ddr知識

• 淺談DDR6 RAM設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

  DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本，最大的數(shù)據(jù)速率峰值超過 12000 MT/s。

  2024-12-03 標(biāo)簽： 存儲器 接口 RAM 321 0

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  Altera S10 DDR校準(zhǔn)問題分析

  某客戶在使用 Altera 1SX165HU3F50E2VG 做 TCON 項(xiàng)目，其中使用到了 EMIF (DDR 控制

  2024-11-21 標(biāo)簽： 控制器 DDR Altera 640 0

• DDR內(nèi)存頻率對性能的影響

  DDR內(nèi)存頻率對性能的影響主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 一、數(shù)據(jù)傳輸速度 內(nèi)存條的頻率（MHz）代表每秒的傳輸速度，即內(nèi)存每

  2024-11-20 標(biāo)簽： DDR 應(yīng)用程序 內(nèi)存頻率 588 0

• 如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別

  隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分

  2024-11-20 標(biāo)簽： DDR 計(jì)算機(jī) 頻率 898 0

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  一文看懂DDR內(nèi)存的原理

  內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為當(dāng)代數(shù)字系統(tǒng)最主要的核心部件之一，從各種終端設(shè)備到核心層數(shù)

  2024-11-18 標(biāo)簽： DDR 內(nèi)存 673 0

• 一文解析DDR和LPDDR的演進(jìn)與應(yīng)用

  概述 DDR（Double Data Rate）和LPDDR（Low Power Double Data Rate）是動

  2024-11-15 標(biāo)簽： DDR LPDDR 580 0

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  一文讀懂DDR內(nèi)存基礎(chǔ)知識

  無論對于芯片設(shè)計(jì)商還是器件制造商來說，DDR內(nèi)存可謂是無處不在——除了在服務(wù)器、工作站和臺式機(jī)中之外，還會內(nèi)置在消費(fèi)類電

  2024-11-13 標(biāo)簽： DDR 內(nèi)存 844 0

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  一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲器的區(qū)別

  存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用： 1 NANDNAND Flas

  2024-11-11 標(biāo)簽： NAND DDR emmc 2071 0

• 什么是高密度DDR芯片

  高密度DDR(Double Data Rate)芯片是一種先進(jìn)的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)芯片，具有極高的數(shù)據(jù)存儲密

  2024-11-05 標(biāo)簽： 芯片 存儲器 DDR 362 0

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  Rambus解讀：6400MT/s及以上DDR內(nèi)存速率，不可或缺的CKD芯片

  電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）針對服務(wù)器內(nèi)存模塊RDIMM的芯片組解決方案，Rambus一直以來有著深厚的技術(shù)實(shí)力，可提

  2024-09-12 標(biāo)簽： DDR 內(nèi)存 Rambus 4600 0

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