RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Littelfuse推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品IXTY2P50PA

力特奧維斯Littelfuse ? 來(lái)源:力特奧維斯Littelfuse ? 2023-10-25 09:43 ? 次閱讀

新品介紹

Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求,提供卓越的性能和可靠性。

PolarP P通道功率MOSFET IXTY2P50PA

以-500 V、-2 A運(yùn)作的 IXTY2P50PA最與眾不同之處在于它取得了AEC-Q101認(rèn)證,使其成為汽車應(yīng)用的理想選擇。該認(rèn)證確保MOSFET符合汽車業(yè)界嚴(yán)格的品質(zhì)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。憑借這項(xiàng)認(rèn)證,汽車制造商得以確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應(yīng)用性能和可靠性。

IXTY2P50PA其中一項(xiàng)特點(diǎn)是傳導(dǎo)損耗低。這款P通道功率MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為4.2 Ω,可降低功耗、減少發(fā)熱,并提高終端應(yīng)用的效率。此外,該MOSFET還具有出色的開(kāi)關(guān)性能,閘極電荷低至11.9nC,可實(shí)現(xiàn)快速且高效的運(yùn)行。

IXTY2P50PA的另一項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是它在嚴(yán)苛的工作環(huán)境和應(yīng)用中也能保持堅(jiān)固耐用。憑借動(dòng)態(tài)的dv/dt和雪崩額定值,這款MOSFET可承受惡劣條件并提供可靠性能。這種組合使其成為要求耐用性和可靠性的汽車應(yīng)用的絕佳選擇。

此外,IXTY2P50PA高電壓汽車P通道MOSFET采用了表面安裝式微型TO-252 (DPAK) 外形尺寸,可實(shí)現(xiàn)高功率密度PCB設(shè)計(jì)。這種小型尺寸可顯著節(jié)省PCB空間,從而達(dá)到更高效和精巧的設(shè)計(jì)。汽車制造商可從這種節(jié)省空間的設(shè)計(jì)中受益,從而最佳化其應(yīng)用,并在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能。

PolarP系列非常適合各類汽車電子工業(yè)應(yīng)用,

包括:

PolarP系列非常適合各類汽車電子和工業(yè)應(yīng)用,包括:

汽車ECU

汽車感測(cè)器電路

高壓側(cè)開(kāi)關(guān)

推挽放大器

自動(dòng)測(cè)試設(shè)

電流調(diào)節(jié)器

對(duì)于IXTY2P50PA的推出,Littelfuse產(chǎn)品行銷經(jīng)理Raymon Zhou表示:「我們很高興能向市場(chǎng)推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET。IXTY2P50PA具有卓越的性能和可靠性,是要求苛刻的汽車應(yīng)用的理想選擇。憑借其AEC-Q101認(rèn)證和極具競(jìng)爭(zhēng)力的規(guī)格,相信這款MOSFET將為汽車制造商帶來(lái)極大的益處?!?/p>

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7156

    瀏覽量

    213142
  • Littelfuse
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    235

    瀏覽量

    96533

原文標(biāo)題:[新品介紹] 首款汽車級(jí)PolarP? P通道增強(qiáng)模式功率MOSFET

文章出處:【微信號(hào):Littelfuse_career,微信公眾號(hào):力特奧維斯Littelfuse】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    揚(yáng)杰科技11產(chǎn)品入選《2024長(zhǎng)三角汽車芯片產(chǎn)品手冊(cè)》

    熱烈祝賀揚(yáng)杰科技自主研發(fā)的2IGBT產(chǎn)品、7SiC產(chǎn)品、2
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?852次閱讀

    功率MOSFET的選型法則

    功率MOSFET有二種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:24 ?314次閱讀

    Littelfuse發(fā)布高頻MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器新品

    Littelfuse公司近日宣布推出創(chuàng)新產(chǎn)品——IX4341與IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高頻應(yīng)用精心打造。這
    的頭像 發(fā)表于 09-20 16:33 ?455次閱讀

    LM3D50P02 MOSFET:專為電子煙優(yōu)化的高性能選擇

    )、Boulder鉑德、ELFBAR等知名電子煙廠家的研究,設(shè)計(jì)了一特別適合電子煙的高性能P溝道溝槽技術(shù)MOSFET——LM3D50P02。 在電子煙設(shè)計(jì)中,
    的頭像 發(fā)表于 08-16 16:47 ?511次閱讀
    LM3D<b class='flag-5'>50P</b>02 <b class='flag-5'>MOSFET</b>:專為電子煙優(yōu)化的高性能選擇

    電子管6p6p和6p14哪個(gè)功率

    在比較電子管6P6P和6P14的功率大小時(shí),我們需要考慮多個(gè)方面,包括它們的額定工作條件、陽(yáng)極極限耗散功率、實(shí)際使用中的輸出功率等。 一、電
    的頭像 發(fā)表于 08-06 09:45 ?2219次閱讀

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:26 ?796次閱讀

    Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

    Vishay 推出首采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高
    的頭像 發(fā)表于 05-10 11:47 ?950次閱讀
    Vishay<b class='flag-5'>推出</b>采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

    隨著現(xiàn)代低壓應(yīng)用的發(fā)展,Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當(dāng)今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse
    的頭像 發(fā)表于 04-07 18:29 ?1478次閱讀
    <b class='flag-5'>P</b>溝道<b class='flag-5'>功率</b>MOSFETs及其應(yīng)用

    P溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD25211W1015數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD25211W1015數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-07 11:03 ?0次下載
    <b class='flag-5'>P</b>溝道 NexFET? <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD25211W1015數(shù)據(jù)表

    Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

    Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加, P溝道
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:27 ?1437次閱讀
    <b class='flag-5'>Littelfuse</b> N溝道和<b class='flag-5'>P</b>溝道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的比較分析

    華為pockets和p50pocket哪個(gè)貴

    華為Pocket S和華為P50 Pocket都是華為推出的折疊屏手機(jī),但是它們的售價(jià)存在差異。
    的頭像 發(fā)表于 03-06 16:03 ?1933次閱讀

    60 V,P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V,P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-20 10:02 ?0次下載
    60 V,<b class='flag-5'>P</b>溝道溝槽<b class='flag-5'>MOSFET</b>  BUK9D120-60<b class='flag-5'>P</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)

    Diodes 公司推出通道高側(cè)開(kāi)關(guān)為汽車應(yīng)用提供耐用的保護(hù)功能

    【 2024 年 1 月 31 日美國(guó)德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出首符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的雙通道高側(cè)電源開(kāi)關(guān) — ZXMS82090
    發(fā)表于 02-01 18:01 ?3586次閱讀
    Diodes 公司<b class='flag-5'>推出</b>雙<b class='flag-5'>通道</b>高側(cè)開(kāi)關(guān)為<b class='flag-5'>汽車</b>應(yīng)用提供耐用的保護(hù)功能

    英特爾在2024年CES上推出首軟件定義汽車SoC芯片

    英特爾在2024年CES上推出首軟件定義汽車SoC芯片,也是全球首采用Chiplet的車規(guī)級(jí)芯片。
    的頭像 發(fā)表于 01-12 11:40 ?2848次閱讀
    英特爾在2024年CES上<b class='flag-5'>推出首</b><b class='flag-5'>款</b>軟件定義<b class='flag-5'>汽車</b>SoC芯片

    英飛凌推出首采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

    英飛凌推出業(yè)內(nèi)首采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 12-29 12:30 ?939次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>推出首</b><b class='flag-5'>款</b>采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>
    RM新时代网站-首页