以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力，已在新能源汽車、光儲充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高應(yīng)用價(jià)值，并具有較大的遠(yuǎn)景發(fā)展空間。以碳化硅為例，根據(jù)咨詢機(jī)構(gòu)報(bào)告，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元（約663.53億人民幣）。在萬年芯等企業(yè)看來，各國“國家隊(duì)”的出手，正是為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)健發(fā)展伸出援手。

“國家隊(duì)”出手，細(xì)看各國對碳化硅/氮化鎵政策

早在2021年，國內(nèi)就出臺了一系列相關(guān)政策，全面加大了對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度（如圖所示）。而近期，河北、陜西等省發(fā)布了第三代半導(dǎo)體相關(guān)支持政策，表明各地進(jìn)一步加大對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持力度。其中，河北印發(fā)的《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個(gè)細(xì)分行業(yè)發(fā)展的若干措施》，包括在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領(lǐng)域組織實(shí)施一批技術(shù)改造項(xiàng)目，積極爭取將在建和擬建第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)項(xiàng)目納入國家“十四五”重大項(xiàng)目儲備庫。陜西則印發(fā)《陜西省培育千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群行動計(jì)劃》，將重點(diǎn)開展第三代半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)與核心產(chǎn)品攻關(guān)，打通晶體材料高效生長、器件設(shè)計(jì)制造等產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，打造千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。

國際方面，美國政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，特別是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。美國通過《芯片與科學(xué)法案》（Chips for America Act）等立法，提供資金支持和稅收優(yōu)惠，以促進(jìn)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此外，美國還通過國防高級研究計(jì)劃局（DARPA）等機(jī)構(gòu)，支持第三代半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用。歐盟通過“地平線2020”計(jì)劃（Horizon 2020）等項(xiàng)目，支持半導(dǎo)體材料的研究和創(chuàng)新。歐盟還通過“歐洲共同利益重要項(xiàng)目”（IPCEI）等機(jī)制，提供資金支持，促進(jìn)成員國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作和創(chuàng)新。此外，日本通過“新經(jīng)濟(jì)成長戰(zhàn)略”等政策，韓國通過“半導(dǎo)體超級大國戰(zhàn)略”等政策，德國政府通過“高科技戰(zhàn)略”等政策，支持半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，其中包括促進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展。目前，全球各國都在從政策方面持續(xù)對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行引導(dǎo)和扶持，有助于推動第三代半導(dǎo)體在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透。

“惠及”上下游，加碼三代半產(chǎn)業(yè)扶持

除政策引導(dǎo)和扶持外，在資金補(bǔ)貼方面，各國對于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展投入較大，且正在不斷加碼。

這些補(bǔ)助體現(xiàn)了各國政府對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要性的認(rèn)識，以及確保本國在全球第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中保持競爭力的決心。通過這些補(bǔ)助，各國旨在推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)升級、產(chǎn)能擴(kuò)大。

除此之外，各國“國家隊(duì)”在多個(gè)方面支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商，參與這場日益火熱的全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爭奪戰(zhàn)。“國家隊(duì)”出手，在壯大本國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力的同時(shí)，有望帶動更多本國廠商加入投建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大軍。在政策扶持和資金支持雙重力量推動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展態(tài)勢，從項(xiàng)目落地實(shí)施方面可窺見一斑。僅2024年上半年，國內(nèi)就有數(shù)十個(gè)碳化硅相關(guān)項(xiàng)目披露新進(jìn)展。而在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面，通過產(chǎn)學(xué)研合作，國家主導(dǎo)建設(shè)的科研機(jī)構(gòu)和高校助力三代半相關(guān)廠商加速實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級迭代和產(chǎn)業(yè)化。

萬年芯：三代半企業(yè)應(yīng)專注研發(fā)，迎接政策

各國對于三代半產(chǎn)業(yè)的引導(dǎo)和扶持，體現(xiàn)了對相關(guān)領(lǐng)域的重視，有助于加速技術(shù)突破。同時(shí)，國家的重視和支持，還能夠帶動地方政府和民間資本的投入，形成國家引導(dǎo)、地方支持、民間投資的多元化投融資格局。在萬年芯看來，這也為國內(nèi)外眾多三代半企業(yè)打了一劑強(qiáng)心針。

關(guān)于碳化硅功率器件，萬年芯研發(fā)包含SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊和超低內(nèi)阻SiC MOSFET等。SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強(qiáng)大的驅(qū)動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動電機(jī)的變頻器和各種逆變電源；超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，采用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，650V系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐；TO247-4PHC封裝具有強(qiáng)大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），適用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

江西萬年芯微電子有限公司成立于2017年，是一家專業(yè)從事集成電路、存儲芯片、傳感器類產(chǎn)品、大功率模塊及功率器件等封裝測試研發(fā)的高新科技企業(yè)。目前已獲得國內(nèi)專利134項(xiàng)，是國家專精特新“小巨人”企業(yè)、“國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”，擁有國家級博士后工作站，為海關(guān)AEO高級認(rèn)證企業(yè)，將堅(jiān)持以實(shí)力推動科技創(chuàng)新的高質(zhì)量發(fā)展。

整體來看，各國引導(dǎo)和扶持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不僅能夠推動產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級，還能夠在保障產(chǎn)業(yè)鏈安全、提升國際競爭力等方面發(fā)揮重要作用。隨著各國加大扶持力度，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際競爭將加劇。