本文介紹了動態(tài)隨機存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理，以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。

DRAM的歷史背景與發(fā)展

動態(tài)隨機存取器（Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM）是計算機系統(tǒng)中用于短期數(shù)據(jù)存儲的一種半導(dǎo)體存儲器。它由IBM的研究員羅伯特·H·登納德（Robert H. Dennard）于1967年發(fā)明，并在隨后的幾十年間成為了計算機和電子設(shè)備中最常用的內(nèi)存類型之一。由于其高密度、低成本的特點，DRAM被廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備等各種計算平臺。

DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

一個典型的DRAM單元包含兩個主要組件：一個作為訪問的晶體管和一個用于數(shù)據(jù)存儲的電容器。這種設(shè)計允許每個存儲單元僅需占用極小的空間，從而實現(xiàn)高密度的數(shù)據(jù)存儲。

訪問晶體管（Access Transistor）：這是一個MOSFET晶體管，負責(zé)控制外部電路是否可以讀取或?qū)懭氲较噙B的電容器中。當晶體管導(dǎo)通時，它可以將電荷加載到電容器上或者從電容器中釋放電荷；而當晶體管關(guān)閉時，則阻止任何電流通過，保持電容器中的電荷狀態(tài)不變。

存儲電容器（Storage Capacitor）：電容器是用來實際保存信息的地方。電容器充電代表邏輯值“1”，未充電則代表邏輯值“0”。為了確保數(shù)據(jù)的正確性，電容器需要定期刷新，這是因為電容器會逐漸失去其上的電荷，這就是所謂的“動態(tài)”特性。

最初，這些器件都是平面型的，使用二氧化硅作為柵極絕緣層和電容器介質(zhì)。隨著技術(shù)的進步，為了在減小特征尺寸的同時保持足夠的電容值C不變，工程師們開始采用高介電常數(shù)（high-k）材料如氮化硅來替代傳統(tǒng)的二氧化硅，以及使用氧化物/氮化物/氧化物（ONO）堆棧來解決應(yīng)力問題。

DRAM三維結(jié)構(gòu)的引入

隨著工藝節(jié)點的不斷縮小，特別是進入80納米以下后，短溝道效應(yīng)導(dǎo)致了更高的源漏泄漏電流和更短的數(shù)據(jù)保留時間。為了解決這些問題，DRAM訪問晶體管從平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)，例如引入了凹槽柵極（Recessed Gate, RG）晶體管和埋入式字線（Buried Word-Line, BWL）技術(shù)。這些改進增加了通道長度，有助于減少泄漏并維持數(shù)據(jù)保持時間，同時通過增加通道寬度提高了驅(qū)動電流，且不需要增大器件的特征尺寸。

此外，為了進一步壓縮存儲單元面積，人們還開發(fā)出了各種形狀復(fù)雜的電容器，如深溝槽電容器和堆疊柱狀電容器。前者利用硅片內(nèi)部的空間構(gòu)建電容器，后者則是將多個電容器垂直堆疊起來，以此來提高單位面積內(nèi)的電容值而不必增加芯片的物理尺寸。

縮放挑戰(zhàn)與解決方案 隨著制造技術(shù)的發(fā)展，DRAM的特征尺寸不斷縮小，但隨之而來的是新的挑戰(zhàn)。例如，當DRAM的特征尺寸按照的比例縮小時，如果要保持電容C、介電常數(shù)k和距離d不變，則圓柱形電容器的高度必須相應(yīng)地增加，以補償直徑上的減少。這意味著長寬比（aspect ratio）會加倍，給制造帶來了新的挑戰(zhàn)。因此，研究人員一直在尋找具有更高介電常數(shù)的新材料，以降低所需電容值，并優(yōu)化晶體管的設(shè)計以減少關(guān)閉狀態(tài)下的泄漏電流。

6F2架構(gòu)DRAM簡介

如今業(yè)界所制造最先進的DRAM采用的是6F2架構(gòu)，就是每個最小bit的單元占6倍最小線寬的的平方面積。即一個BitLine可以為兩個電容充電，如下圖紅色箭頭bit Line電流從source由Word Line gate流向drain，從而對電容進行充電或放電。

參考文獻：[1]DRAM [2]3D IC devices, technologies, and manufacturing / Hong Xiao.