RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

華為重磅新專利公開(kāi):能提高晶圓對(duì)準(zhǔn)效率、精度

芯通社 ? 來(lái)源:芯通社 ? 2023-12-19 16:36 ? 次閱讀

12月16日消息,近日國(guó)家知識(shí)識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“晶圓處理裝置和晶圓處理方法”的專利獲批,公開(kāi)號(hào)CN117219552A,申請(qǐng)日期為2022年6月。

專利摘要顯示,本公開(kāi)的實(shí)施例涉及晶圓處理裝置和晶圓處理方法。

晶圓處理裝置包括:晶圓載臺(tái),晶圓載臺(tái)可沿旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn);機(jī)械臂,包括機(jī)械手,用于搬運(yùn)晶圓并將晶圓放置在晶圓載臺(tái)上;控制器;以及校準(zhǔn)組件。

包括:光柵板,相對(duì)于晶圓載臺(tái)固定;光源,相對(duì)于光柵板固定;以及成像元件,固定設(shè)置在機(jī)械臂上,并且適于接收從光源發(fā)出的、透過(guò)光柵板的光。

其中,控制器被配置成基于成像元件對(duì)接收到的光的檢測(cè),控制機(jī)械臂或機(jī)械臂上的調(diào)整裝置來(lái)調(diào)整晶圓的位置。

57b27dba-9e48-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

在晶圓載臺(tái)承載晶圓的情況下,光柵板和成像元件分別位于晶圓載臺(tái)的上表面所在平面相對(duì)兩側(cè),上表面用于承載晶圓。

本公開(kāi)的實(shí)施例提供的裝置和方法能夠提高晶圓對(duì)準(zhǔn)效率和對(duì)準(zhǔn)精度。

據(jù)悉,截至2022年底,華為持有超過(guò)12萬(wàn)項(xiàng)有效授權(quán)專利,主要分布在中國(guó)、歐洲、美洲、亞太、中東和非洲。

其中,華為在中國(guó)和歐洲各持有4萬(wàn)多項(xiàng)專利,在美國(guó)持有22000多項(xiàng)專利。

57b6a85e-9e48-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

57c070a0-9e48-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

57cb365c-9e48-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4890

    瀏覽量

    127931
  • 華為
    +關(guān)注

    關(guān)注

    216

    文章

    34411

    瀏覽量

    251495
  • 精度
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    258

    瀏覽量

    20016

原文標(biāo)題:華為重磅新專利公開(kāi):能提高晶圓對(duì)準(zhǔn)效率、精度

文章出處:【微信號(hào):semiwebs,微信公眾號(hào):芯通社】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    背面涂敷工藝對(duì)的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過(guò)程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度,還可以優(yōu)化散熱性能
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?150次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    切割機(jī)在氧化鋯材料高精度劃切中的應(yīng)用

    切割機(jī)在氧化鋯中的劃切應(yīng)用主要體現(xiàn)在利用切割機(jī)配備的精密刀具和控制系統(tǒng),對(duì)氧化鋯材料進(jìn)行高精度、高
    的頭像 發(fā)表于 12-17 17:51 ?141次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>切割機(jī)在氧化鋯材料高<b class='flag-5'>精度</b>劃切中的應(yīng)用

    的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    的TTV、BOW、WARP、TIR是評(píng)估質(zhì)量和加工精度的重要指標(biāo),以下是它們的詳細(xì)介紹: TTV(Total Thickness
    的頭像 發(fā)表于 12-17 10:01 ?167次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    提高SiC平整度的方法

    提高SiC(碳化硅)平整度是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),以下是一些提高SiC平整度的方法
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:21 ?167次閱讀
    <b class='flag-5'>提高</b>SiC<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>平整度的方法

    劃片為什么用UV膠帶

    使用激光切割,激光切割可以減少剝落和裂紋的問(wèn)題,但是在100um以上時(shí),生產(chǎn)效率將大大降低; 厚度不到30um的則使用等離子切割,等離子切割速度快,不會(huì)對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 12-10 11:36 ?224次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>劃片為什么用UV膠帶

    深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器對(duì)射測(cè)量半導(dǎo)體厚度

    視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器具有高精度、高分辨率的特點(diǎn),無(wú)懼各種材質(zhì)、形狀測(cè)量,快速、穩(wěn)定測(cè)量厚度變化,確保
    的頭像 發(fā)表于 11-12 01:08 ?156次閱讀
    深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器對(duì)射測(cè)量半導(dǎo)體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>厚度

    華為公開(kāi)量子計(jì)算新專利

    近日,華為公司公開(kāi)了一項(xiàng)名為“一種量子計(jì)算方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)以及芯片系統(tǒng)”的專利,其公開(kāi)號(hào)為CN118780379A。 該專利深入探索了量
    的頭像 發(fā)表于 10-27 10:00 ?355次閱讀

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?1398次閱讀

    降本增效取得新進(jìn)展,拉普拉斯申請(qǐng)圖形化工藝專利

    來(lái)源:金融界 近日,據(jù)天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“拉普拉斯”)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“圖形化工藝”的專利,公開(kāi)號(hào)CN202410574469.X。
    的頭像 發(fā)表于 07-19 09:54 ?235次閱讀

    北方華創(chuàng)微電子:清洗設(shè)備及定位裝置專利

    該發(fā)明涉及一種清洗設(shè)備及定位裝置、定位方法。其中,定位裝置主要用于帶有定位部的
    的頭像 發(fā)表于 05-28 09:58 ?386次閱讀
    北方華創(chuàng)微電子:<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>清洗設(shè)備及<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>定位裝置<b class='flag-5'>專利</b>

    劃片技術(shù)大比拼:精度效率的完美平衡

    半導(dǎo)體(Wafer)是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的基礎(chǔ)材料,而劃片是將上的芯片分離成單個(gè)器件的關(guān)鍵步驟。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:23 ?1986次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>劃片技術(shù)大比拼:<b class='flag-5'>精度</b>與<b class='flag-5'>效率</b>的完美平衡

    芯碁微裝推出WA 8對(duì)準(zhǔn)機(jī)與WB 8鍵合機(jī)助力半導(dǎo)體加工

    近日,芯碁微裝又推出WA 8對(duì)準(zhǔn)機(jī)與WB 8鍵合機(jī),此兩款設(shè)備均為半導(dǎo)體加工過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 13:58 ?945次閱讀

    鍵合及后續(xù)工藝流程

    芯片堆疊封裝存在著4項(xiàng)挑戰(zhàn),分別為級(jí)對(duì)準(zhǔn)精度、鍵合完整性、減薄與均勻性控制以及層內(nèi)(層間)互聯(lián)。
    發(fā)表于 02-21 13:58 ?5567次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>鍵合及后續(xù)工藝流程

    濱正紅PFA夾在半導(dǎo)體芯片晶處理中的應(yīng)用

    PFA夾,作為微電子制造領(lǐng)域的關(guān)鍵工具,近期受到了業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。最新的研究表明,使用PFA材料制作的夾在提高生產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 01-06 16:45 ?398次閱讀

    華微電子榮獲實(shí)用新型專利授權(quán),使脫膜更穩(wěn)定可靠

      近日,華微電子再次涉足半導(dǎo)體科技創(chuàng)新領(lǐng)域。公司成功獲批“脫膜輔助裝置”實(shí)用新型專利,這將極大程度上提升脫膜的
    的頭像 發(fā)表于 12-27 11:31 ?712次閱讀
    RM新时代网站-首页