2.5/3D-IC封裝是一種用于半導(dǎo)體封裝的先進(jìn)芯片堆疊技術(shù)，它能夠把邏輯、存儲(chǔ)、模擬、射頻和微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)集成到一起，是未來封裝的發(fā)展方向。作為晶圓代工一哥的臺(tái)積電，是半導(dǎo)體技術(shù)革新的領(lǐng)頭羊，那么它有哪些前沿的2.5/3D IC封裝技術(shù)呢？

臺(tái)積電的2.5/3D IC 封裝主要有TSMC-SoIC,InFO，CoWoS三種類型。

TSMC-SoIC

TSMC-SoIC（System on Integrated Chips），能對10納米以下的制程進(jìn)行晶圓級的集成，最關(guān)鍵的創(chuàng)新是采用了無凸點(diǎn)（no-Bump）的鍵合結(jié)構(gòu)。

傳統(tǒng)的3D IC封裝技術(shù)通常用微凸點(diǎn)（micro-bumps）作為芯片間的互連結(jié)構(gòu)。然而，微凸點(diǎn)的間距限制了互連密度，因而限制了整體的集成密度和性能。

相比之下，SoIC技術(shù)采用了無凸點(diǎn)的直接鍵合技術(shù)，這種技術(shù)能夠減小芯片間距離，從而彌補(bǔ)了傳統(tǒng)3D IC封裝的短板。

TSMC的SoIC又包含了CoW（Chip-on-Wafer）和WoW（Wafer-on-Wafer）兩種形式。

CoW是將單獨(dú)的芯片（Chip）直接鍵合到一個(gè)待加工的晶圓（Wafer）上，而WoW則是將整個(gè)晶圓與另一個(gè)晶圓直接堆疊并鍵合。

InFO

InFO（Integrated Fan-Out），是一種先進(jìn)的扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)。InFO技術(shù)通過在晶圓上實(shí)現(xiàn)裸晶的扇出式布線（Fan-Out），使得芯片不需要傳統(tǒng)的基板，直接在芯片的外圍形成更多的I/O連接點(diǎn)。隨著技術(shù)的發(fā)展，TSMC推出了幾種不同的InFO技術(shù)變體，以滿足不同應(yīng)用的需求，包括InFO-PoP、InFO-oS、InFO-LSI等。

CoWoS

CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是一種先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù)，它是將多個(gè)不同功能的芯片首先封裝到一個(gè)硅轉(zhuǎn)接板上，利用這個(gè)硅轉(zhuǎn)接板上的高密度布線實(shí)現(xiàn)芯片間的互連，然后整個(gè)結(jié)構(gòu)再被安裝到一個(gè)更大的封裝基板上。CoWoS包括CoWoS-S，CoWoS-R,CoWoS-L. TSMC-SoIC,InFO，CoWoS之間的關(guān)系？

審核編輯：劉清