SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%
據(jù)了解，SK 海力士生產(chǎn)主管 Kwon Jae-soon近日向《金融時(shí)報(bào)》透露，其HBM3E存儲(chǔ)器的良率已接近80%。
相較于常規(guī)DRAM，HBM制造過(guò)程更為復(fù)雜，需在DRAM層間建立TSV硅通孔并進(jìn)行多次芯片鍵合，一旦某層DRAM出現(xiàn)故障，則整組HBM都要作廢處理。這使得HBM，特別是多層堆疊的HBM3E產(chǎn)品在良率上相對(duì)DRAM較低。
早在今年3月份，韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出，全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來(lái)看，SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
Kwon Jae-soon還表示，SK海力士已經(jīng)將HBM3E的生產(chǎn)周期縮短了50%。這意味著更高的生產(chǎn)效率，能為下游客戶如英偉達(dá)提供更穩(wěn)定的供應(yīng)。他進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，今年SK海力士的主要任務(wù)是生產(chǎn)8層堆疊的HBM3E，因?yàn)榇?a target="_blank">規(guī)格是當(dāng)前市場(chǎng)需求的主流。
Kwon Jae-soon表示：“在人工智能時(shí)代，提高產(chǎn)量對(duì)于保持領(lǐng)先地位至關(guān)重要。”
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