nand知識

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  3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

  芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外

  2024-12-19 標簽： NAND 3D 堆疊 76 0

• 關(guān)于NAND Flash的一些小知識

  前言 作為一名電子專業(yè)的學生，半導體存儲顯然是繞不過去的一個坎，今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識。 這里十

  2024-12-17 標簽： 芯片 NAND 存儲 109 0

• 三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

  近日，據(jù)相關(guān)報道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉

  2024-11-27 標簽： 半導體 NAND 光刻膠 229 0

• 江波龍自研SLC NAND Flash出貨量破億

  江波龍在存儲芯片設(shè)計領(lǐng)域取得了顯著成果，自研SLC NAND Flash累計出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計能力

  2024-11-20 標簽： NAND 存儲芯片 slc 340 0

• MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認停產(chǎn)傳聞

  近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言，三星計

  2024-11-20 標簽： 閃存 NAND MLC 392 0

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  一文帶你了解什么是SD NAND存儲芯片

  前言： 隨著國內(nèi)市場對芯片的需求日益增加，國產(chǎn)中高端芯片在不斷的占領(lǐng)國內(nèi)市場甚至在國際市場都有一部分，越來越多的企業(yè)開始

  2024-11-13 標簽： NAND 存儲 SD NAND 890 0

• 鎧俠投資360億日元研發(fā)CXL省電存儲器

  近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布，將在未來三年內(nèi)投資360億日元，用于研發(fā)AI用CXL(Compute Exp

  2024-11-12 標簽： NAND 存儲器 數(shù)據(jù)中心 352 0

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  一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲器的區(qū)別

  存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用： 1 NANDNAND Flas

  2024-11-11 標簽： NAND DDR emmc 2071 0

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  eMMC主控的定義和主要功能

  eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲卡。eMMC采用統(tǒng)一標準的接

  2024-11-09 標簽： 閃存 控制器 NAND 482 0

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  3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

  傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴展性已達到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應運而生，通過在垂直方向上堆疊存儲單

  2024-11-06 標簽： 半導體 NAND 3D 497 0

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