(上)

  ? 一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 DRAM 針對不同

  2024-11-16 標(biāo)簽： DRAM 存儲 HBM 543 0

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  AI時代核心存力HBM(中)

  HBM 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)（TSV）和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔：TSV（Throug

  2024-11-16 標(biāo)簽： 芯片 DRAM HBM 313 0

• 2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長極但供應(yīng)緊張

  經(jīng)歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后，DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的

  2024-11-07 標(biāo)簽： DRAM 存儲器 HBM 462 0

• 三星電子計劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

  全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI

  2024-11-01 標(biāo)簽： DRAM 三星電子 NAND閃存 585 0

• FormFactor發(fā)布2024財年第三季度財報,收入創(chuàng)歷史新高

  FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024財年第三季度財務(wù)報告。報告顯示，F(xiàn)orm

  2024-11-01 標(biāo)簽： DRAM FormFactor DDR5 501 0

• 存儲市場面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價格承壓

  從需求端審視，通貨膨脹的壓力以及AI個人電腦應(yīng)用場景的匱乏，共同制約了大規(guī)模升級周期的到來。在供應(yīng)端，主要制造商在第三季

  2024-10-28 標(biāo)簽： DRAM NAND 存儲 368 0

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