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0BB無(wú)主柵技術(shù)在IBC電池中的應(yīng)用及封裝測(cè)試

美能光伏 ? 2024-10-25 08:10 ? 次閱讀

傳統(tǒng)晶體硅太陽(yáng)電池的正面金屬電極會(huì)造成光學(xué)損失,減少正面金屬電極覆蓋面積可以提高效率。背接觸太陽(yáng)電池(IBC)將電極置于背面,提高光電轉(zhuǎn)換效率。降低太陽(yáng)電池組件成本是行業(yè)發(fā)展的重要方向,其中銀漿成本占非硅成本的比例較高。0BB無(wú)主柵技術(shù)通過(guò)減少銀漿使用量來(lái)降低成本,同時(shí)提升組件性能。

0BB無(wú)主柵技術(shù)

無(wú)主柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于降低銀漿成本,減少遮光損失,縮短電流傳輸路徑,降低串聯(lián)電阻,提升組件功率。其發(fā)展歷程包括從3BB-5BB到多主柵(MBB)和超級(jí)多主柵(SMBB)技術(shù),無(wú)主柵技術(shù)采用銅焊絲取代傳統(tǒng)主柵線(xiàn),實(shí)現(xiàn)電流匯集和電池互聯(lián)。

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IBC電池?zé)o主柵互聯(lián)示意圖

無(wú)主柵技術(shù)通過(guò)減少或消除正面主柵,增加受光面積,減少電阻損耗,提高光電轉(zhuǎn)換效率。無(wú)主柵太陽(yáng)電池使用焊帶作為正面主柵,連接到背面副柵。

無(wú)主柵IBC光伏組件的封裝工藝

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IBC光伏組件封裝結(jié)構(gòu)

常規(guī)工藝:采用雙層復(fù)合膜(POE+PET)與銅絲復(fù)合形成導(dǎo)電帶,經(jīng)太陽(yáng)電池焊接、組裝、層壓、削邊裝框等流程封裝 IBC 光伏組件,但存在太陽(yáng)電池彎曲、焊接不良、接觸不良、界面分層開(kāi)裂等問(wèn)題。

工藝改進(jìn):采用單層復(fù)合膜(聚烯烴或乙烯 - 醋酸乙烯共聚物)替換雙層復(fù)合膜,并引入一體膜,避免了太陽(yáng)電池彎曲和焊接不良問(wèn)題,且在TC 老化試驗(yàn)中不會(huì)產(chǎn)生分層現(xiàn)象。

IBC 光伏組件穩(wěn)定性TC測(cè)試

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熱循環(huán)試驗(yàn)

測(cè)試對(duì)象:常規(guī)工藝和改進(jìn)工藝的無(wú)主柵 IBC 光伏組件

測(cè)試條件:

在 1h 內(nèi)將溫度由 25°C 均速降低至 -40°C。然后保溫 15min。

再在 3h 內(nèi)由 -40°C 均速升溫至 85°C。然后保溫 15min。

最后在 2h 內(nèi)由 85°C 均速降溫至 25°C。試驗(yàn)共進(jìn)行 400 次。

無(wú)主柵IBC光伏組件的EL測(cè)試

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常規(guī)工藝下的EL圖像

隨著TC老化試驗(yàn)的進(jìn)行,達(dá)到200次后,常規(guī)工藝的無(wú)主柵IBC光伏組件的EL圖像出現(xiàn)了明顯的邊緣發(fā)黑現(xiàn)象。這可能是由于雙層復(fù)合膜中的PET膜在層壓過(guò)程中無(wú)法熔化,導(dǎo)致產(chǎn)生了兩個(gè)界面,在熱循環(huán)老化過(guò)程中,彈性形變首先從邊緣開(kāi)始,且變形量不一致,使銅絲與太陽(yáng)電池的副柵之間出現(xiàn)接觸不良。

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改進(jìn)工藝下的EL圖像

采用單層復(fù)合膜工藝避免了熱壓引起的IBC太陽(yáng)電池的彎曲現(xiàn)象和焊接不良問(wèn)題。單層復(fù)合膜在層壓過(guò)程中熔化后與背面封裝膠膜發(fā)生交聯(lián)反應(yīng),形成穩(wěn)固的封裝體,在TC中不會(huì)產(chǎn)生分層現(xiàn)象。

TC老化試驗(yàn)后,改進(jìn)工藝的無(wú)主柵IBC光伏組件的EL圖像仍保持良好的效果,沒(méi)有出現(xiàn)明顯的發(fā)黑或其他不良現(xiàn)象。

改進(jìn)工藝通過(guò)優(yōu)化工藝流程,顯著提高了無(wú)主柵IBC光伏組件的可靠性和性能,減少了TC老化試驗(yàn)后的不良現(xiàn)象。改進(jìn)工藝的無(wú)主柵IBC光伏組件在熱循環(huán)老化試驗(yàn)后表現(xiàn)出更好的EL圖像效果,具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率和更長(zhǎng)的使用壽命。

美能熱循環(huán)環(huán)境試驗(yàn)箱

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美能熱循環(huán)環(huán)境試驗(yàn)箱,可以驗(yàn)證評(píng)估太陽(yáng)能電池/組件的可靠性和穩(wěn)定性,并通過(guò)熱疲勞誘導(dǎo)失效模式,早期識(shí)別制造缺陷。

  • 滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):IEC61215-MQT11(熱循環(huán)試驗(yàn));IEC61730-MST51(溫度循環(huán)試驗(yàn))

  • 升降溫速率:-40℃~+85℃,線(xiàn)性0~3.3℃/min可調(diào)

  • 平均耗電量:≤100 KW·h(TC200單個(gè)循環(huán)耗電量)

溫度范圍:-50℃ ~ +150℃

通過(guò)熱循環(huán)測(cè)試的對(duì)比分析,證實(shí)了改進(jìn)工藝在提高無(wú)主柵IBC光伏組件的可靠性和性能方面的優(yōu)勢(shì),為光伏組件的封裝技術(shù)發(fā)展提供了有益的指導(dǎo)。美能熱循環(huán)環(huán)境試驗(yàn)箱可以模擬快速的溫度變化,研究人員能夠更準(zhǔn)確地評(píng)估無(wú)主柵IBC光伏組件在經(jīng)過(guò)改進(jìn)工藝后的性能提升和可靠性改進(jìn)。

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