rm新时代跑路,RM平台

愛仕特發(fā)布新一代超低電感LPD系列碳化硅功率模塊

在近日于深圳國際會展中心盛大舉行的PCIM Asia 2024展會上，愛仕特科技以其突破性創(chuàng)新震撼全場，正式發(fā)布了新一代超低電感LPD系列碳化硅功率模塊。這款模塊的問世，標志著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域在降低雜散電感、提升能效方面邁出了重要一步。

LPD系列碳化硅模塊采用前沿的封裝技術(shù)和精密的三相全橋設(shè)計，內(nèi)部集成了高性能的1200V碳化硅MOSFET與高精度熱敏電阻，實現(xiàn)了前所未有的低雜散電感——僅2.5nH，確保了電流路徑的極致優(yōu)化與高速開關(guān)的精準控制。其工作電壓范圍覆蓋900V至1000V，支持高達30kHz的工作頻率，輸出功率可突破300kW大關(guān)，展現(xiàn)了卓越的電氣性能與強大的負載能力。

尤為值得一提的是，LPD模塊不僅在技術(shù)上達到了國際領(lǐng)先水平，更在性價比上實現(xiàn)了對國內(nèi)外同類產(chǎn)品的超越，為用戶提供了更加經(jīng)濟高效的選擇。其耐久可靠的性能特點，使之成為電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅(qū)動以及光伏風能發(fā)電等前沿領(lǐng)域的理想之選，助力新能源產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展，共創(chuàng)綠色未來。

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。舉報投訴

功率模塊

功率模塊

+關(guān)注

關(guān)注
10

文章
466

瀏覽量
45098
碳化硅

碳化硅

+關(guān)注

關(guān)注
25

文章
2748

瀏覽量
49017
LPD

LPD

+關(guān)注

關(guān)注
0

文章
11

瀏覽量
5712

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本

發(fā)表于 09-13 11:00 ?535次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，使得

發(fā)表于 09-13 10:56 ?655次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅

發(fā)表于 09-11 10:44 ?497次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨特的物理和化學(xué)屬性，使得碳化硅

發(fā)表于 09-11 10:41 ?322次閱讀

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）

發(fā)表于 09-11 10:25 ?530次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件有哪些優(yōu)勢

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，

發(fā)表于 08-07 16:22 ?541次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢和分類

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一

發(fā)表于 07-18 15:26 ?383次閱讀

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的

發(fā)表于 05-30 11:23 ?720次閱讀

浮思特自研(SiC Module)碳化硅功率模塊特性技術(shù)應(yīng)用

SiCModule，即碳化硅功率模塊，是一種利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基

發(fā)表于 05-21 11:09 ?463次閱讀

英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和

發(fā)表于 03-20 10:32 ?940次閱讀

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標志著

發(fā)表于 03-12 09:43 ?698次閱讀

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

和發(fā)電機繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為

發(fā)表于 03-08 08:37

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于

發(fā)表于 01-11 17:33 ?851次閱讀

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率

發(fā)表于 01-09 09:26 ?2837次閱讀

碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢

隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在?/div>
發(fā)表于 01-06 14:15 ?740次閱讀