隨著脫碳轉(zhuǎn)型的加速，全球能源需求逐步轉(zhuǎn)向部署更多能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，包括直流快速充電器（DCFC）、太陽能逆變器和電池儲能系統(tǒng)（BESS）。安森美（onsemi）憑借數(shù)十年的技術(shù)創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，提供可靠、高效的下一代功率半導(dǎo)體，幫助縮短光儲充解決方案的開發(fā)時(shí)間，同時(shí)在功率密度和功率損耗方面超越預(yù)期。安森美有哪些光儲充方案和應(yīng)用案例？

安森美光儲充方案

光伏逆變器

太陽能帶來的主要優(yōu)勢在于，只要安裝了光伏逆變器系統(tǒng)，它就是一種 "免費(fèi)"能源。光伏逆變器有多種類型，其類型（集中式、組串式、微型）或終端應(yīng)用（住宅、商業(yè)、大型電站）各不相同。目前，組串式逆變器（string inverter）是最受歡迎的類型，因?yàn)樗哂徐`活且易于安裝的特點(diǎn)。隨著功率器件的不斷更新?lián)Q代，單套逆變器的功率等級/功率密度不斷提高，而單價(jià)和體積卻越來越小，這使其成為光伏逆變器市場的主流。

集中式光伏逆變器通常安裝在大型光伏電站中，具有超高容量。但是，由于安裝位置的限制，近年來， 組串式光伏逆變器的新增總?cè)萘恳呀?jīng)超過了集中式光伏逆變器。微型光伏逆變器主要用于住宅發(fā)電，同時(shí)也廣泛應(yīng)用于路燈和交通燈等城市基礎(chǔ)設(shè)施的供電。

與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET/IGBT 相比，碳化硅器件在高電壓應(yīng)用中更為適用。高電壓器件可簡化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，無需使用多電平轉(zhuǎn)換器。SiC 逆變器解決方案的損耗低于 IGBT 解決方案。

儲能

電池儲能系統(tǒng)通常與光伏逆變器系統(tǒng)配合使用，目前，額定電壓為1500V的光伏逆變器已進(jìn)入批量生產(chǎn)并投入使用。因此，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) (PCS) 的直流電壓也需要提升到相同水平。在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，如光伏逆變器和電動汽車直流充電樁，高壓是一個(gè)明顯的趨勢，因?yàn)楦邏嚎梢栽谙嗤敵龉β氏聨砀偷?a href="http://hljzzgx.com/tags/電流/" target="_blank">電流，減少系統(tǒng)損耗和電纜直徑。

然而，高壓系統(tǒng)也對元器件提出了挑戰(zhàn)。在1500V系統(tǒng)中，一般首選多電平電路中額定電壓為 1200 V 的功率器件，或兩電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中額定電壓為 2000 V 的碳化硅 MOSFET。此外，必須仔細(xì)考慮由更高電壓和更大功率引起的安全和電磁干擾問題。

充電站

光儲充融合的典型應(yīng)用是光儲充一體化的充電站，通過將光伏面板、逆變器、儲能變流器、充電電池組與直流快充樁相組合，可以在一定程度上實(shí)現(xiàn)自給自足，并為用戶提供較為優(yōu)惠的電價(jià)。此類充電站經(jīng)其初步統(tǒng)計(jì)，用到的大功率器件可能超過100個(gè)甚至達(dá)200個(gè)左右，對于功率器件而言是非常大的市場，采用碳化硅器件則是提高系統(tǒng)功率密度與轉(zhuǎn)換效率的一種非常有效的方式。

針對光儲充一體化系統(tǒng)，安森美提供全線豐富的IGBT、IGBT+SiC混合模塊或全SiC模塊產(chǎn)品，包括650V到1200V SiC MOSFET、650V到1700V SiC二極管等，具備高能效、高功率密度和高可靠性，同時(shí)輔以各種參考設(shè)計(jì)和開發(fā)工具，以及現(xiàn)場應(yīng)用支援，幫助客戶解決設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

為滿足市場需求，安森美也積極提升自身產(chǎn)能，同時(shí)與緯湃科技、上能電氣等多家逆變器或儲能系統(tǒng)供應(yīng)商簽訂了 戰(zhàn)略合作協(xié)議，充分印證了眾多客戶對安森美作為值得信賴的行業(yè)合作伙伴的認(rèn)可。