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針對(duì)典型的GaAs高電子遷移率晶體管（HEMT），研究了不同頻率高功率微波從柵極注入HEMT后的影響。利用半導(dǎo)體仿真軟件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二維電熱模型，考慮了高電場(chǎng)下的載流子遷移率退化和載流子雪崩產(chǎn)生效應(yīng)，通過(guò)分析器件內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度，電流密度，溫度分布隨信號(hào)作用時(shí)間的變化來(lái)探索其損傷過(guò)程及機(jī)理，獲得了其在不同頻率高功率微波作用下的燒毀時(shí)間，燒毀位置處的電場(chǎng)強(qiáng)度，電流密度以及溫度的變化。研究結(jié)果表明，隨著注入HPM頻率的增大，燒毀時(shí)間不斷減小，燒毀部位在柵極下方靠源側(cè)，電場(chǎng)強(qiáng)度在柵極靠源側(cè)以及漏側(cè)出現(xiàn)峰值，并隨頻率增大而增大，電流密度隨著頻率的增大，先增大后減小，在6 CHz達(dá)到最大值，器件的燒毀點(diǎn)在柵極靠源側(cè)，隨著頻率的增加，發(fā)熱區(qū)逐漸縮小，在6 CHz燒毀點(diǎn)溫度達(dá)到1670 K。
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