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GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 HEMT 1187 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 820 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復(fù)...

2024-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN HEMT 1250 0

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 427 0

氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管仿真氮化鎵 3333 0

深入了解 GaN 技術(shù)

2023-12-06 標(biāo)簽：柵極氮化鎵 GaN 6144 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1558 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...

2023-06-14 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 2986 0

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 GaN 2778 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器晶體管 1057 0

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GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識

標(biāo)簽：GaN HEMT 3576 0

基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

標(biāo)簽：HEMT 2814 1

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CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 HEMT 166 0

QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-07-31 標(biāo)簽：GaN HEMT 86 0

ATF-541M4低噪聲增強(qiáng)模式偽HEMT微型無引線封裝產(chǎn)品簡介立即下載

類別：電子資料 2023-07-20 標(biāo)簽：封裝 LNA HEMT 287 0

TP65H035G4WS場效應(yīng)管英文手冊立即下載

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FHX76LP低噪聲高電子遷移率晶體管的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-14 標(biāo)簽：封裝 DBS HEMT 1393 0

RFPP2870混合推挽放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載立即下載

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QPD2731非對稱Doherty功率放大器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-07-31 標(biāo)簽：放大器 Doherty HEMT 956 0

不同的微波從柵極注入HEMT的影響立即下載

類別：射頻無線論文 2017-11-06 標(biāo)簽：微波 HEMT 824 0

使用ADS系統(tǒng)設(shè)計35GHz HEMT壓控振蕩器立即下載

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搶先領(lǐng)??！高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦

高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...

2024-12-18 標(biāo)簽：高壓晶體管白皮書 86 0

GaN HEMT正加速成為儲能市場主流

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）作為新一代的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標(biāo)簽：GaN 儲能 HEMT 3926 0

使用GaN HEMT設(shè)備最大化OBCs的功率密度

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GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 954 0

利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲

2023-12-07 標(biāo)簽：無線通信晶體管 HEMT 976 0

CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識，可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN...

2023-11-06 標(biāo)簽：smps GaN HEMT 699 0

AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...

2023-10-10 標(biāo)簽：蝕刻 GaN HEMT 754 0

CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...

2023-08-09 標(biāo)簽：氮化鎵 HEMT 411 0

CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達(dá)成全球分銷協(xié)議

為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公...

2023-06-30 標(biāo)簽：氮化鎵 CGD HEMT 664 0

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 標(biāo)簽：GaN HEMT Rohm 759 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機(jī)由電動機(jī)主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時候，產(chǎn)生的實用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機(jī)，這種電動機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計算機(jī)進(jìn)行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時則需要確認(rèn)技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級下的獨立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫崿F(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個開關(guān)管和兩個二極管，可實現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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