YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗

GaN技術的零反向恢復特性(因為不存在體二極管)導致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時間，從而降低了死區(qū)損失，提高了效率。GaN的開關頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無源器件的尺寸，從而實現(xiàn)更平滑的電機驅(qū)動GaN設計。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。

集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能

PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722BAS通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8722BAS系列還集成輕載SR應力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。

谷底鎖定及降頻工作模式

PD快充芯片U8722BAS采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8722BAS采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下，導通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。隨著負載的逐漸降低，系統(tǒng)導通的谷底個數(shù)逐漸增加，當谷底數(shù)超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統(tǒng)進入降頻工作模式，通過進一步降低開關頻率，減小開關損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。

U8722BAS

PD快充芯片U8722BAS憑借高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領域，進一步簡化和加速芯片尺寸緊湊、高功率密度的芯片應用開發(fā)。U8722BAS工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。