動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-12-20 17:04
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發(fā)布了文章 2024-12-19 19:00
新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器650V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號(hào)：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產(chǎn)品特點(diǎn)英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成 -
發(fā)布了文章 2024-12-18 17:20
搶先領(lǐng)??！高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦
高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件使用壽命，且大幅超過標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，詳細(xì)闡述了英飛凌用于驗(yàn)證CoolGaN器件的四個(gè)方面的流程。硅的故障機(jī)制清晰，驗(yàn)證方法非常成熟，但傳統(tǒng)的硅驗(yàn)證工藝無法直接應(yīng)用于GaN技術(shù)產(chǎn)品，因?yàn)镚aN器件的材料和結(jié)構(gòu)特性與 -
發(fā)布了文章 2024-12-17 17:03
英飛凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮，榮獲2024年度極光獎(jiǎng)“年度影響力產(chǎn)品”獎(jiǎng)項(xiàng)。與此同時(shí)，憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新突破及產(chǎn)品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”的榮譽(yù)。點(diǎn)擊可查看大圖此外，作為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌持續(xù)致力于碳化硅技術(shù)的革新與發(fā)展，推動(dòng)市場向更高功率等級與更高能 -
發(fā)布了文章 2024-12-16 17:22
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理474瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-13 17:04
新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器
新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器650V和300V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號(hào)：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產(chǎn)品特點(diǎn)英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0106瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-12 17:03
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發(fā)布了文章 2024-12-11 17:04
深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？
/編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體546瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-11 01:03
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講98瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-10 01:00
英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列，適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)器電源
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設(shè)計(jì)人員提供了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實(shí)現(xiàn)非對稱輸出電壓，以經(jīng)濟(jì)高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極172瀏覽量
