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標(biāo)簽 > DDR3
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫(xiě)入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個(gè)線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來(lái)校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時(shí)脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時(shí)脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說(shuō)在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時(shí)讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時(shí)脈過(guò)高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時(shí)DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說(shuō)針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫(xiě)以達(dá)到省電功效。
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫(xiě)入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個(gè)線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來(lái)校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時(shí)脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時(shí)脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說(shuō)在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時(shí)讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時(shí)脈過(guò)高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時(shí)DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說(shuō)針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫(xiě)以達(dá)到省電功效。
對(duì)于看英文手冊(cè),大家肯定都很苦惱,尤其是那種幾百上千頁(yè)的手冊(cè),真是看著就頭大, 不得不說(shuō),找個(gè)國(guó)產(chǎn)DDR的手冊(cè)是真難。 雖然比不上協(xié)議原文,但對(duì)于理解概...
2024-12-12 標(biāo)簽:DDR3 171 0
如何應(yīng)對(duì)PCB設(shè)計(jì)中信號(hào)線的跨分割呢?
在PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到高多層、高密度的設(shè)計(jì),那么這種情況下就難免出現(xiàn)跨分割的情況
2024-05-27 標(biāo)簽:DDR3emiPCB設(shè)計(jì) 1097 0
FPGA通過(guò)AXI總線讀寫(xiě)DDR3實(shí)現(xiàn)方式
AXI總線由一些核心組成,包括AXI主處理器接口(AXI4)、AXI處理器到協(xié)處理器接口(AXI4-Lite)、AXI主外設(shè)接口(AXI4)、AXI外設(shè)...
基于FPGA的分布式視頻處理平臺(tái)設(shè)計(jì)方案
目前人們對(duì)于高清視頻的需求日益普遍,極致的視覺(jué)體驗(yàn)帶來(lái)的是技術(shù)上的革新,
2024-04-15 標(biāo)簽:FPGADDR3PCB設(shè)計(jì) 2115 0
XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計(jì)方案分享
在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面,DDR3運(yùn)行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級(jí)。
基于ZYNQ FPGA構(gòu)建嵌入式的模擬計(jì)算板卡
板卡基于高速400M 采樣AD 和ZYNQ FPGA構(gòu)建嵌入式的模擬計(jì)算板卡, 可用于工業(yè)雷達(dá),行業(yè)雷達(dá)的場(chǎng)合。板卡使用工業(yè)級(jí)芯片。
DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用,但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以...
2024-01-08 標(biāo)簽:DDR3內(nèi)存信號(hào)完整性 2000 0
DDR1/2/3數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)原理詳解
時(shí)鐘頻率:可通過(guò)倍頻技術(shù)升級(jí)的核心頻率。時(shí)鐘頻率可以理解為IO Buffer的實(shí)際工作頻率,DDR2中時(shí)鐘頻率為核心頻率的2倍,DDR3 DDR4中時(shí)鐘...
DR3和RAM一樣,是一個(gè)存儲(chǔ)器件,它的每個(gè)內(nèi)部單元都存儲(chǔ)了當(dāng)前的數(shù)據(jù)狀態(tài)值。 但DDR3和RAM本身,是沒(méi)有“空”、“存有數(shù)據(jù)”,“數(shù)據(jù)滿”...
柚木PI-變色龍全志H616樹(shù)莓派3A版型硬件介紹
YuzukiHD-Chameleon變色龍板,基于全志ARM 4xA53 1.5Ghz 4KHDMI輸出H616芯片設(shè)計(jì),授權(quán)百問(wèn)網(wǎng)生產(chǎn)銷售,版型保持了...
2023-12-01 標(biāo)簽:DDR3藍(lán)牙芯片芯片設(shè)計(jì) 1670 0
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2023-04-10 標(biāo)簽:DDR3
UD PCIe 402信號(hào)處理模塊技術(shù)說(shuō)明書(shū)立即下載
類別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2023-03-06 標(biāo)簽:DDR3信號(hào)處理PCIe
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2023-01-13 標(biāo)簽:DDR3DDR2DDR4
DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。以下是它們之間的...
2024-11-29 標(biāo)簽:DDR3數(shù)據(jù)DDR4 1040 0
三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
SK海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,帶動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格上行
雖然 DDR3 逐漸淪為邊緣化產(chǎn)品,但其在電視機(jī)頂盒、無(wú)線路由器、交換機(jī)以及顯示器等設(shè)備中的應(yīng)用仍然廣泛。值得關(guān)注的是,全球第四大內(nèi)存商美光雖尚未明確決...
羅徹斯特電子推出一種可持續(xù)支持成熟微處理器的低密度解決方案
DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個(gè)時(shí)鐘信號(hào)周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),可以實(shí)現(xiàn)以往同步DRAM設(shè)備傳輸速率的兩倍。
先楫高性能MCU HPM6800系列產(chǎn)品生態(tài)綻放,共鏈未來(lái)
2024年3月28日,上海 - 國(guó)產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司(先楫半導(dǎo)體,HPMicro)攜手生態(tài)合作伙伴芯原、立功科技、順微電子和...
DDR5內(nèi)存相對(duì)于DDR4有更高的內(nèi)部時(shí)鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率,從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上,比DDR4的最高傳輸速...
2024-03-12 標(biāo)簽:DDR3存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸 1013 0
信號(hào)完整性是科學(xué)原理還是神秘玄學(xué)?
那有人會(huì)問(wèn),那為什么隨著行業(yè)的發(fā)展,還是有人覺(jué)得SI是一門玄學(xué)?這個(gè)問(wèn)題就變得有意義了。
2024-03-12 標(biāo)簽:DDR3信號(hào)完整性PCIe 382 0
先楫半導(dǎo)體攜手芯原打造新一代數(shù)字儀表顯示及人機(jī)界面系統(tǒng)應(yīng)用平臺(tái)
2024年3月4日,上海 - 國(guó)產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司(先楫半導(dǎo)體,HPMicro)在其豐富的高性能微處理器產(chǎn)品組合的基礎(chǔ)上,推...
值得關(guān)注的是,三星已不再?gòu)氖?NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲(chǔ)芯片加工,轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向使用華邦生產(chǎn)的產(chǎn)品。近期,隨著 NOR flash 和 D...
11月28日,2023龍芯產(chǎn)品發(fā)布暨用戶大會(huì)在北京國(guó)家會(huì)議中心啟幕。
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