RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,有助于汽車設(shè)備實現(xiàn)高散熱和小型化

電子設(shè)計圈 ? 來源:jf_78421104 ? 作者:jf_78421104 ? 2023-08-22 11:03 ? 次閱讀

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

自動駕駛系統(tǒng)等高安全級別的應(yīng)用可通過冗余設(shè)計確保可靠性,因此與標準系統(tǒng)相比,它們集成了更多的器件,需要更多的表貼空間。所以,要進一步縮小汽車設(shè)備的尺寸,需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGLTM封裝(7.0mm×8.44mm[1]),其特點是采用無接線柱結(jié)構(gòu),將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結(jié)構(gòu)降低了封裝電阻。

與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM(W)封裝產(chǎn)品[2]相比,S-TOGLTM封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結(jié)合,可實現(xiàn)導(dǎo)通電阻顯著降低11%。與TO-220SM(W)封裝相比,新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外,采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流,高于東芝類似尺寸的DPAK+封裝(6.5mm×9.5mm[1])產(chǎn)品,從而實現(xiàn)了大電流。總體而言,S-TOGLTM封裝可實現(xiàn)高密度和緊湊布局,縮小汽車設(shè)備的尺寸,并有助于實現(xiàn)高散熱。

由于汽車設(shè)備可能在極端溫度環(huán)境下工作,因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關(guān)鍵考慮因素。S-TOGLTM封裝采用鷗翼式引腳,可降低表貼應(yīng)力,提高焊點的可靠性。

當需要并聯(lián)多個器件為應(yīng)用提供更大工作電流時,東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設(shè)計使用同一組別的產(chǎn)品,從而減小特性偏差。

東芝將繼續(xù)擴展其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線,并通過用戶友好型、高性能功率器件為實現(xiàn)碳中和做出貢獻。

應(yīng)用

- 汽車設(shè)備:逆變器、半導(dǎo)體繼電器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等

特性

- 新型S-TOGLTM封裝:7.0mm×8.44mm(典型值)

- 高額定漏極電流:

XPJR6604PB:ID=200A

XPJ1R004PB:ID=160A

- AEC-Q101認證

- 提供IATF 16949/PPAP[4]

- 低導(dǎo)通電阻:

XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53m?(典型值)(VGS=10V)

XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8m?(典型值)(VGS=10V)

主要規(guī)格

wKgaomTkJXmAWMWkAABv-y69_KU856.jpg

注:

[1] 典型封裝尺寸,包括引腳。

[2] TKR74F04PB采用TO-220SM(W)封裝。

[3] 東芝可以提供分組出貨,每卷產(chǎn)品的柵極閾值電壓浮動范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯(lián)系東芝銷售代表了解更多信息。

[4] 請聯(lián)系東芝銷售代表了解更多信息。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7156

    瀏覽量

    213138
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    126

    文章

    7873

    瀏覽量

    142893
  • 自動駕駛
    +關(guān)注

    關(guān)注

    784

    文章

    13784

    瀏覽量

    166380
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    密度和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計能夠承載電流、寄生電感更低且熱性能出色,因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:35 ?402次閱讀

    東芝推出小型封裝車載光繼電器TLX9150M

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新推出一款輸出耐壓為900 V(最小值)的車載光繼電器[1]——TLX9150M,
    的頭像 發(fā)表于 11-12 11:52 ?320次閱讀
    <b class='flag-5'>東芝</b><b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>小型</b><b class='flag-5'>封裝車載</b>光繼電器TLX9150M

    東芝發(fā)布900V耐壓小型封裝車載光繼電器

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社近日宣布,成功推出一款全新的車載光繼電器——TLX9150M。這款光繼電器具有900V(最小值)的輸出耐壓能力,并且
    的頭像 發(fā)表于 10-30 17:43 ?456次閱讀

    銳駿新款超低導(dǎo)通MOSRUH4040M、80M更適用于新產(chǎn)品研發(fā)

    銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品,型號分別為RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A)。這兩款產(chǎn)品均
    發(fā)表于 10-14 09:40

    東芝拓展40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線,引領(lǐng)汽車節(jié)能新紀元

    對旗下的40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線進行了重要拓展,推出了三款
    的頭像 發(fā)表于 09-03 15:25 ?421次閱讀

    ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”

    pack?的功率密度,并采用ROHM自有的引腳排列方式,有助于解決牽引逆變器面臨的小型化、效率提升和減少工時等主要課題。 近年來,在致力
    的頭像 發(fā)表于 06-11 14:19 ?417次閱讀
    ROHM開發(fā)出<b class='flag-5'>新型</b>二合一 SiC<b class='flag-5'>封裝</b>模塊“TRCDRIVE pack?”

    Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

    Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列
    的頭像 發(fā)表于 05-10 11:47 ?949次閱讀
    Vishay<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>采用</b>PowerPAK 8x8LR<b class='flag-5'>封裝</b>的第四代600 VE系列<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    東芝推出兩款采用L-TOGL封裝車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

    東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”(80
    的頭像 發(fā)表于 05-08 14:35 ?454次閱讀

    40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-03 15:08 ?1次下載
    <b class='flag-5'>40V</b> <b class='flag-5'>N</b> 通道 NexFETTM <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD18510KCS數(shù)據(jù)表

    Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

    Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加, P
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:27 ?1435次閱讀
    Littelfuse <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>和P<b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的比較分析

    40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-27 13:55 ?0次下載
    <b class='flag-5'>40V</b> <b class='flag-5'>N</b> 通道 NexFETTM <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD18510KTT數(shù)據(jù)表

    Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

    全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:38 ?754次閱讀

    Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET

    近日,全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:32 ?651次閱讀

    Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

    Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率
    的頭像 發(fā)表于 02-22 17:11 ?756次閱讀
    Vishay<b class='flag-5'>推出</b>多功能<b class='flag-5'>新型</b>30 <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>TrenchFET第五代<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    N溝道40 V,0.81 mOhm,320 A標準電平MOSFET PSMNR70-40YSN英文資料

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,0.81 mOhm,320 A標準電平MOSFET PSMNR70-
    發(fā)表于 01-04 14:19 ?0次下載
    <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>40</b> <b class='flag-5'>V</b>,0.81 mOhm,320 A標準電平<b class='flag-5'>MOSFET</b> PSMNR70-<b class='flag-5'>40</b>YSN英文資料
    RM新时代网站-首页