英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存，計劃采購
據(jù)3月20日消息，英偉達CEO黃仁勛在加利福尼亞州圣荷西舉行的新聞發(fā)布會上稱，HBM內(nèi)存制作困難且成本極高，堪稱“技術(shù)奇跡”。他還強調(diào)，與傳統(tǒng)DRAM相比，其能顯著提升數(shù)據(jù)中心的效率并且能耗更低。
提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認(rèn)可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。對于SK海力士的角色，他指出該廠商已成為英偉達現(xiàn)代化HBM內(nèi)存的主要來源之一。
IT之家提醒，AI加速卡現(xiàn)階段主要瓶頸除CoWoS封裝外，還有HBM。其中，由于HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，需經(jīng)歷投片至產(chǎn)出、封裝等環(huán)節(jié)，整個過程至少需要兩個季度。
英偉達目前主流H100加速卡采用HBM3內(nèi)存，主要供應(yīng)來自SK海力士，但難以滿足整體AI市場需求。集邦咨詢預(yù)計，三星將于2023年底以1Znm產(chǎn)品進軍英偉達供應(yīng)鏈，雖然份額仍較小，但足以證明其在HBM領(lǐng)域的進步。
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