RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導(dǎo)體攜汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)品亮相TMC 2024

基本半導(dǎo)體 ? 來源:基本半導(dǎo)體 ? 2024-07-08 15:40 ? 次閱讀

7月4-5日,由中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)主辦的第十六屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC 2024)在青島盛大舉行?;?a target="_blank">半導(dǎo)體攜旗下全系汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)品亮相本屆年會(huì),吸引了眾多國(guó)內(nèi)外汽車行業(yè)專家學(xué)者、汽車制造企業(yè)和頭部零部件企業(yè)的熱烈關(guān)注。

汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)是中國(guó)最具影響力的電動(dòng)化動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)交流平臺(tái)。會(huì)議期間,參會(huì)嘉賓圍繞汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)展開了深入的探討,同時(shí)展望了未來技術(shù)革新的方向和趨勢(shì)。年會(huì)共有約110場(chǎng)行業(yè)領(lǐng)袖、企業(yè)高層及專家演講,近130家公司展示前沿技術(shù)及產(chǎn)品服務(wù),近2500位專業(yè)人士參加會(huì)議和參觀展覽,開幕式及全體大會(huì)線上直播觀看人數(shù)超過60萬。

基本半導(dǎo)體此次重點(diǎn)展示了Pcore6、Pcore2、Pcell等汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的有壓型銀燒結(jié)、DTS+TCB(Die Top System + Thick Cu Bonding)等前沿封裝技術(shù),具有高功率密度、高可靠性、低寄生電感、低熱阻的特性,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平,通過提升汽車動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率、縮小體積、降低重量,進(jìn)而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程?;景雽?dǎo)體自主研發(fā)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)品種類豐富,性能優(yōu)越,吸引了眾多新能源汽車行業(yè)人士駐足咨詢,并進(jìn)一步洽談合作。

同時(shí),基本半導(dǎo)體模塊研發(fā)總監(jiān)周福鳴受邀參加了新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新專家座談會(huì)并在會(huì)上發(fā)言,和與會(huì)專家共同探討車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)。

基本半導(dǎo)體自2017年開始布局新能源汽車用碳化硅器件及模塊研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),在深圳投產(chǎn)6英寸碳化硅芯片產(chǎn)線,在無錫投產(chǎn)汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定大批量交付。公司目前已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個(gè)車型定點(diǎn),得到了汽車客戶的廣泛認(rèn)可,成為國(guó)內(nèi)第一批碳化硅模塊量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。

未來,基本半導(dǎo)體將不斷創(chuàng)新核心技術(shù),為客戶提供更高性能、高可靠性的車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品,攜手合作伙伴共同促進(jìn)汽車行業(yè)綠色低碳發(fā)展!

關(guān)于

基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳,在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì),核心成員包括二十余位來自清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、英國(guó)劍橋大學(xué)、德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)兩百余項(xiàng),核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管MOSFET芯片、汽車級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,服務(wù)于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè),承擔(dān)了國(guó)家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項(xiàng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,是國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

原文標(biāo)題:基本半導(dǎo)體亮相第十六屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC 2024)

文章出處:【微信號(hào):基本半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):基本半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議

    ????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:41 ?207次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

    近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?582次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)<b class='flag-5'>級(jí)</b>認(rèn)證

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?541次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢(shì)和分類

    基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

    隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性,成
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:26 ?382次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>銅燒結(jié)技術(shù)在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>中的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證,為汽車電子注入新動(dòng)力

    ,這一重要認(rèn)證不僅標(biāo)志著該產(chǎn)品在性能與可靠性上達(dá)到了汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求,也進(jìn)一步擴(kuò)大了基本半導(dǎo)體在車規(guī)級(jí)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:58 ?893次閱讀

    基本半導(dǎo)體多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展

    產(chǎn)品,吸引逾50萬專業(yè)觀眾參與。 基本半導(dǎo)體2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?801次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>攜</b>多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩<b class='flag-5'>亮相</b><b class='flag-5'>2024</b> SNEC國(guó)際光伏展

    宇泉半導(dǎo)體年產(chǎn)165萬只碳化硅功率模塊項(xiàng)目投產(chǎn)

    近日,宇泉半導(dǎo)體(保定)有限公司在河北保定高新區(qū)舉行了隆重的揭牌儀式,這標(biāo)志著公司投資的年產(chǎn)165萬只碳化硅功率模塊項(xiàng)目正式步入生產(chǎn)階段。
    的頭像 發(fā)表于 05-31 10:01 ?775次閱讀

    納微半導(dǎo)體亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)

    在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCI
    的頭像 發(fā)表于 05-30 14:43 ?605次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?719次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>功率</b>器件的開關(guān)性能比較

    宇泉保定半導(dǎo)體揭牌,年產(chǎn)165萬碳化硅功率模塊

    據(jù)《保定晚報(bào)》報(bào)道,宇泉半導(dǎo)體(保定)有限公司是由保定高新區(qū)攜手北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司共同組建而成。該項(xiàng)目自去年11月份起展開籌備工作,旨在吸引世紀(jì)金光半導(dǎo)體的“年產(chǎn)165萬只碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-30 09:14 ?900次閱讀

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?442次閱讀

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)迎來高速增長(zhǎng)

    電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長(zhǎng)正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的擴(kuò)張。中國(guó)的碳化硅外延片生產(chǎn)商,在瀚天天成和天域
    的頭像 發(fā)表于 04-16 13:42 ?420次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>元件市場(chǎng)迎來高速增長(zhǎng)

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料??芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?850次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝<b class='flag-5'>模塊</b>簡(jiǎn)介

    碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2835次閱讀
    RM新时代网站-首页