聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2804瀏覽量
62605
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導率 :SiC的熱導率是Si的三倍以上,有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 :SiC的電子飽和速度高于Si,適合于高速電子器件。 化學穩(wěn)定性 :
碳化硅SiC在電子器件中的應用
隨著科技的不斷進步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導體材料,因其卓越的電學
碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能
碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、
碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較
過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導體
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transist
發(fā)表于 02-29 14:23
?1635次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點
碳化硅特色工藝模塊簡介
材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用
碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?
導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,
發(fā)表于 12-27 10:08
?441次閱讀
評論