三星電子在硅谷設(shè)立新實驗室，開發(fā)下一代3D DRAM芯片
三星電子近日宣布，已在美國硅谷開設(shè)一個新的研發(fā)（R&D）實驗室，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實驗室將由三星的Device Solutions America（DSA）運營，并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動。
這個新實驗室的核心任務(wù)是開發(fā)新一代的DRAM產(chǎn)品，旨在鞏固和提升三星在全球3D DRAM市場的領(lǐng)先地位。3D DRAM技術(shù)利用垂直堆疊的方式存儲數(shù)據(jù)，相比于傳統(tǒng)的平面DRAM，具有更高的存儲密度和更低的功耗。
三星電子硅谷研發(fā)實驗室的成立，標(biāo)志著公司對未來半導(dǎo)體技術(shù)的堅定投入和承諾。三星一直致力于引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，通過不斷的技術(shù)突破和產(chǎn)品迭代，滿足全球客戶對高性能、低功耗存儲解決方案的需求。
未來，三星電子硅谷研發(fā)實驗室將繼續(xù)積極探索3D DRAM技術(shù)的可能性，致力于開發(fā)出更高性能、更低成本的DRAM芯片，為全球客戶帶來更多優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。同時，這也將推動整個半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級。
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發(fā)表于 01-29 10:50
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