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hemt技術(shù)

深入了解 GaN 技術(shù)

2023-12-06 標簽：柵極氮化鎵 GaN 6145 0

GaN HEMT基本概述、分類及工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...

2022-09-27 標簽：晶體管 GaN HEMT 5174 0

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

2023-02-14 標簽：晶體管 GaN HEMT 4164 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性

已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管（HEMT）的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體（MIS）結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)...

2022-07-25 標簽：氮化鎵 HEMT 3661 0

氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。

2023-11-27 標簽：二極管仿真氮化鎵 3335 0

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫A...

2023-02-14 標簽：歐姆 GaN HEMT 3036 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...

2023-06-14 標簽：晶體管 GaN HEMT 2986 0

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，...

2023-05-25 標簽：半導(dǎo)體晶體管 GaN 2779 0

AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析

C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。

2023-02-14 標簽：半導(dǎo)體 MOS HEMT 2749 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性

通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...

2023-02-14 標簽：微波 SiC HEMT 2679 0

hemt帖子

GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標準達成共識

標簽：GaN HEMT 3577 0

基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

標簽：HEMT 2814 1

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FHX76LP低噪聲高電子遷移率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-14 標簽：封裝 DBS HEMT 1393 0

QPD2731非對稱Doherty功率放大器的詳細資料免費下載立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-07-31 標簽：放大器 Doherty HEMT 956 0

使用ADS系統(tǒng)設(shè)計35GHz HEMT壓控振蕩器立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2010-05-17 標簽：ADS HEMT 936 0

TP65H035G4WS場效應(yīng)管英文手冊立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-03-31 標簽：場效應(yīng)管 HEMT 865 0

不同的微波從柵極注入HEMT的影響立即下載

類別：射頻無線論文 2017-11-06 標簽：微波 HEMT 824 0

RFPP2870混合推挽放大器的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標簽：放大器 GaAs HEMT 707 0

ATF-541M4低噪聲增強模式偽HEMT微型無引線封裝產(chǎn)品簡介立即下載

類別：電子資料 2023-07-20 標簽：封裝 LNA HEMT 287 0

CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標簽：晶體管氮化鎵 HEMT 166 0

QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-07-31 標簽：GaN HEMT 86 0

hemt資訊

一文詳細了解高電子遷移率晶體管

HEMT（High Electron Mobility Transistor），高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，又稱為調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體...

2022-05-09 標簽：集成電路晶體管 HEMT 4585 0

GaN HEMT正加速成為儲能市場主流

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）作為新一代的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標簽：GaN 儲能 HEMT 3928 0

首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

2011-06-23 標簽：功率放大器衛(wèi)星通信 GaN 2318 0

射頻GaN需求飆升，專利申請戰(zhàn)全面啟動

RF GaN已被工業(yè)公司認可并成為主流。從知識產(chǎn)權(quán)的角度來看，美國和日本主導(dǎo)著整個RF GaN知識產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。

2019-02-21 標簽：射頻 Intel RF 2023 0

新的GaN技術(shù)簡化了驅(qū)動基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動器電路需要仔細設(shè)計。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 1821 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性?

已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 1278 0

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...

2022-07-26 標簽：氮化鎵 HEMT 1257 0

用于低溫應(yīng)用的GaN

當硅和寬禁帶器件（如碳化硅和垂直 GaN）的溫度下降時，會出現(xiàn)兩個重要現(xiàn)象，如文章中所述：載流子遷移率隨著高性能參數(shù)電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...

2022-07-29 標簽：功率器件 PID控制器 HEMT 1133 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 標簽：MOSFET GaN HEMT 1115 0

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續(xù)未來

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...

2023-03-14 標簽：電源氮化鎵 HEMT 1107 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標的情況，會馬上發(fā)出警示。
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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個孔，可以配合樂高的軸。當連結(jié)到RCX上時，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達到640X480，傳輸速率可以達到30幀。
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HCS12X系列單片機簡介 Freescale 公司的16位單片機主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機以及一些不想被GPS信號追蹤到的人群的一個機器，手機信號干擾器主要針對各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機的場所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機由電動機主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機電一體化產(chǎn)品。無刷電機是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機，又稱無換向器電機。早在十九紀誕生電機的時候，產(chǎn)生的實用性電機就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機，這種電動機得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認和說話人確認。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計算機進行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時可能需要辨認技術(shù)，而銀行交易時則需要確認技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠比不同電壓等級下的獨立工程更經(jīng)濟、便捷。
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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓撲電路可以實現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個開關(guān)管和兩個二極管，可實現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計算機系統(tǒng)供進一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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