RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設(shè)計(jì)

安森美 ? 來源:安森美 ? 2024-07-08 15:12 ? 次閱讀

在電動(dòng)車發(fā)展的過程當(dāng)中,充電和換電是兩個(gè)同時(shí)存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電,但其無法滿足快充的需求?,F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速,已經(jīng)有600kW的超充出現(xiàn),充電速度越來越逼近換電速度,但對(duì)電網(wǎng)壓力很大,還需要時(shí)間普及。換電則采取另外的方式,古代加急文書傳遞時(shí),士兵在驛站更換體力充沛的馬匹繼續(xù)前行就是這種理念。

動(dòng)力電池作為電動(dòng)汽車當(dāng)中最昂貴的部件,其可靠性至關(guān)重要,部分車主不太能接受隨意更換動(dòng)力電池的方式。而接受換電方式的用戶則可以提前享受到接近油車加油時(shí)間的使用感受。相信兩個(gè)模式還會(huì)在一段時(shí)間內(nèi)同時(shí)存在,直到極速充電得到普及。

關(guān)于充電和換電的優(yōu)缺點(diǎn),一直是網(wǎng)上的爭(zhēng)論熱點(diǎn)。今天來談一談?chuàng)Q電站中充電電路設(shè)計(jì),以及安森美(onsemi)碳化硅模塊給電路設(shè)計(jì)帶來的優(yōu)勢(shì)。

充電站電路結(jié)構(gòu)

1.PFC

充電站中的充電電路部分功能與功率范圍和直流充電樁類似,作用是用電網(wǎng)交流電源給汽車電池充電,功率也同樣是超過OBC功率的大功率快速充電,通常大于50kW。其對(duì)接電網(wǎng)部分是三相有源功率因數(shù)校正電路,以下以PFC簡(jiǎn)稱。

PFC可保持輸入電流和電壓之間的相位關(guān)系,并將線路/電網(wǎng)電流中的總諧波失真(THD)降至最低?,F(xiàn)在新的設(shè)計(jì)越來越多的需要雙向工作的能力,實(shí)現(xiàn)能量在電池與電網(wǎng)間的雙向流動(dòng)。目前流行的三相PFC線路有三種:6開關(guān),T-NPC,I-NPC。

wKgZomaLkcCAARh8AACqZpllFcg636.png

圖1 6開關(guān)三相PFC線路

wKgaomaLkcCAIFxdAAE4furxOFM841.png

圖2 T-NPC三相PFC線路

wKgaomaLkb-AMgzcAAGFw8qqWI4799.png

圖3 I-NPC三相PFC線路

6開關(guān)電路簡(jiǎn)潔,直接支持雙向工作,但需要較高耐壓能力的功率器件。

T-NPC或I-NPC則可以選擇較低電壓的主動(dòng)開關(guān)器件,但若要有雙向工作能力,則需要將圖中的部分二極管替換為主動(dòng)開關(guān)器件MOS或IGBT。

在汽車相關(guān)的電路設(shè)計(jì)當(dāng)中,可靠性至關(guān)重要。6開關(guān)三相PFC電路,擁有最簡(jiǎn)潔的電路設(shè)計(jì),如果是雙向的設(shè)計(jì)則更加明顯。

在1200伏SICMOSFET已經(jīng)大批量應(yīng)用在汽車電路設(shè)計(jì)的情況下,這種架構(gòu)無疑是非常有吸引力的,特別是雙向設(shè)計(jì)中。充電站中的電路設(shè)計(jì)需要更多考慮效率,因其整個(gè)生命周期的電路運(yùn)行時(shí)間很長,設(shè)計(jì)上以效率為優(yōu)先可以節(jié)約更多電能降低電費(fèi)。

因此碳化硅器件是優(yōu)先的選擇,尤其是對(duì)開關(guān)性能要求比較高的PFC部分??紤]到充電站的功率往往都比較大,單管并聯(lián)的方案面臨比較大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),其整體可靠性設(shè)計(jì)也相當(dāng)困難。而模塊方案則簡(jiǎn)化了整體的設(shè)計(jì),可靠性優(yōu)勢(shì)巨大。

wKgZomaLkb-AYs56AATRW5XXjso395.png

圖 4 安森美碳化硅模塊

安森美的碳化硅模塊,擁有比較全的內(nèi)阻檔位選擇,3mΩ-40mΩ內(nèi)阻范圍適合不同功率的設(shè)計(jì)選取,采用半橋架構(gòu)方便應(yīng)用在PFC和DC-DC電路中。其出色的熱管理給用戶帶來出色的整體散熱性能,散熱部分自帶隔離特性大大方便設(shè)計(jì)與制造。相對(duì)于分立器件方案,整機(jī)可靠性大大提高,制造難度大大降低。

NXH003P120和NXH004P120是采用新一代M3S技術(shù)的領(lǐng)先產(chǎn)品,其極低的內(nèi)阻和寄生參數(shù),非常適合PFC部分需要,同時(shí)具有優(yōu)秀的開關(guān)性能和低導(dǎo)通內(nèi)阻。可以幫助用戶實(shí)現(xiàn)非并聯(lián)設(shè)計(jì)的更高功率輸出。

2.LLC和CLLC

PFC電路和電池之間是DC-DC部分,通常需要隔離。單向設(shè)計(jì)較多采用LLC諧振電源或移相全橋PSFB(PhaseShifted Full Bridge)。而雙向設(shè)計(jì)則更多采用CLLC 或DAB(dualactive bridge)。今天以LLC和CLLC為例,談一談碳化硅模塊在充電站DC-DC電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。

LLC電路性能在各方面都表現(xiàn)很好,尤其是在最佳工作點(diǎn)附近時(shí),可以實(shí)現(xiàn)非常理想的工作狀態(tài),進(jìn)而得到很高的運(yùn)行效率。LLC其本身就具有雙向工作能力(副邊采用主動(dòng)整流器件如SICMOSFET),只是反向工作時(shí)無法實(shí)現(xiàn)LLC方式工作,只能工作在較差的工作點(diǎn)(LC串聯(lián)諧振模式),整體效率較低。CLLC(副邊增加L2,C2)則可以兼顧正向與反向工作點(diǎn)設(shè)計(jì)。

wKgaomaLkb-ADv32AACzUxymX74261.png

圖5 雙向設(shè)計(jì)的CLLC電路結(jié)構(gòu)

充電站一般要求兼容800V和400V電池,DC-DC次級(jí)可以分成兩個(gè)線圈來通過串聯(lián)或并聯(lián)來對(duì)應(yīng)800V或400V電池。這樣可以大大降低設(shè)計(jì)的負(fù)載電壓范圍,實(shí)現(xiàn)在更靠近理想工作點(diǎn)來工作,進(jìn)而提升效率節(jié)約電費(fèi)。

雖然LLC和CLLC是諧振電源,其對(duì)開關(guān)器件的開關(guān)性能要求沒有PFC級(jí)那樣嚴(yán)格,但SICMOSFET依然有很大優(yōu)勢(shì)。首先,電池的電壓在充電過程中一直在變動(dòng),LLC的原邊并非能一直在理想工作點(diǎn)附近工作,SICMOSFET的開關(guān)能力依然有優(yōu)勢(shì)。其次,整流一側(cè)的整流管要求好的開關(guān)性能,在充電器是雙向工作的電路設(shè)計(jì)中,原邊和副邊都會(huì)在某一個(gè)模式下當(dāng)作整流管使用,單向設(shè)計(jì)中,副邊始終是整流模式。SICMOSFET的體二極管擁有很好的開關(guān)性能,可以更好的勝任整流工作的需求,降低關(guān)斷時(shí)反向恢復(fù)電流帶來的影響。

wKgZomaLkb-AaZGMAAIPjgxRQYc977.png

圖6 M3S技術(shù)帶來的效率提升明顯

安森美的SICMOSFET模塊,尤其是基于新一代M3S技術(shù)開發(fā)的NXH003P120和NXH004P120提供出色的內(nèi)阻和開關(guān)特性,以及出色的體二極管開關(guān)特性,非常適合充電站DC-DC部分特別是雙向設(shè)計(jì)的電路??梢詭椭脩魧?shí)現(xiàn)單模塊非并聯(lián)設(shè)計(jì)高功率輸出能力。

安森美EliteSiC模塊

總之,在高功率充電電路設(shè)計(jì)中,碳化硅技術(shù)可以帶來高效率的目標(biāo),節(jié)能的同時(shí)具有高可靠性(更高的耐溫特性)。碳化硅模塊則更加為設(shè)計(jì)和制造帶來方便,進(jìn)一步提升產(chǎn)品的整體可靠性,在充電站這種高強(qiáng)度商業(yè)性應(yīng)用場(chǎng)景,高效率和高可靠性更加重要。

wKgZomaLkcCAXJhOAALwc41pIAY458.png

圖7 采用1200VSIC MOSFET設(shè)計(jì)帶來的簡(jiǎn)化

安森美擁有不同類型的碳化硅模塊產(chǎn)品,適應(yīng)不同電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),今天介紹的三相6開關(guān)PFC和LLC、CLLC結(jié)構(gòu)非常適合采用1200V半橋SICMOSFET模塊。其提供簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu),和天然的雙向工作能力,第三代M3SSICMOSFET技術(shù)賦予其高效的性能。包括兩款(NXH003P120M3F2PTHG/NXH004P120M3F2PTHG),采用標(biāo)準(zhǔn)F2封裝,具有出色的Rds(on)。M3S技術(shù)專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā),在開關(guān)損耗、Coss和Eoss方面具有優(yōu)異的品質(zhì)。

另外安森美提供新的ElitePower仿真工具,通過創(chuàng)新的PLECS模型實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破,對(duì)于硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用(例如LLC和CLLC諧振、雙有源橋和移相全橋等)都適用。該工具能夠精確呈現(xiàn)電路在使用我們的EliteSiC產(chǎn)品系列時(shí)的工況。

下面是F2封裝的SICMOSFET 模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖和外觀圖以及半橋類1200VSIC模塊的選型表。這些產(chǎn)品可以涵蓋25KW到100KW的功率范圍,提供簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)和高效率高可靠的快速充電整機(jī)性能。

wKgaomaLkcCAGcmlAANouwCcB-g750.png

圖8 SIC M3 MOS模塊F2封裝半橋圖例

wKgaomaLkcCAIJlWAASXPaRnVv4740.png

圖9 SICMOS半橋模塊選型

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 安森美
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1674

    瀏覽量

    91993
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2802

    瀏覽量

    62597
  • 充電站
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    317

    瀏覽量

    19103
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2746

    瀏覽量

    49009

原文標(biāo)題:前線芯思路 | 安森美SiC模塊,為可靠高效的換電站快充電路設(shè)計(jì)提供新靈感

文章出處:【微信號(hào):onsemi-china,微信公眾號(hào):安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時(shí)為最大
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    ??寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾?b class='flag-5'>中好的。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場(chǎng)前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國對(duì)半導(dǎo)體需求越來越多,我國已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
    發(fā)表于 01-12 11:48

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應(yīng)用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    設(shè)計(jì),不管是車身上的動(dòng)力總成(Powertrain)系統(tǒng),還是固定安裝在路邊或車庫里的充電樁,導(dǎo)入碳化硅組件的進(jìn)度都非???。對(duì)車載應(yīng)用而言,設(shè)備的大小跟重量非常關(guān)鍵。若車上的逆變器(Inverter)、充電
    發(fā)表于 09-23 15:02

    請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程總是會(huì)在
    發(fā)表于 08-31 16:29

    功率模塊的完整碳化硅性能怎么樣?

      本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。  分立器件(如 TO-2
    發(fā)表于 02-20 16:29

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

    風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短?! ?)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
    發(fā)表于 02-27 16:03

    安森美推出3款碳化硅用于車載充電器的汽車功率模塊

    APM32系列模塊助力所有類型的電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)更快充電和更遠(yuǎn)續(xù)航里程 2022年9月29日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),今天宣布推出三款基于
    發(fā)表于 02-21 09:17 ?2次下載
    <b class='flag-5'>安森美</b>推出3款<b class='flag-5'>碳化硅</b>用于車載<b class='flag-5'>充電</b>器的汽車功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    緯湃科技和安森美簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議,共同投資于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

    緯湃科技首席執(zhí)行官Andreas Wolf說:“高能效碳化硅功率半導(dǎo)體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價(jià)值鏈。通過這項(xiàng)投資,我們?cè)谖磥硎晟踔粮L時(shí)間內(nèi)都能確保該項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的供應(yīng)?!?/div>
    的頭像 發(fā)表于 06-06 15:03 ?829次閱讀
    緯湃科技和<b class='flag-5'>安森美</b>簽署<b class='flag-5'>碳化硅</b>長期供應(yīng)協(xié)議,共同投資于<b class='flag-5'>碳化硅</b>擴(kuò)產(chǎn)

    安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元

    證交所股票代碼:BWA),擴(kuò)大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:15 ?640次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>與博格華納擴(kuò)大<b class='flag-5'>碳化硅</b>戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元

    安森美中國區(qū)碳化硅首席專家談碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)與背后的意義、合作與機(jī)會(huì)

    點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國區(qū)汽車市場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績(jī)、 運(yùn)營模式、市場(chǎng)前景與
    的頭像 發(fā)表于 11-01 19:15 ?1030次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>中國區(qū)<b class='flag-5'>碳化硅</b>首席專家談<b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)與背后的意義、合作與機(jī)會(huì)

    安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?129次閱讀

    安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢(shì)?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:30 ?1354次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>收購Qorvo<b class='flag-5'>碳化硅</b>業(yè)務(wù),<b class='flag-5'>碳化硅</b>行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢(shì)?
    RM新时代网站-首页