外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同，接下來會(huì)為小伙們?cè)敿?xì)講解下。

PD快充芯片U8733主要特點(diǎn)：

1、集成 700V E-GaN

2、集成高壓啟動(dòng)功能

3、超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

4、谷底鎖定模式 ， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5、集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

6、驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

7、集成恒功率功能

8、外置 OTP 及主動(dòng)降功率功能

9、集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護(hù) (OVP/UVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

外置過熱保護(hù)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

10、封裝類型 ESOP-7

PD快充芯片U8733集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8733通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置 DEM 管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

PD快充芯片U8733系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過沖。



審核編輯：劉清