MOSFET，即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，因其強大的性能和廣泛的應(yīng)用，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的基石。在功率MOSFET領(lǐng)域，碳化硅的出現(xiàn)如同催化劑，推動著技術(shù)的革新。憑借其卓越的高溫性能，碳化硅無懼極端環(huán)境，為電源和逆變器等設(shè)備提供前所未有的效率提升。華芯邦不斷推進MOSFET的發(fā)展，其多樣的中高耐壓產(chǎn)品線在低損耗、高速度方面表現(xiàn)尤為突出。同時，精巧的小封裝設(shè)計，使得這些元件更適合各類應(yīng)用場景。

碳化硅為什么會出現(xiàn)應(yīng)用在市場上？

MOS二極管雖然是一種被動元件，但其在電路中的開關(guān)特性不可或缺，被廣泛應(yīng)用于日常電子設(shè)備的開關(guān)功能。碳化硅的強勢崛起，無疑為電力電子領(lǐng)域帶來了新的活力與挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的電子元件在125到150度的高溫下往往無法承受而導致失效，而碳化硅卻能在更高溫的條件下維持穩(wěn)定。這種材料被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，特別是在工業(yè)逆變器、工程逆變器以及汽車逆變器中，碳化硅的出現(xiàn)使這些設(shè)備能夠在更嚴苛的條件下仍然可靠運行。不僅如此，其應(yīng)用范圍甚至擴展到了航空航天、醫(yī)療設(shè)備以及通訊行業(yè)。這種革命性的材料為各行各業(yè)帶來了創(chuàng)新的機遇，使得高溫不再成為限制發(fā)展的瓶頸，而是推動科技革新的動力。

華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎(chǔ)的MOSFET和碳化硅JBS二極管（結(jié)勢壘肖特基二極管）

JBS是一種高性能的功率二極管，結(jié)合了肖特基二極管（SBD）和PIN二極管的特點，旨在滿足高性能功率應(yīng)用的需求。這其中的獨特之處在于，我們的產(chǎn)品在市場上表現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢與亮點。我們在UIS能力，即前沿感性負載開關(guān)能力方面具有卓越的表現(xiàn)，這種能力意味著在開關(guān)過程中，設(shè)備能夠高效地處理能量，其負載電流每平方交流可達到10~23安培。這將大大提高設(shè)備的能源利用效率，進一步優(yōu)化整體性能。舉個例子，一個體重100公斤和一個50公斤的人，100公斤可能揍兩拳都無濟于事，而50公斤一拳就被擊倒。

在這個情況下，華芯邦的碳化硅mos強調(diào)一種核心能力的關(guān)鍵作用——電源開關(guān)MOS的保護能力。短路可能由多種因素引發(fā)，如設(shè)備進水等。一旦發(fā)生短路，電器可能會燒毀甚至爆炸，無論是家中的電熨斗、吹風機，還是日常使用的手機充電器，這些設(shè)備一旦短路，開關(guān)MOS的保護機制顯得尤為重要。因此，我們更需要具備高效短路保護能力的開關(guān)MOS，確保在短路發(fā)生時電器內(nèi)部自動停止工作，而不是出現(xiàn)冒煙或爆炸現(xiàn)象。 相比之下，有些設(shè)備例如快充頭插上卻沒有任何反應(yīng)，這其實是因為它們內(nèi)部已經(jīng)啟動了短路保護機制，這種情況反而是令人放心的表現(xiàn)，因為設(shè)備沒有發(fā)生爆炸或起火，也沒有出現(xiàn)變形或變色的現(xiàn)象。這時，mos管的UIS能力就顯得尤為重要，UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指標。

在當今科技領(lǐng)域，華芯邦以其卓越的創(chuàng)新實力，持續(xù)引領(lǐng)前沿技術(shù)的發(fā)展浪潮。在功率器件模塊的諸多優(yōu)勢中，電源開關(guān)MOS的保護能力尤為關(guān)鍵。這不僅提升了設(shè)備的整體性能，更為關(guān)鍵設(shè)備的長期穩(wěn)定運行提供了堅實的保障。面對瞬息萬變的科技進步，華芯邦深刻理解保護能力的重要性，不斷優(yōu)化設(shè)計，力求每一個細節(jié)都能經(jīng)受住時間的考驗。新一代的碳化硅MOSFET與碳化硅JBS二極管，憑借在額定導通電阻或電流下卓越的非嵌位感性負載開關(guān)（UIS）能力，彰顯出華芯邦在技術(shù)壁壘上的不斷突破。通過將創(chuàng)新科技與第三代半導體材料完美結(jié)合，華芯邦為未來的發(fā)展鋪設(shè)了堅實的技術(shù)之路。

轉(zhuǎn)載自：https://www.hotchip.com.cn/sic-jbs-uis/

審核編輯 黃宇