MOS 管的開啟與關(guān)閉

要研究這個(gè)自舉的由來(lái)，我們還是先看一下 MOS 的開啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲械拈_關(guān)情況了。

上圖中展示的 Bcuk 電路中選用的是 PMOS 來(lái)作為開關(guān)管進(jìn)行斬波控制，因此，我們知道只需要在 Q1 的 Vgs 施加負(fù)電壓就可以順利打開 MOS
管 Q1。

但是，從MOS 管的生產(chǎn)工藝上我們了解到，PMOS 的導(dǎo)通電流往往做不到很大，相同成本下，NMOS 的導(dǎo)通電流可以做到更大，也就是 Rdson可以做到相對(duì)較低。因此Buck 電路中會(huì)將開關(guān)管從 PMOS 更換為 NMOS，如下圖所示。

那么問(wèn)題來(lái)了，當(dāng)我們把 Bcuk 電路中的 PMOS 換成 NMOS 之后，我們?nèi)绾卧?MOS 管 Q1 上給出一個(gè)高電平呢？系統(tǒng)最高電壓是40V，從上圖看，我們需要在 MOS 的柵極給出 45V 以上的電壓才能使得 Q1 完全導(dǎo)通。

因此，在高邊 MOS 使用 NMOS 的 DC-DC 芯片設(shè)計(jì)中，就需要一個(gè)電路來(lái)進(jìn)行自舉，也就是產(chǎn)生一個(gè)高于系統(tǒng)輸入電壓的電壓來(lái)打開高邊的NMOS。又因?yàn)?a href="http://hljzzgx.com/tags/電容/" target="_blank">電容的體積問(wèn)題，很難集成在 IC 內(nèi)部，因此絕大部分的 DC-DC 芯片要求使用者在外面放置這個(gè)自舉電容。