RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

存儲(chǔ)器之戰(zhàn),中國(guó)必勝!

傳感器技術(shù) ? 來(lái)源:未知 ? 作者:佚名 ? 2017-11-27 14:04 ? 次閱讀

轉(zhuǎn)自:國(guó)際電子商情

日前,三星210億美元砸向存儲(chǔ)器的數(shù)字再次刺痛了不少中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者的眼睛,如今國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)建設(shè)正發(fā)展得如火如荼,中國(guó)存儲(chǔ)器之戰(zhàn)已經(jīng)打響...

三星210億美元投資存儲(chǔ)器

IC Insights 14日發(fā)表研究報(bào)告指出,今年全球半導(dǎo)體資本支出有望成長(zhǎng)35%至908億美元,其中三星今年的支出高達(dá)260億美元、遠(yuǎn)多于去年的113億美元,比英特爾、臺(tái)積電加總起來(lái)還要多。

IC Insights總裁Bill McClean指出,其追蹤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這37年來(lái),從未看過如此積極的資本支出計(jì)劃,三星今年的支出規(guī)模,在半導(dǎo)體業(yè)界可說是史無(wú)前例。(圖為三星歷年支出統(tǒng)計(jì))

IC Insights估計(jì),三星今年的260億美元半導(dǎo)體支出當(dāng)中,140億美元會(huì)分配給3D NAND、70億美元分配給DRAM、50億美元分配給專業(yè)晶圓代工(用來(lái)擴(kuò)充10納米制程產(chǎn)能)。

然而,三星在存儲(chǔ)器所砸下重本的同時(shí),存儲(chǔ)器更讓三星賺得盤滿缽滿。

趙偉國(guó):存儲(chǔ)之戰(zhàn)是中國(guó)紫光也是中國(guó)半導(dǎo)體制造的最核心之戰(zhàn)

11月19日,央視財(cái)經(jīng)頻道《對(duì)話》欄目播出了與紫光集團(tuán)趙偉國(guó)的采訪對(duì)話。

在節(jié)目中,趙偉國(guó)就展示了三種芯片:第一種是存儲(chǔ)器,第二種是手機(jī)處理器。此外,他還展示了一枚特殊的芯片,他說:“這枚芯片價(jià)值10億美元。這是一枚32層64G存儲(chǔ)芯片,是長(zhǎng)江存儲(chǔ)1000人干了2年時(shí)間研發(fā)出來(lái)的?!?/p>

以下為采訪對(duì)話節(jié)選:

主持人:存儲(chǔ)是不是在芯片這個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中算是金字塔頂端的技術(shù)了?

趙偉國(guó):它所占的比重很大,整個(gè)集成電路產(chǎn)值里面,以CPU包括像我們知道的英特爾X86,還有手機(jī)上高通聯(lián)發(fā)科、展訊這些手機(jī)基帶,這些加起來(lái)大概占三分之一的產(chǎn)值,存儲(chǔ)占了另外三分之一,其他的芯片加在一起才占三分之一,所以存儲(chǔ)是一個(gè),尤其對(duì)中國(guó)來(lái)說是個(gè)兵家必爭(zhēng)之地,因?yàn)樗囊?guī)模很大,應(yīng)用非常廣泛,而且在中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)非常迅速。

在節(jié)目中,趙偉國(guó)還談到了之前紫光收購(gòu)美光一事:

趙偉國(guó):之前我們秘密發(fā)出了對(duì)美光的收購(gòu)要約,在這一天我們基本確定了美國(guó)政府不會(huì)批準(zhǔn)。為什么說失敗是好事呢?說明了存儲(chǔ)的價(jià)值,證明我們的戰(zhàn)略是對(duì)的。美國(guó)白宮報(bào)告中提到:抑制中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。美光是全球第三的存儲(chǔ)芯片企業(yè),也是美國(guó)碩果僅存的存儲(chǔ)芯片企業(yè)了,戰(zhàn)略地位非常重要。

我們已經(jīng)預(yù)計(jì)到美國(guó)政府可能會(huì)不批準(zhǔn),但是我們?yōu)槭裁催€要繼續(xù)做這件事呢?第一如果他批準(zhǔn),我會(huì)節(jié)約很多時(shí)間,第二我們既然下決心要在存儲(chǔ)領(lǐng)域打一場(chǎng)大戰(zhàn),有時(shí)候是明修棧道暗度陳倉(cāng),一場(chǎng)奇襲,有時(shí)候要大張旗鼓,中國(guó)有句話講,“插起招軍旗,才有吃糧人“這種情況下,我要在全世界聚集最優(yōu)秀的人才資源來(lái)支撐我,我要把旗子亮起來(lái)。

主持人:于先生,你覺得趙總是個(gè)什么風(fēng)格的人?

于英濤:從芯這個(gè)角度來(lái)說,他講過一句話:芯片雖然沒印國(guó)旗,但是是有國(guó)籍的。這話非常到位,這是他對(duì)產(chǎn)業(yè)的理解,以及對(duì)整個(gè)世界經(jīng)濟(jì)、芯片行業(yè)在現(xiàn)今當(dāng)中幾個(gè)超級(jí)大國(guó)在爭(zhēng)奪芯片的話語(yǔ)權(quán)的理解。我算是企業(yè)家里面膽子比較大的,但是我在他的位置上,我會(huì)天天睡不著覺的。因?yàn)樗阉械膫€(gè)人的身家性命,全部壓到了這個(gè)芯片上,成功了他將是個(gè)留名千古的企業(yè)家,失敗了,他什么都沒了。

趙偉國(guó):我之所以敢把所有都?jí)荷先?,是因?yàn)槲艺J(rèn)為我能把這件事做成,因?yàn)檫@不僅僅是我個(gè)人的財(cái)富問題,它也關(guān)系到國(guó)家戰(zhàn)略的實(shí)現(xiàn),其實(shí)個(gè)人的錢沒有了是小事情,如果國(guó)家把這么大一件事情主要的希望寄托在你肩上,如果你不能做成,那就不僅是財(cái)富損失,你會(huì)成為國(guó)家民族罪人。

主持人:那到目前為止,這個(gè)戰(zhàn)役的進(jìn)展如何?

趙偉國(guó):剛才我展示了這個(gè)存儲(chǔ)芯片,目前這個(gè)存儲(chǔ)之戰(zhàn),是中國(guó)紫光也是中國(guó)半導(dǎo)體制造的最核心之戰(zhàn),現(xiàn)在整個(gè)戰(zhàn)斗的進(jìn)程基本上是按照我們的預(yù)期在向前演進(jìn)。

主持人:那它意味著我們和國(guó)際最領(lǐng)先的水平之間的差距縮小了多少?

趙偉國(guó):如果說第一名是奔馳寶馬的話,排第二的大概是奧迪,我想到19年我們就達(dá)到帕薩特的水平,它跟奔馳寶馬還是差一些,但是基本上都有了,相當(dāng)于在市場(chǎng)上有一席之地了。

韓美大廠壟斷下的存儲(chǔ)器市場(chǎng)

2016年全球半導(dǎo)體的銷售額之和為3389.31億美元,其中集成電路為2766.98億美元,占82%(注意集成電路是半導(dǎo)體的一部分)。但存儲(chǔ)器市場(chǎng)容量約780-800億美元,占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的23%,是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品

從存儲(chǔ)器的種類看,主要分DRAM和Flash,2016年DARM市場(chǎng)容量約414億美元, NAND Flash約346億美元, Nor Flash市場(chǎng)容量較小,約33億美元。據(jù)預(yù)測(cè)2017年,DRAM市場(chǎng)將達(dá)到720億美元的規(guī)模,DRAM預(yù)計(jì)將成為2017年半導(dǎo)體行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別,超出NAND閃存市場(chǎng)(498億美元)222億美元

根據(jù)IC Insights 在 2016 年推出的調(diào)查報(bào)告,目前全世界前十大半導(dǎo)體廠商中,從事內(nèi)存和閃存芯片的設(shè)計(jì)與制造的,主要有5家:三星電子、SK 海力士、英特爾、鎂光科技、東芝半導(dǎo)體,韓國(guó)和美國(guó)的廠商,幾乎已經(jīng)壟斷了全球的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。

DRAM方面,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示2017年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收數(shù)據(jù)顯示,三星、SK海力士?jī)纱箜n廠的市占各為45.8%與28.7%,合計(jì)已囊括74.5%的市占率。美光市占21.0%,三家企業(yè)的市占率已達(dá)95.5%。

NAND Flash方面,同為集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心數(shù)據(jù),2017年全球NAND Flash品牌廠商產(chǎn)能市占率中,三星占據(jù)36.9%、東芝及西數(shù)占據(jù)34.4%,加上SK海力士、美光及英特爾,五大廠商壟斷市場(chǎng)。

Nor Flash方面,同為集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心2017年6月數(shù)據(jù),2016年全球市場(chǎng)份額美國(guó)Cypress第一25%、***旺宏第二24%、美光第三18%、***華邦第四17%、我國(guó)兆易創(chuàng)新第五7%。

以上可見,在占據(jù)絕大部分市場(chǎng)容量的DRAM和NAND Flash方面,中國(guó)基本為零,僅在市場(chǎng)容量不及DRAM 1/10容量的Nor Flash上有兆易創(chuàng)新入圍。

2017年存儲(chǔ)器瘋狂增長(zhǎng),讓韓國(guó)成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域增長(zhǎng)最快的國(guó)家。根據(jù)ICinsight 2017年10月的預(yù)計(jì),2017年NAND閃存市場(chǎng)強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)44%,DRAM市場(chǎng)更是逆天增長(zhǎng)74%,兩相加持之下,帶動(dòng)2017年IC市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)22%,2017年存儲(chǔ)器占世界半導(dǎo)體的份額將從23%變成30%。

由于市場(chǎng)需求的激增及韓美大廠的壟斷,今年存儲(chǔ)器價(jià)格上漲現(xiàn)象極其嚴(yán)重。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究協(xié)理吳雅婷指出,以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR44GB)合約價(jià)為例,從去年中開始起漲,由當(dāng)時(shí)的13美元均價(jià)拉升至今年第四季度合約價(jià)30.5美元,報(bào)價(jià)連續(xù)6個(gè)季度增長(zhǎng),合計(jì)漲幅超過130%,帶動(dòng)相關(guān)DRAM大廠獲利能力大幅提升。

目前,在連續(xù)數(shù)季內(nèi)存價(jià)格上升的帶動(dòng)下,SK海力士、美光皆累積許多現(xiàn)金在手,幾大廠商已開啟擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

SK海力士將在年底展開18nm制程,無(wú)錫二廠也將在明年興建,預(yù)計(jì)2019年產(chǎn)出;美光借著股價(jià)水漲船高之際宣布現(xiàn)金增資,代表未來(lái)在蓋新廠、擴(kuò)張產(chǎn)能與制程升級(jí)上做好了準(zhǔn)備;三星也有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線,部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM,并全數(shù)采用18nm制程,加上原有Line17還有部分空間可以擴(kuò)產(chǎn),預(yù)計(jì)三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80K~100K晶圓,帶動(dòng)三星明年產(chǎn)出供給量由原本預(yù)估的增長(zhǎng)18%上升至23%。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器發(fā)展現(xiàn)狀

目前國(guó)內(nèi)主流存儲(chǔ)器芯片的參與者主要有三家,分別是國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和紫光集團(tuán)共同投資的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電的福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫,近期兆易創(chuàng)新也通過與合肥產(chǎn)投合作,入局DRAM。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)初期定位于3D NAND Flash芯片的生產(chǎn),后期將進(jìn)行DRAM產(chǎn)品的開發(fā);而福建晉華與合肥長(zhǎng)鑫則主攻DRAM內(nèi)存顆粒,其中福建晉華與臺(tái)企聯(lián)華電子合作,根據(jù)三家企業(yè)的規(guī)劃,研發(fā)與投產(chǎn)均將2018年定為關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),2018年有望成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器主流化發(fā)展元年。

從產(chǎn)品方面看,NAND Flash目前僅有長(zhǎng)江存儲(chǔ)一家,DRAM方面則包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華及兆易創(chuàng)新。

從市場(chǎng)狀況來(lái)看,2017年全球內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)高漲,集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2017年全球內(nèi)存平均銷售單價(jià)較去年增長(zhǎng)35.2%,全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)60%~65%。如果這種局面得以延續(xù),對(duì)新投入存儲(chǔ)市場(chǎng)的中國(guó)企業(yè)來(lái)說將是一大利好,對(duì)開局是一個(gè)有利條件。

然而,日前三星等國(guó)際存儲(chǔ)器大廠已有2018年擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃。三星等國(guó)際大廠的擴(kuò)產(chǎn)勢(shì)必壓抑內(nèi)存價(jià)格上漲幅度,同時(shí)也將提升中國(guó)企業(yè)的進(jìn)入門檻。

以下為中國(guó)幾大存儲(chǔ)器廠商的進(jìn)展情況:

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光公司收購(gòu)武漢新芯科技公司之后成立的存儲(chǔ)芯片公司,在武漢開工建設(shè)國(guó)內(nèi)最大的存儲(chǔ)芯片基地,總投資超過了240億美元,目前建設(shè)的是一期工程,主要針對(duì)3D閃存,今年9月份產(chǎn)房提前封頂,進(jìn)展很順利。

11月中旬,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功研發(fā)32層3D NAND Flash芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)原本規(guī)劃12月底才提供32層3D NAND樣本,然該顆芯片樣本提前出來(lái)(上文趙偉國(guó)在節(jié)目中有所展示),且第一版就通過終端實(shí)測(cè),象征研發(fā)獲得重大突破。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的規(guī)劃,預(yù)計(jì)在2018年下半年正式開始3D閃存生產(chǎn),初期產(chǎn)能5000片晶圓/月,不過一旦解決良率問題,后續(xù)就會(huì)大規(guī)模量產(chǎn),武漢基地的設(shè)計(jì)產(chǎn)能最終可以達(dá)到30萬(wàn)片晶圓/月,未來(lái)足以比肩SK Hynix、東芝這樣的公司的產(chǎn)能。

業(yè)者透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已預(yù)訂5000片產(chǎn)能的機(jī)臺(tái)設(shè)備,預(yù)計(jì)2018年第二季度投入市場(chǎng)。

合肥長(zhǎng)鑫

2017年5月25日,由合肥市政府支持的合肥長(zhǎng)鑫公司宣布,預(yù)計(jì)由合肥長(zhǎng)鑫投資72億美元,興建12吋晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品,未來(lái)完成后,預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬(wàn)片規(guī)模,其規(guī)模將與韓國(guó) SK Hynix 現(xiàn)在的產(chǎn)能差不多,比福建晉華的存儲(chǔ)器產(chǎn)能更高。

目前,合肥長(zhǎng)鑫高端通用存儲(chǔ)晶圓制造項(xiàng)目正在施工,該項(xiàng)目擬建成業(yè)界先進(jìn)工藝制程的12英寸存儲(chǔ)器晶圓研發(fā)項(xiàng)目,計(jì)劃2017年廠房建成,明年上半年完成設(shè)備安裝和調(diào)試,并且開始與晶圓供應(yīng)商進(jìn)行商談,以確保2018年內(nèi)獲得穩(wěn)定的晶圓供應(yīng),預(yù)計(jì)2018年下半年產(chǎn)品研發(fā)成功。

福建晉華

2016年5月聯(lián)電宣布與晉華集成電路公司簽約合作,由聯(lián)電負(fù)責(zé)開發(fā)DRAM制程相關(guān)技術(shù)。福建省晉華12寸新廠初期將導(dǎo)入32納米制程,預(yù)期在2018年9月開始試產(chǎn),投入DRAM及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷售,預(yù)計(jì)2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴(kuò)大至3萬(wàn)片。

目前一期總投資370億元,已納入國(guó)家十三五集成電路重大項(xiàng)目清單,并得到第一筆 30 億元國(guó)家專項(xiàng)資金支持,爭(zhēng)取 3-5 年內(nèi)在國(guó)內(nèi)主板上市。

9月5日,福建晉華存儲(chǔ)器生產(chǎn)線項(xiàng)目FAB主廠房P1區(qū)屋面完成封閉。日前,聯(lián)電表示將于明年第四季度完成第一階段技術(shù)開發(fā)。

最新消息,晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目FAB主廠房于 11 月 21 日舉行封頂儀式,這標(biāo)志著晉華項(xiàng)目進(jìn)入機(jī)電安裝和潔凈廠房施工階段。預(yù)計(jì)將于 2018 年第 3 季正式投產(chǎn),屆時(shí)導(dǎo)入 32 納米制程的 12 寸晶圓月產(chǎn)能,預(yù)計(jì)達(dá)到 6 萬(wàn)片的規(guī)模。

兆易創(chuàng)新

10月28日,兆易創(chuàng)新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司簽署了《關(guān)于存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目之合作協(xié)議》,根據(jù)合作協(xié)議,兆易創(chuàng)新將在合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程19nm存儲(chǔ)器的12英寸晶圓存儲(chǔ)器(含DRAM等)的研發(fā),目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功,即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于10%。項(xiàng)目預(yù)算達(dá)180億元,兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投將根據(jù)1∶4的比例負(fù)責(zé)籌集,兆易創(chuàng)新負(fù)責(zé)籌集約36億元。

兆易創(chuàng)新曾計(jì)劃收購(gòu)主營(yíng)DRAM、SRAM等存儲(chǔ)芯片廠商ISSI,進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)。但8月3日晚間兆易創(chuàng)新宣布終止收購(gòu)ISSI,事與愿違。現(xiàn)在兆易創(chuàng)新與合肥投資公司合作研發(fā)19nm制程工藝的存儲(chǔ)器,再次入局DRAM市場(chǎng)。

國(guó)家攜手地方政策支持

近幾年,國(guó)家加大對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的建設(shè),以及加強(qiáng)對(duì)數(shù)據(jù)信息安全存儲(chǔ)的重視,產(chǎn)業(yè)扶持政策和新項(xiàng)目投資也在持續(xù)升溫中。從國(guó)家政府發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,到國(guó)家大基金/華芯投資已投資50多個(gè)項(xiàng)目,40多家企業(yè),中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的步伐正在進(jìn)行中。

目前,中國(guó)存儲(chǔ)器幾大廠商雖尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但也在快速推進(jìn)中,政府的政策支持成為主要驅(qū)動(dòng)力。

集邦咨詢?cè)谧钚碌摹爸袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析”報(bào)告中指出,政府從中央到地方對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持力道將持續(xù)擴(kuò)大,大基金除持續(xù)支持較薄弱但又很重要的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)外,存儲(chǔ)器相關(guān)、SiC/GaN等化合物半導(dǎo)體、圍繞IoT/5G/AI/智能汽車等應(yīng)用趨勢(shì)的IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域,將是政府主導(dǎo)的大基金未來(lái)投資的三大方向。

2015年出臺(tái)的《集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》提出,到2020年,集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷售收入年復(fù)合增長(zhǎng)率為20%,達(dá)到9300億元。

從大基金的發(fā)展來(lái)看,集邦咨詢指出,統(tǒng)計(jì)至2017年9月,大基金首期募資1,387.2億元人民幣,共投資55個(gè)項(xiàng)目,承諾出資1,003億元人民幣,實(shí)際出資653億元人民幣,其中IC制造因資金規(guī)模較大,占整體投資比重65%為最大。

目前大基金第二期已在募資中,預(yù)計(jì)規(guī)模將達(dá)1500-2000億元人民幣,投資項(xiàng)目也將有所調(diào)整,集邦咨詢預(yù)估,大基金在IC設(shè)計(jì)投資比重將增加至20%-25%,投資對(duì)象也將擴(kuò)大到具發(fā)展?jié)摿Φ男聞?chuàng)企業(yè)。

另一方面,觀察政府推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略,由中央帶動(dòng)地方發(fā)展的趨勢(shì)已非常明確。至2017年6月,配合國(guó)家大基金而成立的地方半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金已達(dá)5145億元人民幣,其中規(guī)模最大者高達(dá)500億元人民幣。各地方政府也因應(yīng)中央的策略,陸續(xù)發(fā)布半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)政策,其范圍遍及資金、研發(fā)、投資、創(chuàng)新、人才等,意味著地方政府不僅有發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心,也為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)實(shí)際的支持。

此外,在多個(gè)地方政府積極投入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下,其他城市也將崛起,集邦咨詢指出,這也將導(dǎo)致未來(lái)幾年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的改變,預(yù)期合肥、廈門、晉江等將可望成為中國(guó)新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)。

小結(jié)

不得不說,中國(guó)存儲(chǔ)器之戰(zhàn)已經(jīng)打響,在這場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)中,中國(guó)與國(guó)際仍有著巨大的距離,但我們?nèi)砸淖懔馀ψ汾s,借用寧南山的一句話:存儲(chǔ)器領(lǐng)域的戰(zhàn)爭(zhēng),將會(huì)比我們想象的要?dú)埧?,也?huì)比我們預(yù)計(jì)的持續(xù)更久,但是也要有信心,最終獲勝的一定是更加具有規(guī)模優(yōu)勢(shì)的中國(guó)。

2018年,僅僅只是戰(zhàn)斗的開始。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2311

    瀏覽量

    183445
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15859

    瀏覽量

    180984
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    7484

    瀏覽量

    163762

原文標(biāo)題:大國(guó)重器,存儲(chǔ)之道

文章出處:【微信號(hào):WW_CGQJS,微信公眾號(hào):傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    什么是ROM存儲(chǔ)器的定義

    一、ROM存儲(chǔ)器的定義 ROM存儲(chǔ)器是一種在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。與RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)不同,ROM
    的頭像 發(fā)表于 11-04 09:59 ?492次閱讀

    內(nèi)存儲(chǔ)器分為隨機(jī)存儲(chǔ)器和什么

    內(nèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的關(guān)鍵部件,它直接影響到計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度和性能。內(nèi)存儲(chǔ)器主要分為兩大類:隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM,Random Access Memory)和只讀
    的頭像 發(fā)表于 10-14 09:54 ?898次閱讀

    存儲(chǔ)器中訪問速度最快的是什么

    在探討存儲(chǔ)器中訪問速度最快的是哪一種時(shí),我們首先需要了解計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)以及各類存儲(chǔ)器的特性和功能。計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)通常包括多個(gè)層次的存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 10-12 17:01 ?1782次閱讀

    PLC主要使用的存儲(chǔ)器類型

    PLC(可編程邏輯控制)中的存儲(chǔ)器是其重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和系統(tǒng)信息。PLC的存儲(chǔ)器主要分為兩大類:系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:45 ?2034次閱讀

    外部存儲(chǔ)器有哪些

    外部存儲(chǔ)器是指用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的獨(dú)立設(shè)備,它們通常與計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備連接,并提供額外的存儲(chǔ)空間,允許用戶在不改變主設(shè)備內(nèi)部存儲(chǔ)的情況下保存和訪問大量數(shù)據(jù)。常見的外部
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:42 ?2076次閱讀

    內(nèi)部存儲(chǔ)器有哪些

    內(nèi)部存儲(chǔ)器,也稱為內(nèi)存(Memory),是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于暫時(shí)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的重要組件。它直接與CPU相連,是CPU處理數(shù)據(jù)的主要來(lái)源。內(nèi)部存儲(chǔ)器主要由隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:42 ?1555次閱讀

    ram存儲(chǔ)器和rom存儲(chǔ)器的區(qū)別是什么

    定義: RAM(Random Access Memory):隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種易失性存儲(chǔ)器,主要用于計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)。 ROM(Read-Only Memory):只讀存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 08-06 09:17 ?659次閱讀

    EEPROM存儲(chǔ)器如何加密

    EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它在斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于其可
    的頭像 發(fā)表于 08-05 18:05 ?1211次閱讀

    eeprom存儲(chǔ)器為什么會(huì)重?zé)?/a>

    EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,可以在不移除芯片的情況下進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 08-05 16:59 ?514次閱讀

    plc存儲(chǔ)器清除后還能正常用嗎

    可編程邏輯控制(PLC)是工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的核心設(shè)備,其存儲(chǔ)器存儲(chǔ)著程序、數(shù)據(jù)和系統(tǒng)配置等重要信息。當(dāng)PLC存儲(chǔ)器被清除后,其功能和性能可能會(huì)受到影響。 一、PLC
    的頭像 發(fā)表于 07-01 09:57 ?866次閱讀

    內(nèi)存儲(chǔ)器與外存儲(chǔ)器的主要區(qū)別

    在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器是不可或缺的核心部件,它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和處理各種數(shù)據(jù)和信息。根據(jù)存儲(chǔ)位置和功能的不同,存儲(chǔ)器可大致分為內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱內(nèi)存)和
    的頭像 發(fā)表于 05-22 18:16 ?5213次閱讀

    存儲(chǔ)器的定義和分類

    存儲(chǔ)器,作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的核心部件之一,扮演著存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)的角色。無(wú)論是程序的執(zhí)行,還是數(shù)據(jù)的處理,都離不開存儲(chǔ)器的支持。本文將對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行詳細(xì)的介紹,包括其定義、分類、工作原理以及
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:56 ?1320次閱讀

    淺談存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)

    通過多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問速度,而輔助
    發(fā)表于 02-19 13:54 ?819次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>層次結(jié)構(gòu)

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)器有哪些 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為哪兩種

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(Semiconductor Memory)是一種電子元件,用于存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)。它由半導(dǎo)體材料制成,采用了半導(dǎo)體技術(shù),是計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中最常用的存儲(chǔ)器。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以
    的頭像 發(fā)表于 02-01 17:19 ?3002次閱讀

    如何使用SCR XRAM作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器?

    1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問 如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 1) 用于
    發(fā)表于 01-30 08:18
    RM新时代网站-首页