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《基于“礦板”低成本學習Zynq系列》之六-DDR測試

嵌入式USB開發(fā) ? 來源:嵌入式USB開發(fā) ? 作者:嵌入式USB開發(fā) ? 2023-07-19 19:19 ? 次閱讀

文本轉自公眾號系列文章,歡迎關注
《基于“礦板”低成本學習Zynq系列》之四-第一個工程HelloWorld一下 (qq.com)

一.前言

礦板,可能一些器件都不穩(wěn)定了,比如DDR,所以我們來測試下,做個壓力測試。

這一篇先測試DDR,后面再測試其他的。

Vitis打開之前的HelloWorld工程

參考https://mp.weixin.qq.com/s/eecigPSyHQGUIx8hwSoAtQ

二.創(chuàng)建工程

File->New->Application Project...
image.png

Next
image.png

選擇之前創(chuàng)建的平臺,Next
image.png

輸入工程名ddr,next
image.png

Next
image.png

選擇DRAM tests工程 Finish
image.png

三.編譯

從原理圖可以看出

DDR 256M 16位

EM6GD16EWKG-12H

所以

int bus_width = 32;

改為

int bus_width = 16;

右鍵點擊DDR工程,build project

image.png
image.png

四.仿真運行

image.png

image.png

五.測試

運行后打印如下

image.png

輸入4測試255M的大小

image.png

r測試讀眼圖

i測試寫眼圖

六.總結

以上測試,確認DDR目前看還比較可靠,沒有問題。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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