在發(fā)明晶體管之前,繼電器一直被用作開關(guān)。從低壓信號安全地控制高壓系統(tǒng)(如隔離電阻監(jiān)測中的情況)的能力是開發(fā)許多汽車系統(tǒng)所必需的。盡管機電式繼電器和接觸器技術(shù)多年來有所改進(jìn),但對于設(shè)計人員來說,要實現(xiàn)其壽命可靠性和快速開關(guān)速度以及低噪聲、沖擊振動和功耗目標(biāo),仍然具有挑戰(zhàn)性。
電容式和電感式隔離固態(tài)繼電器 (SSR) 具有性能和成本優(yōu)勢,并且適合不同級別的隔離(無論是基礎(chǔ)型還是增強型)。與機電繼電器和固態(tài)光繼電器等替代技術(shù)相比,SSR 也具有優(yōu)勢。
傳統(tǒng)繼電器開關(guān)解決方案
機電繼電器 (EMR) 在高壓開關(guān)應(yīng)用中很常見。EMR使用電磁力來機械地打開和關(guān)閉觸點。鑒于其機械特性,EMR具有極低的導(dǎo)通電阻。它們的觸點本質(zhì)上是金屬對金屬的連接。
在開關(guān)速度和可靠性方面,EMR確實需要權(quán)衡取舍。繼電器內(nèi)部的活動器件是一個限制因素,開關(guān)速度通常在5ms到15ms范圍內(nèi)。隨著時間的推移和使用,EMR可能會出現(xiàn)諸如拱起、顫動和焊接閉合等故障。
與EMR不同,光繼電器沒有活動器件,并可提供高隔離電壓。光繼電器是對傳統(tǒng) EMR 的改進(jìn);但是,它們也有設(shè)計注意事項,例如對可實現(xiàn)的功率傳輸?shù)南拗埔约皟?nèi)部LED的老化。此外,光繼電器需要外部限流電阻器,并且通常使用額外的場效應(yīng)晶體管 (FET) 來管理LED的開或關(guān)狀態(tài)。
SSR中的電容式和電感式隔離
TI的隔離式SSR可用作開關(guān)(帶有集成FET)或用于控制外部FET的驅(qū)動器。無論是利用電容隔離還是磁隔離,TI的隔離式SSR產(chǎn)品系列都可以實現(xiàn)具有基礎(chǔ)型或增強型隔離級別的設(shè)計。與EMR相比,TI的TPSI2140-Q1隔離式開關(guān)和TPSI3050-Q1隔離式驅(qū)動器具有更高的可靠性和更長的使用壽命,因為它們不會隨著時間的推移而出現(xiàn)機械性能變差的情況。因此,SSR的壽命可靠性是傳統(tǒng)EMR的10倍。TI的SSR還可以在幾微秒內(nèi)進(jìn)行切換,比EMR快幾個數(shù)量級。
由于TPSI3050-Q1和TPSI2140-Q1通過單個隔離柵集成了電源和信號傳輸,因此無需二次偏置電源,從而可以實現(xiàn)減小解決方案尺寸。圖1說明了在高壓系統(tǒng)中使用TPSI2140-Q1隔離開關(guān),消除了偏置電源和外部控制電路等外部元件。
圖 1:TPSI2140-Q1 隔離式開關(guān)減小了高壓系統(tǒng)中的解決方案尺寸
與傳統(tǒng)光繼電器和光耦合器相比,TPSI2140-Q1和TPSI3050-Q1等SSR也具有優(yōu)勢。TPSI2140-Q1和TPSI3050-Q1等TI器件的可靠性優(yōu)于光繼電器,因為不存在LED老化情況。無需外部控制電路,因為邏輯電平輸入可以直接驅(qū)動系統(tǒng)。表1定性地比較了這些隔離開關(guān)技術(shù)。
機電繼電器 | 光繼電器 | 具有電容式和電感式隔離的 TI SSR | |
絕緣材料 | 空氣或環(huán)氧樹脂 | 環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺 | 聚酰亞胺或二氧化硅 |
介電強度 (1s) |
?1VRMS/μm ?20VRMS/μm |
?20VRMS/μm ?300VRMS/μm |
?300VRMS/μm ?500VRMS/μm |
優(yōu)勢 | 低電阻 | 低電磁干擾 (EMI)輻射 |
高速 (μs) 低功耗 |
劣勢 |
低速 (ms) 機械磨損、振動/磁抗擾度 |
光化降級和局部放電 | 必須設(shè)計為限制 EMI |
工作環(huán)境溫度 | -40°C 至 85°C | -40°C 至 85°C | -40°C 至 125°C |
表 1:現(xiàn)有開關(guān)解決方案的比較情況
結(jié)語
TI的隔離式SSR以超快的速度、超高的工作溫度和超低的系統(tǒng)成本提供超高的介電強度,還可以在更小的封裝中實現(xiàn)更可靠的開關(guān)。
審核編輯 黃昊宇
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