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2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2024-07-04 08:14 ? 次閱讀

英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶(WBG)半導體技術推進可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方案,以及電動交通和出行方案在Electronica China 2024(慕尼黑上海電子展)4號展館共同亮相,小編先帶你一睹為快!

7月9日

英飛凌將攜寬禁帶整體解決方案相約論壇

展臺設立三大核心區(qū)域

綠色能源和工業(yè)區(qū)域

2000V CoolSiC MOSFET

二極管首次公開亮相

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英飛凌于今年推出了市面上第一款擊穿電壓達到2000V的CoolSiC MOSFET分立器件,其開關損耗低,采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。適用于1500VDC的光伏組串逆變器、儲能系統(tǒng)和電動汽車充電等應用。此外,最新推出的2000V 40A CoolSiC二極管也將在展臺同步亮相。歡迎到現(xiàn)場一探究竟!

新一代CoolSiC MOSFET G2產(chǎn)品

正式揭開神秘面紗

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英飛凌于今年重磅推出新一代CoolSiC MOSFET Gen2技術。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%。值得一提的是,該產(chǎn)品具有業(yè)界最低的Rds(on)導通電阻,單個單管封裝可低至7 mΩ。該技術在保證低導通電阻的同時,承諾2μs的短路能力,在業(yè)界遙遙領先。此外,新一代CoolSiC MOSFET Gen2技術的最大工作結溫直接提升到200攝氏度,相較于第一代產(chǎn)品有了顯著的提升。

全面展示Easy SiC模塊產(chǎn)品系列

呈現(xiàn)完整產(chǎn)品線陣容

英飛凌Easy模塊具有可擴展性和靈活性,Easy 1B和2B模塊已上市多年,應用十分廣泛。為了確保以同樣模塊高度設計更高功率的系統(tǒng),英飛凌進一步開發(fā)了Easy 3B和4B模塊。這兩款封裝可以帶來更高的功率、更大的電流,采用1200V CoolSiC MOSFET芯片,以更好地滿足新興應用的要求。目前,1200V CoolSiC MOSFET M1H Easy模塊擁有豐富的拓撲結構,包括半橋、全橋、三相橋、三電平以及boost。其中半橋的Easy3B模塊,最小Rds(on)為2mΩ。本次展臺將首次展示最完整的Easy碳化硅產(chǎn)品線全陣容。

智能家居區(qū)域

GaN產(chǎn)品組合

240W單端口HFB + GaN參考設計

3kW 高效無橋圖騰柱PFC評估板

3KW 高效率LLC諧振變換器評估板

雷蛇 280W 氮化鎵充電器

英飛凌中壓氮化鎵馬達驅動方案

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智能電磁爐

英飛凌的產(chǎn)品組合,涵蓋了設計高端電磁爐所需的一切解決方案。先進的組件包括微控制器、IGBT、柵極驅動器、電流傳感器、HMI、麥克風和連接,讓您更快地完成開發(fā)。這款全功能入門套件的先進功能可確保您的電磁爐解決方案在未來幾年內(nèi)保持領先地位。

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維也納PFC方案

英飛凌使用低成本高性能的XMC MCU與Easy PIM模塊相結合,實現(xiàn)了高效低成本的維也納PFC方案。

關鍵器件:

FS3L35R07W2H5_C56: Infineon EasyPIM module, 35A/1200V/650V

1EDI20I12MF: 3x Infineon isolate gate driver

XMC1402-T038X0064: Infineon 32bit XMCMCU

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Magic Leap 2

Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司和湃安德(pmd)共同研發(fā)的3D間接飛行時間(iToF)深度傳感技術。

英飛凌和湃安德共同開發(fā)的飛行時間技術,可實時創(chuàng)建精確的環(huán)境3D圖以及人臉、手部細節(jié)或物體的3D圖像。

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LED矩陣上的雷達手勢感應演示

用于智能建筑和智能家居的手勢感應 (1m, Jorjin, SOM)

主要優(yōu)勢:

方向、接近和速度探測

隱藏安裝能力

在惡劣天氣條件下(溫度、光線、雨水)保持正常工作

運動跟蹤

幻像目標抑制

目標定位:適應不同的應用需求,在三維空間中精確定位多個目標

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PSOC Edge“火箭飛船著陸器”

PSOC Edge“火箭飛船著陸器”演示展示了使用PSOC Edge MCU構建的有趣互動游戲。該演示提供了一種街機游戲體驗,游戲圖形顯示在一個10英寸的顯示屏上,玩家可以用手勢來控制下降的火箭,使其遠離障礙物并安全著陸。

電動交通和出行區(qū)域

使用英飛凌第二代HybridPACK Drive

碳化硅功率模塊電機控制

電機控制器英飛凌系統(tǒng)解決方案

英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊

英飛凌功能安全電源芯片,AURIX單片機, EiceDRIVER Gen3, Swoboda無磁芯相電流傳感器,CAN通信接口

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可回流焊分立器件并聯(lián)三相全橋解決方案

車規(guī)級可回流焊版本TO247 PLUS 4PIN 封裝IGBT ;

型號AIKYX120/160/200N75CP2 ;

750V EDT2汽車級芯片,易并聯(lián) ;

優(yōu)化熱阻低至Rth=0.35K/W;

多管并聯(lián)三相全橋結構,靈活配置;

輸出功率可兼容30kW~180kW

HybridPACK Drive 產(chǎn)品系列

英飛凌HybridPACK功率模塊家族產(chǎn)品;

相同封裝滿足不同耐壓及不同功率等級需求;

降低系統(tǒng)設計成本

車載充電器應用-英飛凌分立器件產(chǎn)品系列

英飛凌 功率家族分立器件產(chǎn)品;

相同封裝滿足不同耐壓及不同功率等級需求;

降低系統(tǒng)設計成本

10kW氮化鎵充電機

系統(tǒng)性能:

超高功率密度:10kW/L;

超高效率:96%;

超寬電池電壓范圍:250V…1000Vdc

電路拓撲:

PFC級:3-Φ維也納整流器;500kHz工作頻率;

DC/DC級:4個DAB級聯(lián);工作頻率高達270kHz;

功率器件:

CoolGaN HEMT: IGOT60R070D1

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