DRAM 靈敏放大器是由兩個(gè)交叉耦合的CMOS反相器組成的簡(jiǎn)單電路，因此它是一個(gè)SRAM單元。

位線(xiàn)(BL) 最初被預(yù)充電到Vdd/2。在讀取期間，位線(xiàn)的電壓變化很小。如果位線(xiàn)的電壓高于Vdd/2 (圖a)，則n2 nMOS晶體管開(kāi)始導(dǎo)通，并將預(yù)充電線(xiàn)拉低到“0”，這反過(guò)來(lái)又導(dǎo)致p1 pMOS晶體管導(dǎo)通。在一個(gè)小的延遲之后,BL被拉高，并且OUT=1。

另一方面，如果位線(xiàn)的電壓低于Vdd/2 (圖b) ,(p2)pMOS晶體管開(kāi)始導(dǎo)通，并將預(yù)充電線(xiàn)拉到“1”。這反過(guò)來(lái)又導(dǎo)致n1 nMOS晶體管導(dǎo)通。在一個(gè)小的延遲之后，BL被拉到“0”，并且OUT=0。

因此，交叉連接的反相器產(chǎn)生的反饋放大了BL與預(yù)充電輸入基準(zhǔn)之間的小電壓差,直到位線(xiàn)完全處于最低電壓或最高電壓。

DRAM 靈敏放大器的主要功能是當(dāng)晶體管被接通，感應(yīng)位線(xiàn)上微小電壓擺動(dòng)。放大器的第二個(gè)功能是在感應(yīng)到位線(xiàn)上的電壓后，恢復(fù)電容的值。

打開(kāi)晶體管允許存儲(chǔ)電容與位線(xiàn)共享其存儲(chǔ)的電荷。然而，共享存儲(chǔ)電容電荷的過(guò)程使該DRAM cell放電，因此DRAM cell中的信息丟失，無(wú)法再次讀取。但這些信息存儲(chǔ)在感應(yīng)放大器中，因?yàn)楦袘?yīng)放大器的雙穩(wěn)態(tài)電路由兩個(gè)交叉耦合的反相器組成。因此，只要電源電壓存在，它就可以存儲(chǔ)信息。因此，在感應(yīng)之后，使用感應(yīng)放大器將位值寫(xiě)回存儲(chǔ)單元。這種操作稱(chēng)為預(yù)充電precharge。