三星調(diào)整晶圓代工策略，聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建，轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映了三星對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)需求的精準(zhǔn)把握與未來技術(shù)趨勢(shì)的深刻洞察。
據(jù)悉，三星已暫停平澤P4工廠第二期晶圓代工生產(chǎn)線的建設(shè)，而NAND Flash的P4一期產(chǎn)線則即將投產(chǎn)，三期產(chǎn)線也在緊鑼密鼓地建設(shè)中，預(yù)計(jì)中秋節(jié)后將進(jìn)入設(shè)備安裝階段。此舉不僅彰顯了三星在NAND Flash領(lǐng)域的持續(xù)投入與領(lǐng)先地位，也為其在HBM等高端存儲(chǔ)市場(chǎng)的布局奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
同時(shí)，業(yè)界還傳出消息，三星位于美國德州泰勒的晶圓代工工廠設(shè)備投資計(jì)劃也將推遲一個(gè)季度，進(jìn)一步體現(xiàn)了三星在產(chǎn)能布局上的謹(jǐn)慎態(tài)度與靈活應(yīng)變能力。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1681瀏覽量
136118 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15859瀏覽量
180983 -
晶圓代工
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
859瀏覽量
48581 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
379瀏覽量
14744
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
三星計(jì)劃關(guān)閉半數(shù)晶圓代工產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)虧損
據(jù)報(bào)道，三星電子半導(dǎo)體部門正面臨巨大的財(cái)務(wù)壓力，第三季度代工業(yè)務(wù)虧損預(yù)計(jì)高達(dá)1萬億韓元（約合7.24億美元）。為了降低成本，三星已決定暫時(shí)關(guān)閉部分晶
三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整：將同時(shí)生產(chǎn)DRAM和NAND Flash
據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子已決定調(diào)整其平澤園區(qū)P4產(chǎn)線第一期的產(chǎn)能分配，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的快速變化。這一決策標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重要調(diào)整
三星電子晶圓代工副總裁:三星技術(shù)不輸于臺(tái)積電
在近期的一場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研交流研討會(huì)上，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部的副總裁Jeong Gi-tae展現(xiàn)出了高度的自信。他堅(jiān)決表示，三星的技術(shù)并不
三星舉辦2024晶圓代工論壇，聚焦AI與先進(jìn)代工技術(shù)
三星電子宣布將于10月24日舉辦中國“2024三星晶圓代工論壇”（SFF），旨在展示其在晶
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月1
三星電子第二季度晶圓代工業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)虧損顯著
三星電子近期公布的2024年第二季度財(cái)報(bào)顯示，公司整體業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，總營收達(dá)到74.07萬億韓元（約合541.84億美元），同比增長(zhǎng)23.4%，營業(yè)利潤更是同比暴漲1462.3%至10.4萬億韓元。然而，在這份亮麗的成績(jī)單背后，三星的晶
三星晶圓代工困局難解，2024年或陷巨額虧損
三星電子，作為全球科技巨頭之一，盡管在2024年第二季度展現(xiàn)出整體市場(chǎng)的強(qiáng)勁勢(shì)頭，其晶圓代工業(yè)務(wù)卻持續(xù)深陷困境之中。據(jù)韓國工業(yè)和證券部門的最新預(yù)測(cè)，這一關(guān)鍵領(lǐng)域恐將在今年面臨“數(shù)萬億韓
三星晶圓代工發(fā)力，挑戰(zhàn)臺(tái)積電地位
三星電子在最新的投資人財(cái)報(bào)會(huì)議中透露，其晶圓代工業(yè)務(wù)在上季度實(shí)現(xiàn)了顯著的利潤增長(zhǎng)，預(yù)示著該領(lǐng)域的強(qiáng)勁復(fù)蘇。公司對(duì)未來充滿信心，預(yù)計(jì)下半年晶
三星否認(rèn)晶圓代工廠生產(chǎn)缺陷傳聞
近日，韓國三星電子代工晶圓制造工廠的生產(chǎn)缺陷傳聞在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。有消息傳出，三星在第二代3納米工藝生產(chǎn)過程中，發(fā)生了高達(dá)2500批次的
三星欲提前量產(chǎn)1nm工藝，計(jì)劃2026年量產(chǎn)
據(jù)悉，三星電子晶圓代工部門將于6月12日至13日在美國硅谷舉行晶圓
三星HBM研發(fā)受挫，英偉達(dá)測(cè)試未達(dá)預(yù)期，如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場(chǎng)需求？
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星HBM3E未能通過英偉達(dá)測(cè)試可能源于臺(tái)積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺(tái)積電在晶圓
三星電子NAND晶圓投片量上調(diào)約30%，謹(jǐn)慎對(duì)待市場(chǎng)發(fā)展
以全速運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，三星NAND閃存生產(chǎn)線季度晶圓投片量可超過200萬片。同時(shí)，該公司已為二至四季度設(shè)定晶圓
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模
三星力爭(zhēng)取高通3nm訂單，挑戰(zhàn)臺(tái)積電代工霸權(quán)？
供應(yīng)鏈消息指出，盡管面臨三星的熱情攻勢(shì)，高通依然在認(rèn)真權(quán)衡未來兩年內(nèi)是否繼續(xù)采用包括臺(tái)積電和三星在內(nèi)的“雙重晶圓代工”
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論