RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于DDR3地址的容量計算

FPGA設(shè)計論壇 ? 來源:FPGA設(shè)計論壇 ? 作者:FPGA設(shè)計論壇 ? 2022-08-30 14:40 ? 次閱讀

DDR3 地址線

DDR3為減少地址線,把地址線分為行地址線和列地址線,在硬件上是同一組地址線;地址線和列地址線是分時復(fù)用的,即地址要分兩次送出,先送出行地址,再送出列地址。

一般來說列地址線是10位,及A0...A9;行地址線數(shù)量根據(jù)內(nèi)存大小,BANK數(shù)目,數(shù)據(jù)線位寬等決定(感覺也應(yīng)該是行地址決定其他) ;

BANK

bank是存儲庫的意思,也就是說,一塊內(nèi)存內(nèi)部劃分出了多個存儲庫,訪問的時候指定存儲庫編號,就可以訪問指定的存儲庫,內(nèi)存中劃分了多少個bank,要看地址線中有幾位BA地址,如果有兩位,說明有4個bank,如果有3位,說明有8個bank

DDR3 容量計算

下面這張圖是芯片k4t1g164qf資料中截取的;以1Gb容量的DDR2顆粒為例(其他的類似);假設(shè)數(shù)據(jù)線位寬為16位,則看64Mb x 16這一列:

bank地址線位寬為3,及bank數(shù)目為 2^3=8;

行地址線位寬位13,及A0...A12;

列地址線位寬為10,及A0...A9;

有 2^3 * 2^13 * 2^10 = 2^26 =2^6Mb = 64Mb

再加上數(shù)據(jù)線,則容量為 64Mb x 16

8e352782-22cc-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DDR3
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    276

    瀏覽量

    42242
  • 存儲
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    4296

    瀏覽量

    85799
  • 容量計算
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    5

    瀏覽量

    6764

原文標(biāo)題:DDR3地址和容量計算、Bank理解

文章出處:【微信號:gh_9d70b445f494,微信公眾號:FPGA設(shè)計論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    DDR3、DDR4、DDR5的性能對比

    DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。以下是它們之間的性能對比: 一、速度與帶寬
    的頭像 發(fā)表于 11-29 15:08 ?1075次閱讀

    如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3DDR4內(nèi)存區(qū)別

    隨著技術(shù)的不斷進步,計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3
    的頭像 發(fā)表于 11-20 14:24 ?922次閱讀

    DDR4的主要參數(shù)

    DDR4(Double Data Rate 4)作為當(dāng)前主流的計算機內(nèi)存技術(shù),相較于其前身DDR3,在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:43 ?3075次閱讀

    DDR3寄存器和PLL數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3寄存器和PLL數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-23 11:06 ?2次下載
    <b class='flag-5'>DDR3</b>寄存器和PLL數(shù)據(jù)表

    基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設(shè)計

    處理。幀地址控制模塊確保當(dāng)前輸出幀輸出的是最新寫滿的幀。驗證結(jié)果表明,設(shè)計的DDR3存儲管理系統(tǒng)降低了多端口讀寫DDR3的復(fù)雜度,提高了并行處理的速度。 引言 本文以Xilinx公司
    發(fā)表于 06-26 18:13

    華邦傾力挺進DDR3市場,抓住轉(zhuǎn)單商機

    華邦自DDR2時期就深入物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、電信等高附加值領(lǐng)域,而隨著制程升級至DDR3階段,該公司開始加大對DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投資力度。高雄工廠今年引入了20納米設(shè)備,產(chǎn)能逐漸釋放,未來將成為華邦新制程DRAM產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基
    的頭像 發(fā)表于 05-13 10:03 ?500次閱讀

    賦能產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng),高通量計算讓世界更高效!

    隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的迅猛發(fā)展,計算機的主要應(yīng)用從以傳統(tǒng)的科學(xué)與工程計算為主逐步演變?yōu)橐詳?shù)據(jù)處理為核心,以傳統(tǒng)高性能計算機體系結(jié)構(gòu)為核心技術(shù)的新型基礎(chǔ)設(shè)施面臨巨大挑戰(zhàn),高通量計算應(yīng)運而生。中
    發(fā)表于 04-12 14:46 ?249次閱讀
    賦能產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng),高通<b class='flag-5'>量計算</b>讓世界更高效!

    全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4 電源
    發(fā)表于 04-09 09:51 ?7次下載
    全套<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR</b>4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    完整DDR,DDR2,DDR3 和LPDDR3 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整DDR,DDR2,DDR3 和LPDDR3 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-09 09:49 ?0次下載
    完整<b class='flag-5'>DDR</b>,<b class='flag-5'>DDR</b>2,<b class='flag-5'>DDR3</b> 和LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    完整的DDR2、DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-13 13:58 ?0次下載
    完整的<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>和<b class='flag-5'>DDR3</b>L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表

    適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR
    發(fā)表于 03-13 13:53 ?1次下載
    適用于<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L和<b class='flag-5'>DDR</b>4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流<b class='flag-5'>DDR</b>終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-13 11:24 ?0次下載
    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L和<b class='flag-5'>DDR</b>4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表

    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3DDR4內(nèi)
    發(fā)表于 03-13 11:13 ?0次下載
    具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b>和<b class='flag-5'>DDR</b>4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表

    完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-13 10:16 ?1次下載
    完整的<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2和<b class='flag-5'>DDR3</b>內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

    LTM4620給fpga提供1.0V內(nèi)核電源,4620輸出電容量計算是否應(yīng)該包含布局在fpga芯片附近的bulk電容?

    LTM4620給fpga提供1.0V內(nèi)核電源,4620輸出電容量計算是否應(yīng)該包含布局在fpga芯片附近的bulk電容? 靠近FPGA布局的電容也比較大,比如470uF。但這些電容隔4620布局比較遠,大于7cm。通過內(nèi)電層鋪銅連接。
    發(fā)表于 01-05 06:01
    RM新时代网站-首页