GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻。由于這些優(yōu)勢(shì)，GaN HEMT在射頻功率放大器、微波通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信和電源應(yīng)用等領(lǐng)域被廣泛采用。

然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一個(gè)是它不能作為低壓器件使用。下面將詳細(xì)探討為什么GaN HEMT不能做成低壓器件，以及該限制的原因。

首先，為了明確討論的范圍，我們需要了解什么是“低壓器件”。在電子器件中，低壓器件是指其工作電壓在幾伏至幾十伏之間的器件。相比之下，高壓器件的工作電壓通常在幾十伏至幾百伏之間。

GaN HEMT 主要用于功率放大器的設(shè)計(jì)，這通常需要在高電壓下運(yùn)行。GaN HEMT 吸引人的一個(gè)關(guān)鍵因素是它的高電子遷移率，這意味著電子能夠以更高的速度在晶格中移動(dòng)。高電子遷移率使得其在高電壓下能夠提供更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)高功率輸出。

然而，高電子遷移率也導(dǎo)致了GaN HEMT不能在低電壓下發(fā)揮其性能。這是因?yàn)榈碗妷合拢娮铀俣认鄬?duì)較低，無法充分利用GaN HEMT高遷移率的優(yōu)勢(shì)。此外，在低電壓下，電子傳輸效率也相對(duì)較低，會(huì)導(dǎo)致電流密度下降。

除了電子遷移率的限制外，GaN HEMT 在低壓條件下還存在一些其他的挑戰(zhàn)。高遷移率晶體管中的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)是由氮化鎵和氮化鋁組成的，這兩種材料在晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率等方面存在一定差異。這種差異在高溫和低電壓條件下容易導(dǎo)致應(yīng)力累積和晶格失配，從而導(dǎo)致器件的可靠性降低。

此外，低壓工作條件下，由于電場較低，可能會(huì)出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，這會(huì)引起器件破壞。而高壓工作條件下，電子更容易以更高的速度在晶格中移動(dòng)，從而避免了擊穿現(xiàn)象的發(fā)生。

盡管GaN HEMT在低壓下存在一些限制，但也并非完全沒有應(yīng)用的可能性。一些應(yīng)用中，例如電源電子學(xué)和電動(dòng)汽車，低電壓下需要高效能的器件。在這些場景下，研究人員一直在尋找解決方案以擴(kuò)展GaN HEMT的應(yīng)用范圍。

例如，一種方法是通過改變材料、優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和工藝等手段來提高低壓下的性能。研究人員正在嘗試使用更高的AlN摩爾百分比和氮化鋁堆垛層以改善GaN HEMT的性能。同時(shí)，盡管存在制作上的困難，研究人員也嘗試使用更薄的溝道層以增加電子速度，從而提高低壓工作條件下的性能。

綜上所述，盡管GaN HEMT具有許多優(yōu)點(diǎn)，但它不能作為低壓器件使用。這是由于電子遷移率高的特點(diǎn)，使得GaN HEMT在高電壓下能夠?qū)崿F(xiàn)更高的電流輸出，但在低電壓下表現(xiàn)不佳。此外，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的晶格失配和應(yīng)力累積也限制了GaN HEMT在低壓條件下的性能。然而，研究人員仍在尋求解決方案，以擴(kuò)展GaN HEMT的應(yīng)用范圍。