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央企引領(lǐng)芯片創(chuàng)新,萬(wàn)年芯助力重點(diǎn)領(lǐng)域突破

萬(wàn)年芯微電子 ? 2024-08-14 13:58 ? 次閱讀

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,芯片等高新科技領(lǐng)域的創(chuàng)新成為了國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的核心動(dòng)力。近日,國(guó)務(wù)院國(guó)資委、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布《關(guān)于規(guī)范中央企業(yè)采購(gòu)管理工作的指導(dǎo)意見(jiàn)》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)指導(dǎo)意見(jiàn)),強(qiáng)調(diào)在芯片等科技創(chuàng)新重點(diǎn)領(lǐng)域,央企將帶頭使用創(chuàng)新產(chǎn)品。在萬(wàn)年芯看來(lái),這無(wú)疑為我國(guó)的科技創(chuàng)新注入了強(qiáng)大的動(dòng)力。

指導(dǎo)意見(jiàn)提到,在衛(wèi)星導(dǎo)航、芯片、高端數(shù)控機(jī)床、工業(yè)機(jī)器人、先進(jìn)醫(yī)療設(shè)備等科技創(chuàng)新重點(diǎn)領(lǐng)域,充分發(fā)揮中央企業(yè)采購(gòu)使用的主力軍作用,帶頭使用創(chuàng)新產(chǎn)品。

指導(dǎo)意見(jiàn)要求,要公開(kāi)破除行業(yè)壟斷行為,更要競(jìng)爭(zhēng)擇優(yōu),廣泛搜尋供應(yīng)資源,以性能價(jià)格比最佳、全生命周期綜合成本最優(yōu)為目標(biāo),優(yōu)選供應(yīng)商、承包商或服務(wù)商。

在眾多積極響應(yīng)這一號(hào)召的企業(yè)中,萬(wàn)年芯這家具有前瞻性和創(chuàng)新精神的企業(yè)脫穎而出。萬(wàn)年芯成立于2017年,目前已獲得國(guó)內(nèi)專(zhuān)利134項(xiàng),是國(guó)家專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)、“國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)”,擁有國(guó)家級(jí)博士后工作站。致力于碳化硅(SiC)功率模塊、封裝測(cè)試的研發(fā)與創(chuàng)新。

萬(wàn)年芯研發(fā)的碳化硅(SiC)功率模塊及器件封裝產(chǎn)品包括:

SiC PIM模塊:具有高耐壓、高可靠性、低損耗以及可高頻、高溫操作等優(yōu)越性能,相比硅基IGBT PIM,這款碳化硅PIM的額定電流提升了50%,適用于新能源汽車(chē)、充電樁、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域。

智能功率模塊(IPM):封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片,具有高可靠性、高效、高頻、使用方便等優(yōu)勢(shì),適用于各類(lèi)電源管理電子產(chǎn)品邏輯電路控制等方面。

超低內(nèi)阻SiC MOSFET采用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu),TO247-4PHC封裝具有強(qiáng)大的過(guò)流能力(持續(xù)電流200A)、耐壓能力(3300V),適用于40-60kW充電樁電源、100kW工商儲(chǔ)能PCS、5G電源、太陽(yáng)能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車(chē)等行業(yè)。

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國(guó)資委與發(fā)改委的這一決策,為萬(wàn)年芯等高新科技企業(yè)帶來(lái)了發(fā)展機(jī)遇。央企帶頭使用重點(diǎn)領(lǐng)域創(chuàng)新產(chǎn)品,將有效激勵(lì)萬(wàn)年芯等半導(dǎo)體企業(yè)不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平,以滿(mǎn)足央企等高端用戶(hù)對(duì)于芯片性能和安全性的嚴(yán)格要求。

對(duì)于整個(gè)行業(yè)而言,央企在芯片等重點(diǎn)領(lǐng)域帶頭使用創(chuàng)新產(chǎn)品,將營(yíng)造出鼓勵(lì)創(chuàng)新、支持創(chuàng)新的良好環(huán)境,吸引更多企業(yè)和人才投身于重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā),更有助于提升我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)和轉(zhuǎn)型,為經(jīng)濟(jì)的高質(zhì)量發(fā)展注入活力。

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