GaN芯片制造商英諾賽科計劃香港上市
近日，有消息透露，英諾賽科公司正籌備在今年內赴香港進行首次公開募股（IPO），預計融資規(guī)模將達到約3億美元。
英諾賽科，這家成立于2015年12月的高新技術企業(yè)，專注于第三代半導體硅基氮化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司獨具匠心地采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，將芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析等關鍵環(huán)節(jié)融為一體。值得一提的是，英諾賽科已擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，這一優(yōu)勢使其在行業(yè)內脫穎而出。
此次IPO不僅標志著英諾賽科在資本市場上邁出了重要一步，也預示著其將進一步推動硅基氮化鎵技術的研發(fā)與應用，為半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展注入新動力。
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