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微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
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100V GaN功率器件的特性挑戰(zhàn)
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Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
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5G終端天線研發(fā)所面臨的主要挑戰(zhàn)有哪些？哪些關(guān)鍵技術(shù)能層層突破這些困難？
2021-06-30 06:11:33
GaN HEMT可靠性測(cè)試：為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)
受到關(guān)注。因此，這些設(shè)備可能存在于航空航天和軍事應(yīng)用的更苛刻條件下。但是這些行業(yè)對(duì)任何功率器件（硅或GaN）都要求嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，而這正是GaN HEMT所面臨的問(wèn)題。氮化鎵HEMT與硅
2020-09-23 10:46:20
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最大限度的提高GaN HEMT器件帶來(lái)的好處直到最近MOSFET和IGBT器件相比GaN HEMT的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是它們廣泛的商業(yè)可用性，但是現(xiàn)在工程師們已經(jīng)能夠很容易的使用GaN HEMT技術(shù)了，更好
2019-07-16 00:27:49
GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性
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2019-06-25 07:41:00
CG2H80015D-GP4 氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
CGH40010F氮化鎵（GaN）高 電子遷移率晶體管
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率 基于晶體管
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
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LTE測(cè)試技術(shù)面臨什么挑戰(zhàn)
運(yùn)營(yíng)商建設(shè)LTE網(wǎng)絡(luò)的基本策略之一為L(zhǎng)TE網(wǎng)絡(luò)、2G和3G網(wǎng)絡(luò)將長(zhǎng)期共存，共同發(fā)展，多模、多制式、多頻的融合。LTE網(wǎng)絡(luò)測(cè)試領(lǐng)域也在業(yè)界的持續(xù)努力與實(shí)驗(yàn)網(wǎng)的驗(yàn)證下取得了很大的進(jìn)步。但在多網(wǎng)協(xié)同的發(fā)展方向上，仍面臨諸多挑戰(zhàn)，需要進(jìn)一步積極應(yīng)對(duì)。
2019-06-10 07:48:45
SoC測(cè)試技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)是什么？其發(fā)展趨勢(shì)如何？
SoC測(cè)試技術(shù)傳統(tǒng)的測(cè)試方法和流程面臨的挑戰(zhàn)是什么？SoC測(cè)試技術(shù)一體化測(cè)試流程是怎樣的？基于光子探測(cè)的SoC測(cè)試技術(shù)是什么？有什么目的？
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T2G6001528-Q3 GaN on SiC HEMT
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2021-08-04 11:50:58
WiMAX的發(fā)展與應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)分析
和一定移動(dòng)性的城域?qū)拵o(wú)線接入技術(shù)是目前業(yè)界最為關(guān)注的寬帶無(wú)線接入技術(shù)之一。本文將從WiMAX的技術(shù)發(fā)展、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、與LTE，UMB和IMT-Advanced之間的關(guān)系，以及WiMAX未來(lái)應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)等幾個(gè)方面進(jìn)行分析。
2019-07-16 07:28:51
使用空中鼠標(biāo)系統(tǒng)面臨哪些挑戰(zhàn)？如何去克服這些挑戰(zhàn)？
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基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌试陂_(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
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基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒(méi)有。請(qǐng)?zhí)崆皫椭?，謝謝。 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
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2021-06-04 07:02:37
多點(diǎn)綜合技術(shù)面臨什么挑戰(zhàn)？
隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性增加，傳統(tǒng)的綜合方法面臨越來(lái)越大的挑戰(zhàn)。為此，Synplicity公司開(kāi)發(fā)了同時(shí)適用于FPGA或 ASIC設(shè)計(jì)的多點(diǎn)綜合技術(shù)，它集成了“自上而下”與“自下而上”綜合方法的優(yōu)勢(shì)，能提供高結(jié)果質(zhì)量和高生產(chǎn)率，同時(shí)削減存儲(chǔ)器需求和運(yùn)行時(shí)間。
2019-10-17 06:29:53
如何DigRF技術(shù)進(jìn)行測(cè)試？其面臨的挑戰(zhàn)是什么？
如何DigRF技術(shù)進(jìn)行測(cè)試？DigRF技術(shù)生產(chǎn)測(cè)試的挑戰(zhàn)有哪些？
2021-04-15 06:05:31
如何利用非線性模型幫助GaN PA進(jìn)行設(shè)計(jì)？
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門(mén)話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過(guò)去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開(kāi)始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
將音頻編解碼器整合進(jìn)新一代SoC面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？
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2021-06-03 06:41:10
嵌入式系統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)互連技術(shù)將面臨哪些挑戰(zhàn)？
由于越來(lái)越多的設(shè)備需要通過(guò)Internet進(jìn)行通信或者控制，因此互連和安全功能成為除操作系統(tǒng)之外，設(shè)計(jì)者們還將面臨哪些挑戰(zhàn)呢？
2019-08-07 07:06:38
應(yīng)用GaN技術(shù)克服無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施容量挑戰(zhàn)
。這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù)下去，到2020年，LTE用戶數(shù)將達(dá)25億?！ ∫苿?dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商面臨著諸多挑戰(zhàn)，一方面要快速擴(kuò)容以支持增量用戶，另一方面則要盡量減少網(wǎng)絡(luò)中斷并降低成本。長(zhǎng)期而言，5G網(wǎng)絡(luò)有望大幅提升
2018-12-05 15:18:26
怎么優(yōu)化射頻和微波設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？
即使是最自信的設(shè)計(jì)人員，對(duì)于射頻電路也往往望而卻步，因?yàn)樗鼤?huì)帶來(lái)巨大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并且需要專(zhuān)業(yè)的設(shè)計(jì)和分析工具。怎么優(yōu)化射頻和微波設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？來(lái)簡(jiǎn)化任何射頻PCB 設(shè)計(jì)任務(wù)和減輕工作壓力！這個(gè)問(wèn)題急需解決。
2019-08-21 06:38:27
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無(wú)線通信行業(yè)對(duì)5G市場(chǎng)的愿景和該市場(chǎng)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？
無(wú)線通信行業(yè)對(duì)5G市場(chǎng)的愿景和該市場(chǎng)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？BEE7原型設(shè)計(jì)環(huán)境的具體方面和設(shè)計(jì)過(guò)程中需要做出的部分利弊權(quán)衡和設(shè)計(jì)決策
2021-05-21 06:09:06
有什么方法可以解決HID設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)？
HID設(shè)計(jì)面臨哪些挑戰(zhàn)？有什么方法可以解決HID設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)？
2021-05-17 06:06:54
機(jī)器開(kāi)發(fā)人員面臨哪些軟件挑戰(zhàn)以及硬件挑戰(zhàn)？如何去應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)？
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2021-06-26 07:27:31
模擬電路技術(shù)在數(shù)字時(shí)代面臨的挑戰(zhàn)有哪些？
模擬技術(shù)的無(wú)可替代的優(yōu)勢(shì)是什么？模擬電路技術(shù)在數(shù)字時(shí)代面臨的挑戰(zhàn)有哪些？未來(lái)，模擬技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么？與過(guò)去相比，目前模擬技術(shù)最突出應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？TI在模擬電路領(lǐng)域的發(fā)展方向和發(fā)展思路是什么？
2021-04-21 07:11:20
氮化鎵GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
汽車(chē)無(wú)線安全應(yīng)用面臨哪些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？
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2021-05-19 06:41:47
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2021-06-26 06:44:22
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電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)是什么什么是高速電路？高速電路面臨的問(wèn)題怎么解決？
2021-04-26 06:55:11
移動(dòng)電視射頻技術(shù)面臨什么挑戰(zhàn)
隨著數(shù)字移動(dòng)電視不斷向移動(dòng)設(shè)備的應(yīng)用轉(zhuǎn)移，應(yīng)用和系統(tǒng)工程師正面臨著各種挑戰(zhàn)，比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信號(hào)完整性。對(duì)現(xiàn)有移動(dòng)電視標(biāo)準(zhǔn)的研究重點(diǎn)將放在了DVB-H上。本文將從系統(tǒng)角度討論DVB-H接收器設(shè)計(jì)所面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，并重點(diǎn)介紹射頻前端。
2019-06-03 06:28:52
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用
處理，謝謝。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）已經(jīng)成為5G宏基站功率放大器的主流候選技術(shù)。GaN HEMT憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極
2019-04-13 22:28:48
非線性模型如何幫助進(jìn)行GaN PA設(shè)計(jì)？
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門(mén)話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過(guò)去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開(kāi)始并運(yùn)用大量
2018-08-04 14:55:07
首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)
科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國(guó)際微波研討會(huì)上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
2011-06-23 09:09:212124
2124不同的微波從柵極注入HEMT的影響
針對(duì)典型的GaAs高電子遷移率晶體管（HEMT），研究了不同頻率高功率微波從柵極注入HEMT后的影響。利用半導(dǎo)體仿真軟件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二維電熱模型，考慮了高電場(chǎng)
2017-11-06 15:17:32
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7紅外顯微鏡用于測(cè)量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的有什么局限性？
本文討論了紅外顯微鏡用于測(cè)量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它還將描述Qorvo的熱分析集成方法，它利用建模、經(jīng)驗(yàn)測(cè)量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。該方法是非常有效的，并已被經(jīng)驗(yàn)驗(yàn)證。通過(guò)承認(rèn)紅外顯微鏡的局限性，預(yù)測(cè)和測(cè)量可以比用低功率密度技術(shù)開(kāi)發(fā)的傳統(tǒng)方法更精確。
2018-08-02 11:29:0011
11《漲知識(shí)啦21》之增強(qiáng)型 HEMT器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
GaN 基高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢(shì)，并在其應(yīng)用領(lǐng)域已取得重要進(jìn)展，但GaN基HEMT器件大功率應(yīng)用的最大挑戰(zhàn)是其normally-on特性。對(duì)于傳統(tǒng)
2020-09-21 09:53:013557
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GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)路線及關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題
在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過(guò)程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508850
8850納微專(zhuān)家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)?，那到底有還是沒(méi)有體二極管？
2021-03-15 09:41:078331
8331GaN HEMT概述/分類(lèi)/結(jié)構(gòu)/工作原理
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4318442
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肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成
Imec 展示了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開(kāi)發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺(tái)。
2022-07-29 15:34:03837
837新的GaN技術(shù)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)基于GaN的HEMT
雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單，但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開(kāi)啟。
2022-07-29 09:27:171367
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高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計(jì)
，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:211670
1670GaN HEMT基本概述、分類(lèi)及工作原理
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:173330
3330GaN HEMT 模型初階入門(mén)：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）
GaN HEMT 模型初階入門(mén)：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:25805
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GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:44556
556用熱反射測(cè)溫技術(shù)測(cè)量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度
第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準(zhǔn)確檢測(cè)GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:521084
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AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢(shì)壘層、及2nm GaN帽層，勢(shì)壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:161496
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一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解 張書(shū)源，鐘世昌 發(fā)表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術(shù) +關(guān)注 0 引言 近年來(lái)，寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430
0GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展
晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測(cè)量工具和 技術(shù)，進(jìn)而呈現(xiàn)器件性能的優(yōu)劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術(shù)，詳細(xì)介紹了幾種表 征技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景和近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的相關(guān)
2023-02-20 11:47:22876
876CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS
致力于高至4GHz的普遍射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域需求設(shè)計(jì)。CHK8201-SYA特別適合多功能應(yīng)用領(lǐng)域，例如空間和電信網(wǎng)絡(luò) CHK8101-SYC在SIC技術(shù)上使用的GAN是種表面評(píng)估的HEMT工藝技術(shù)，根據(jù)
2023-05-09 11:32:02103
103GaN HEMT大信號(hào)模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:011375
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GaN HEMT工藝全流程
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:061222
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GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551654
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AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11293
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GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？
的應(yīng)用前景。然而，由于其特殊的材料性質(zhì)，GaN的驅(qū)動(dòng)電路面臨著一些挑戰(zhàn)。為了克服這些挑戰(zhàn)并實(shí)現(xiàn)GaN驅(qū)動(dòng)電路的突破，需要采取一些技術(shù)手段和設(shè)計(jì)技巧。 首先，由于GaN具有較高的開(kāi)關(guān)速度和能力，因此在驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中需要考慮高頻響應(yīng)和快速
2023-11-07 10:21:44513
513GaN HEMT為什么不能做成低壓器件
。由于這些優(yōu)勢(shì)，GaN HEMT在射頻功率放大器、微波通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信和電源應(yīng)用等領(lǐng)域被廣泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一個(gè)是它不能作為低壓器件使用。下面將詳細(xì)探討為什么GaN HEMT不能做成低壓器件，以及該限制的原因。 首先，為了明
2023-12-07 17:27:20337
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論