據(jù)消息報(bào)道,臺(tái)積電在2022年北美技術(shù)研討會(huì)上介紹了關(guān)于未來N3制程工藝的相關(guān)信息,同時(shí)還公布了N2(2nm)工藝將于 2025年量產(chǎn)。
在會(huì)議上臺(tái)積電著重就n2(2nm)工藝制程的相關(guān)信息進(jìn)行了說明。2nm工藝制程采用環(huán)繞柵極晶體管 (GAAFET)的制程節(jié)點(diǎn),采用新技術(shù)的2nm工藝在性能和功率方面要比3nm工藝更為優(yōu)秀。同比芯片密度增加約1.1倍,在相同功率和復(fù)雜度下速度提升10%到15%,在相同頻率下,功耗降低可達(dá)到25%到30%。
同時(shí)2nm工藝制程在使用GAAFET技術(shù)上也減少了泄露問題和B P rail緩解了電阻壓力,未來預(yù)計(jì)N2工藝將用于各種芯片應(yīng)用中。
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審核編輯:郭婷
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