電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近期，作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書，正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后，終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了公司的經(jīng)營情況。那么，成立于2015年的英諾賽科，在第三代半導體市場快速起量的近幾年發(fā)展如何呢？

三年營收超7億，虧損累計67億

英諾賽科在招股書中表示，公司是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。

氮化鎵憑借在效率、功率密度和可靠性方面的優(yōu)勢，已經(jīng)成為功率半導體行業(yè)傳統(tǒng)硅材料的替代和升級材料，解決了硅材料在頻率、功率、功耗、熱管理和器件尺寸方面的限制，可以應用在消費電子、可再生能源和工業(yè)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心等多個領(lǐng)域。


數(shù)據(jù)顯示，全球功率半導體市場規(guī)模在2019年約為3,206億元，2023年已經(jīng)增長至3,357億元，預計到2028年將達到4,968億元，2024年到2028年的復合年增長率為7.8%。與此同步增長的還有氮化鎵市場。

2023年全球氮化鎵功率半導體占整體功率半導體市場份額為0.5%，其中占全球功率半導體分立器件市場份額為1.4%。研究機構(gòu)預計到2028年將占全球功率半導體的 10.1%，占全球功率半導體分立器件市場比例提升至24.9%

氮化鎵功率半導體市場的增長空間，將是英諾賽科等氮化鎵企業(yè)的成長機會。

從財務數(shù)據(jù)來看，英諾賽科在報告期內(nèi)的營收不斷增長，2021年、2022年及2023年的營收分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元。但是在這三年，公司還未實現(xiàn)盈利，同期分別虧損34億元、22.05億元、11.02億元，累計虧損額約67億元；經(jīng)調(diào)整凈虧損分別為10.81億元、12.77億元和10.16億元，合計虧損33.74億元。

對于虧損原因，英諾賽科談到三大方面：一是在實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟前生產(chǎn)設(shè)備大幅折舊；二是往績記錄期間確認的大額研發(fā)開支；三是往績記錄期間銷售及營銷開支不斷增加。

招股書顯示，公司的流動資產(chǎn)凈值由截至2022年12月31日的人民幣916.1百萬元減少至截至 2023年12月31日的人民幣185.3百萬元。

截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，英諾賽科的累計出貨量超過5.0億顆。

分業(yè)務來看，2021年、2022年及2023年，氮化鎵分立器件及集成電路收入分別為0.28億元、0.86億元及1.92億元，分別占總收入的40.7%、63.3%及32.4%，復合年增長率為163.0%。氮化鎵晶圓的收入由2021年的0.39億元增至2023年的2.08億元，復合年增長率為130.1%。2023年，英諾賽科開始銷售氮化鎵模組，年收入達到190.4百萬元。



研發(fā)投入近16億元，月產(chǎn)能超10,000片晶圓

在研發(fā)方面，報告期內(nèi)的研發(fā)開支分別是6.62億元、5.81億元、3.49億元，三年累計近16億元，分別占同期運營開支的76.1%、68.4%及 50.8%。毫無疑問，未來的研發(fā)投資還會持續(xù)增加，在打造技術(shù)競爭優(yōu)勢時，英諾賽科也面臨著財務壓力。

報告期內(nèi)，英諾賽科開發(fā)了旗艦產(chǎn)品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列，是其首創(chuàng)的專利技術(shù)，最大的特點是由于可以實現(xiàn)雙向?qū)?，一顆 V-GaN芯片能替代兩顆硅MOSFET，從而達到節(jié)省空間、降低發(fā)熱的效果。

英諾賽科表示，公司利用本身的技術(shù)平臺，擴大了氮化鎵產(chǎn)品組合，以涵蓋廣泛的電壓范圍，并在900伏至1,200伏高壓產(chǎn)品及15伏至30伏低壓產(chǎn)品的開發(fā)方面不斷創(chuàng)新。英諾賽科還計劃發(fā)力車規(guī)級市場。

在現(xiàn)階段，英諾賽科的技術(shù)優(yōu)勢已經(jīng)得到行業(yè)的認可，氮化鎵分立器件可用于各種低中高壓應用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1,200V。當前英諾賽科已經(jīng)有了成熟的8英吋量產(chǎn)技術(shù)、全電壓譜系產(chǎn)品組合、獨特的氮化鎵封裝技術(shù)，以及高可靠的產(chǎn)品。

在8英吋量產(chǎn)技術(shù)方面，英諾賽科所開發(fā)的工藝流程完全與氮化鎵相容，并包含外延、平整及蝕刻工藝等一系列工藝。且8英吋硅基氮化鎵晶圓技術(shù)能夠與現(xiàn)有硅基設(shè)備無縫集成，從而實現(xiàn)遠高于6英吋氮化鎵晶圓的效率。這一成績也突破了國內(nèi)的8英寸硅基氮化鎵外延與芯片領(lǐng)域的空白。

英諾賽科表示公司已經(jīng)突破了每月10,000片晶圓的生產(chǎn)瓶頸，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)規(guī)模的商業(yè)化，截至2023年12月31日，晶圓良率超過95%。

招股書顯示，從2021年到2023年，英諾賽科的蘇州生產(chǎn)基地和珠海生產(chǎn)基地的產(chǎn)能基本實現(xiàn)提升。在2023年，英諾賽科氮化鎵晶圓總產(chǎn)能為9.27萬片，產(chǎn)量約為6.66萬片，產(chǎn)能利用率為71.8%。其中，蘇州工廠的產(chǎn)能為4.8萬片/年，產(chǎn)量為4.13萬片左右，產(chǎn)能利用率為86%；珠海工廠的產(chǎn)能約為4.47萬片，產(chǎn)量約為2.5萬片左右，產(chǎn)能利用率為56.5%。



在封裝技術(shù)方面，英諾賽科專有的高散熱封裝技術(shù)是為氮化鎵高電子遷移率晶體管（HE MT）而設(shè)計，解決了其平面結(jié)構(gòu)以及緊湊尺寸和高功率密度帶來的挑戰(zhàn)。

值得一提的是，英諾賽科還開拓了境外市場，2023年境外銷售收入約為5800萬元，占同期總收入的9.8%。

關(guān)于本次IPO的募集資金數(shù)額，英諾賽科并未透露，但其在招股書提到了募集資金的用途：50%%將用于擴大8英吋氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴大至未來五年每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機器及招聘生產(chǎn)人員。17.0%將用于償還銀行貸款。15.0%將用于研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合，以提高終端市場中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率。8.0%將用于擴大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。10.0%將用于營運資金及其他一般公司用途。