于近日舉辦的英飛凌CoolGaN IPS第三代寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體媒體溝通會上,英飛凌展示并介紹了面向30W至500W功率級應(yīng)用的這一系列新品。英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)副總裁陳志豪和電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部應(yīng)用市場經(jīng)理盧柱強對新品做了詳細介紹和解答。
陳志豪對英飛凌的在國內(nèi)的營運現(xiàn)狀進行了簡介,英飛凌在大中華區(qū)的業(yè)務(wù)不斷拓展,從成立上海辦公室,到無錫擴廠,隨后在北京成立分公司,之后又在無錫第二次擴廠。今年3月,英飛凌還在深圳成立了智能應(yīng)用能力中心。在完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體之后,英飛凌已成為全球十大半導(dǎo)體供應(yīng)商之一。
盧柱強隨后對氮化鎵和英飛凌在這一材料上的創(chuàng)新作了簡述,目前充電器的技術(shù)和市場趨勢主要分為大功率、小尺寸、通用性和低成本四個方面。在英飛凌和賽普拉斯合并之后,英飛凌得以在充電器設(shè)計上為客戶提供一站式的解決方案。
英飛凌已經(jīng)在18W-100W的功率范圍內(nèi)為客戶提供了理想的解決方案,包括高性價比和高功率密度的方案。而氮化鎵降低耗電和總系統(tǒng)成本,并提高工作頻率、功率密度和系統(tǒng)整體效率的優(yōu)勢,使得這一寬禁帶半導(dǎo)體材料愈發(fā)受到充電器市場和廠商的重視。
比如在電源應(yīng)用中,氮化鎵可以減少開關(guān)損耗,尤其是高頻開關(guān)。這一優(yōu)勢要歸結(jié)于其FOM RDS(on)×Qg只有硅器件的6%,可以顯著減少驅(qū)動損耗。
自2018來了起,英飛凌的氮化鎵開關(guān)管產(chǎn)品就已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn),在通信與服務(wù)器領(lǐng)域為客戶提供電源支持。2021年英飛凌推出了新品CoolGaN IPS系列,IPS的全名為集成功率級,即在GaN的開關(guān)管的基礎(chǔ)上把驅(qū)動IC集成在一個封裝內(nèi)。
英飛凌600 V CoolGaNTM 半橋式 IPS IGI60F1414A1L適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設(shè)計應(yīng)用。該產(chǎn)品采用了8x8 QFN-28的封裝,針對散熱效能進行強化,可為系統(tǒng)提供極高的功率密度。IPS IGI60F1414A1L還集成了兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增強型 (e-mode) HEMT 開關(guān)以及英飛凌 EiceDRIVER?系列中的電氣隔離專用高低側(cè)柵極驅(qū)動器。
系統(tǒng)級封裝集成和柵極驅(qū)動器具備的高精度和穩(wěn)定的傳輸延遲,可讓IGI60F1414A1L提供最低的系統(tǒng)死區(qū)時間。 這將有助于系統(tǒng)效率極大化,使充電器和適配器解決方案的功率密度提升至更高水平,達到35 W/in3。
盡管氮化鎵在高頻下性能更好,但頻率越高震蕩越大,越容易損壞,所以英飛凌將驅(qū)動IC和開關(guān)器件集中起來,放到一個封裝內(nèi),減少外部與相互的干擾,提高其可靠性,也易于工程師設(shè)計。而外圍器件的減少,也相應(yīng)減少了PCB面積。目前CoolGaN IPS的主要封裝是8x8,未來英飛凌會提供更多的封裝類型供客戶選用。
盧柱強繼續(xù)解釋道,氮化鎵一定是往高頻跑的,工程師都在想辦法往高頻推,頻率高了之后,尖鋒或者是dv/dt會是一個很大挑戰(zhàn),這時候我們集成Driver以后依然留了一部分的便利性給工程師,我們會把門極驅(qū)動和Driver輸出的驅(qū)動信號之間拉出來,把這個R/C/D網(wǎng)絡(luò)留給工程師,根據(jù)他的實際線路來做配置,根據(jù)你具體的設(shè)計來進行優(yōu)化。這里會給大家?guī)砗艽蟮谋憷涂煽啃缘膬?yōu)化。
在問及全氮化鎵的方案什么時候能夠普及時,盧柱強回答到:“從產(chǎn)品層面來看,英飛凌已經(jīng)具備了全氮化鎵方案,也就是包括原邊的高壓氮化鎵,和復(fù)變同步整流的100V的氮化鎵,我們這方面的方案也已經(jīng)在跟客戶合作,也就意味著這個從技術(shù)方向來看是可以做的,至于什么時候流行還是要看市場,因為這個市場變得太快,但是我們從器件的廠家來看,會配合市場的發(fā)展方向來提供產(chǎn)品。”
針對氮化鎵的良率和成本問題,陳志豪表示:“以英飛凌這么多年在功率器件的生產(chǎn)工藝技術(shù)來看,我們生產(chǎn)的良率是非常高的。良率還牽扯到可靠性,你要提供給客戶到哪個可靠性的產(chǎn)品,這都是決定良率的關(guān)鍵因素。我們觀察過去20多年來硅的趨勢,20多年前硅在剛推出的時候,跟氮化鎵的現(xiàn)狀很像,它的單價很高。我們的客戶也希望推動碳化硅和氮化鎵發(fā)展,原因是當它的使用量提高之后,它的成本自然就壓下來了,這是一個最關(guān)鍵的因素。當然英飛凌一定會在這兩者找到最佳的平衡點?!?br />
英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)副總裁 陳志豪 / 英飛凌
陳志豪對英飛凌的在國內(nèi)的營運現(xiàn)狀進行了簡介,英飛凌在大中華區(qū)的業(yè)務(wù)不斷拓展,從成立上海辦公室,到無錫擴廠,隨后在北京成立分公司,之后又在無錫第二次擴廠。今年3月,英飛凌還在深圳成立了智能應(yīng)用能力中心。在完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體之后,英飛凌已成為全球十大半導(dǎo)體供應(yīng)商之一。
英飛凌傳感系統(tǒng)事業(yè)部應(yīng)用市場經(jīng)理 盧柱強 / 英飛凌
盧柱強隨后對氮化鎵和英飛凌在這一材料上的創(chuàng)新作了簡述,目前充電器的技術(shù)和市場趨勢主要分為大功率、小尺寸、通用性和低成本四個方面。在英飛凌和賽普拉斯合并之后,英飛凌得以在充電器設(shè)計上為客戶提供一站式的解決方案。
18W至100W的充電器方案 / 英飛凌
英飛凌已經(jīng)在18W-100W的功率范圍內(nèi)為客戶提供了理想的解決方案,包括高性價比和高功率密度的方案。而氮化鎵降低耗電和總系統(tǒng)成本,并提高工作頻率、功率密度和系統(tǒng)整體效率的優(yōu)勢,使得這一寬禁帶半導(dǎo)體材料愈發(fā)受到充電器市場和廠商的重視。
比如在電源應(yīng)用中,氮化鎵可以減少開關(guān)損耗,尤其是高頻開關(guān)。這一優(yōu)勢要歸結(jié)于其FOM RDS(on)×Qg只有硅器件的6%,可以顯著減少驅(qū)動損耗。
自2018來了起,英飛凌的氮化鎵開關(guān)管產(chǎn)品就已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn),在通信與服務(wù)器領(lǐng)域為客戶提供電源支持。2021年英飛凌推出了新品CoolGaN IPS系列,IPS的全名為集成功率級,即在GaN的開關(guān)管的基礎(chǔ)上把驅(qū)動IC集成在一個封裝內(nèi)。
CoolGaN IPS IGI60F1414A1 / 英飛凌
英飛凌600 V CoolGaNTM 半橋式 IPS IGI60F1414A1L適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設(shè)計應(yīng)用。該產(chǎn)品采用了8x8 QFN-28的封裝,針對散熱效能進行強化,可為系統(tǒng)提供極高的功率密度。IPS IGI60F1414A1L還集成了兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增強型 (e-mode) HEMT 開關(guān)以及英飛凌 EiceDRIVER?系列中的電氣隔離專用高低側(cè)柵極驅(qū)動器。
CoolGaN IPS產(chǎn)品亮點 / 英飛凌
系統(tǒng)級封裝集成和柵極驅(qū)動器具備的高精度和穩(wěn)定的傳輸延遲,可讓IGI60F1414A1L提供最低的系統(tǒng)死區(qū)時間。 這將有助于系統(tǒng)效率極大化,使充電器和適配器解決方案的功率密度提升至更高水平,達到35 W/in3。
盡管氮化鎵在高頻下性能更好,但頻率越高震蕩越大,越容易損壞,所以英飛凌將驅(qū)動IC和開關(guān)器件集中起來,放到一個封裝內(nèi),減少外部與相互的干擾,提高其可靠性,也易于工程師設(shè)計。而外圍器件的減少,也相應(yīng)減少了PCB面積。目前CoolGaN IPS的主要封裝是8x8,未來英飛凌會提供更多的封裝類型供客戶選用。
盧柱強繼續(xù)解釋道,氮化鎵一定是往高頻跑的,工程師都在想辦法往高頻推,頻率高了之后,尖鋒或者是dv/dt會是一個很大挑戰(zhàn),這時候我們集成Driver以后依然留了一部分的便利性給工程師,我們會把門極驅(qū)動和Driver輸出的驅(qū)動信號之間拉出來,把這個R/C/D網(wǎng)絡(luò)留給工程師,根據(jù)他的實際線路來做配置,根據(jù)你具體的設(shè)計來進行優(yōu)化。這里會給大家?guī)砗艽蟮谋憷涂煽啃缘膬?yōu)化。
在問及全氮化鎵的方案什么時候能夠普及時,盧柱強回答到:“從產(chǎn)品層面來看,英飛凌已經(jīng)具備了全氮化鎵方案,也就是包括原邊的高壓氮化鎵,和復(fù)變同步整流的100V的氮化鎵,我們這方面的方案也已經(jīng)在跟客戶合作,也就意味著這個從技術(shù)方向來看是可以做的,至于什么時候流行還是要看市場,因為這個市場變得太快,但是我們從器件的廠家來看,會配合市場的發(fā)展方向來提供產(chǎn)品。”
針對氮化鎵的良率和成本問題,陳志豪表示:“以英飛凌這么多年在功率器件的生產(chǎn)工藝技術(shù)來看,我們生產(chǎn)的良率是非常高的。良率還牽扯到可靠性,你要提供給客戶到哪個可靠性的產(chǎn)品,這都是決定良率的關(guān)鍵因素。我們觀察過去20多年來硅的趨勢,20多年前硅在剛推出的時候,跟氮化鎵的現(xiàn)狀很像,它的單價很高。我們的客戶也希望推動碳化硅和氮化鎵發(fā)展,原因是當它的使用量提高之后,它的成本自然就壓下來了,這是一個最關(guān)鍵的因素。當然英飛凌一定會在這兩者找到最佳的平衡點?!?br />
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