CP是把壞的Die挑出來,可以減少封裝和測試的成本。WAT是Wafer Acceptance Test,對專門的測試圖形(test key)的測試,通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。CP是對wafer進行測試,而FT是對package進行測試。
CP,F(xiàn)T,WAT都是與芯片的測試有關(guān),他們有什么區(qū)別呢?如何區(qū)分??
1 CP,F(xiàn)T,WAT分別是什么?
CP:Chip Probing,在半導體制造結(jié)束后,芯片從晶圓分割并封裝之前,使用探針卡接觸晶圓上的芯片,進行電氣測試以確保它們符合規(guī)格,一般包括vt(閾值電壓),Rdson(導通電阻),BVdss(源漏擊穿電壓),Igss(柵源漏電流),Idss(漏源漏電流)等,不同類別的產(chǎn)品測試的參數(shù)也不同。
FT:Final Test,即終測通常在芯片封裝完成后進行的最終測試。這個測試目的是驗證封裝好的芯片在功能上是否完全符合設(shè)計規(guī)格,包括其性能、功耗、可靠性等。
WAT:Wafer Acceptance Test,在晶圓加工過程中進行的測試,通過WAT,晶圓廠可以早期識別晶圓加工中的問題,如摻雜濃度不一致、光刻問題或蝕刻缺陷等,從而及時調(diào)整生產(chǎn)過程,避免大規(guī)模生產(chǎn)不良產(chǎn)品。
2 CP,F(xiàn)T,WAT的區(qū)別?
測的階段不同:CP,WAT在晶圓上測,F(xiàn)T則是對封裝好的每顆芯片進行測試。CP是所有半導體制造工藝結(jié)束后測,WAT在特定半導體制造工藝結(jié)束后測,而FT是芯片封裝完畢后測。
測的頻率不同:WAT一般是抽測,CP可抽測可全測,F(xiàn)T是全測。
審核編輯:劉清
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原文標題:CP,F(xiàn)T,WAT有什么區(qū)別?
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