ASML再度宣布新光刻機計劃。據(jù)報道，ASML預計2030年推出的Hyper-NA極紫外光機（EUV），將縮小最高電晶體密度芯片的設計限制。

ASML前總裁Martinvan den Brink宣布，約在2030年將提供新的Hyper-NA EUV技術。目前仍處于開發(fā)初期階段的Hyper-NA將遵循High-NA系統(tǒng)，ASML今年初在英特爾奧勒岡廠首度安裝High-NA系統(tǒng)。

報導，van den Brink上月在比利時舉行的imecITF World演說指出，“長遠而言，我們必須改善我們的光源系統(tǒng)，而且我們也必須采用Hyper-NA。與此同時，我們必須使我們所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時400至500片晶圓”。

高數(shù)值孔徑（High-NA）是將數(shù)值孔徑（NA）從早期EUV工具的0.33 NA提高到0.55 NA。約三年前，ASML稱，高數(shù)值孔徑將協(xié)助芯片制造商在至少10年內達到2nm以下制程節(jié)點?，F(xiàn)在ASML表示，約在2030年該公司將提供Hyper-NA，達到0.75 NA。意味著或許可以支持到2埃米（0.2nm）以下的制程節(jié)點。

不過，ASML也澄清，這是van den Brink關于Hyper-NA的愿景，目前該公司仍在進行可行性研究。根據(jù)imec高級圖案化項目總監(jiān)Kurt Ronse的說法，這是ASML首度將Hyper-NA納入其路線圖。他與ASML合作開發(fā)曝光機超過30年。

Kurt Ronse表示，“現(xiàn)在有許多研究要進行，我們能否提高超越0.55至0.75、0.85？Hyper-NA肯定會帶來一些新挑戰(zhàn)”。

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審核編輯 黃宇